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MOSFETの切り替え時間を遅くするにはどうすればよいですか?
私のアプリケーションには、スイッチングが速すぎるNMOSがあります。ゲートにロジックレベルの方形波(PWM)を送信しています。残念ながら、予想通り、出力も方形波に近くなります。 Voutをより台形にするにはどうすればよいですか?または別の言い方をすると、出力のスルーレートを下げるために私ができる最も簡単な変更は何ですか? 注:(Vin)は、NMOSのゲートに印加される電圧であり、(Vout)は、NMOSのドレインに現れる電圧です。