フルブリッジコンバーター整流器キック
現在、8kWの絶縁型DC / DCコンバーター、フルブリッジトポロジを構築しています。 ダイオードに興味深い現象が見られます。各ダイオードが逆バイアスになると、予想されるDCバス電圧に落ち着く前に、ダイオードに電圧スパイクが現れます。これらは1800Vの高速ダイオード（320nS仕様の回復時間）であり、スパイクは2次側で350VDCのみで1800Vに達し、出力電圧の目標を大きく下回っています。デッドタイムの増加は役に立ちません。ダイオードに逆バイアスがかかっている場合でもキックは発生し、同じ大きさです。 私の疑いは、出力チョークがデッドタイム中にダイオードを順方向にバイアスし続けていることです。次に、トランスの電圧が他の半サイクルで上昇し始めると、ダイオードはトランスの巻線に短絡として現れるのに十分な時間だけ瞬時に逆バイアスされます。その後、ダイオードが回復すると、その電流は遮断され、私が見ているキックを引き起こします。 私はいくつかのことを試しました。ある時点で、ブリッジに並列にフライバックダイオードを追加しました。 ブリッジと同じ高速リカバリダイオードを使用しました。これはスパイクに明らかな影響はありませんでした。次に、ブリッジと並行して.01 uFのキャップを追加しようとしました。 これにより、スパイクがより管理しやすいレベルに減少しましたが、そのキャップの反射インピーダンスにより、プライマリで重大な問題が発生しました。スナバキャップの温度が2倍になりました！ いくつかの可能性があります。 1）問題を誤って診断しました。私は自分が見ていると思うものを見ていると95％確信していますが、以前は間違っていました。 2）同期整流器を使用します。私はそれで逆回復の問題があるべきではありません。残念ながら、私はこの電力範囲で逆阻止JFETを知らず、逆阻止MOSFETのようなものはありません。この電力範囲で見つけることができる唯一の逆阻止IGBTは、ダイオードよりも損失が大きくなります。 編集：同期整流器の性質を誤解していることに気づきました。逆阻止FETは必要ありません。FETはドレイン-ソース間を導通します。 3）ゼロ回復ダイオードを使用します。繰り返しますが、損失とコストの問題。 4）キックをスナッブします。これは、全体のスループットの20％程度で、あまりにも多くの電力を消費するようです。 5）ダイオードに合わせて可飽和コアを追加します。私が見つけることができる最大の可飽和コアの2つは、キックをほとんど凹ませません。 6）ゼロ電流スイッチング共振トポロジーを使用します。私はその分野での経験はありませんが、一次側の電流がよりスムーズに変化すると、二次側の電圧もよりスムーズに変化し、ダイオードが回復するまでの時間が長くなるようです。 他の誰かが同様の状況に対処しましたか？もしそうなら、どのようにそれを解決しましたか？編集：プライマリ側FETデータシートはこちら。