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そのため、トランジスタにはいくつかのタイプがあります。 BJT JFET MOSFET これらすべてをさまざまなフレーバー（NPN、PNP、エンハンスメントモード、デプリーションモード、HEXFETなど）と組み合わせると、さまざまなパーツが得られ、その多くは同じ仕事を達成できます。どのタイプがどのアプリケーションに最適ですか？トランジスタは、アンプ、デジタルロジックスイッチ、可変抵抗器、電源スイッチ、パス分離として使用され、リストが続きます。どのタイプがどのアプリケーションに最も適しているかを知るにはどうすればよいですか？あるものが他のものよりも理想的に適している場合があると確信しています。私はここにある程度の主観性/重複があることを認めますが、リストされた各トランジスタタイプ（および私が中断したもの）がどのアプリケーションのカテゴリーに最も適しているかについて一般的なコンセンサスがあることは確かですか？例えば、 PS-これがWikiである必要がある場合、誰かがそれを私のために変換したいならそれは問題ありません

61 mosfet  bjt  transistors 

私の実験では、MCU出力用のスイッチ（LEDなどのオン/オフ用）としてBJTのみを使用しました。ただし、スイッチにはNチャネルエンハンスメントモードMOSFETの方が適していると繰り返し言われています（例についてはこちらとこちらを参照してください）が、その理由がわかりません。MOSFETがゲートで電流を浪費しないことは知っていますが、BJTのベースは電力を消費しますが、バッテリーで動作していないので、これは問題ではありません。また、MOSFETはゲートと直列の抵抗を必要としませんが、一般的にプルダウン抵抗が必要なので、MCUを再起動したときにゲートがフロートしません（右？）。そのため、部品点数の削減はありません。 安価なBJTができる電流（たとえば、2N2222の場合は〜600-800mA）を切り替えることができる論理レベルのMOSFETの大きな余剰はないようです。存在するもの（たとえば、TN0702）は見つけるのが難しく、かなり高価です。 MOSFETがBJTよりも適切なのはいつですか？MOSFETを使用する必要があると言われ続けるのはなぜですか？

57 microcontroller  transistors  mosfet  bjt 

質問のもう1つの形式は、2つのダイオードをワイヤ（pn-np）でつなぐとトランジスタと同等になるのでしょうか？ 私はそれらが同等ではないことを読みましたが、なぜですか？

56 diodes  bjt 

私は初心者向けのチュートリアルを見ましたが、十分な電流駆動なしで何かからLEDを駆動する方法はこれです： （オプションA） しかし、これはなぜですか： （オプションB） オプションBには、オプションAよりもいくつかの利点があるようです。 少ないコンポーネント トランジスタは飽和せず、ターンオフが速くなります ベース電流は、ベース抵抗を暖める代わりに、LEDで有効に使用されます。 オプションAの利点はほとんどないようです。 負荷を供給レールに近づけます しかし、VccがLEDの順方向電圧よりも大幅に大きい場合、これはほとんど問題になりません。それでは、これらの利点を考えると、なぜオプションAが好まれるのでしょうか？私が見落としているものは？

52 led  transistors  driver  bjt 

「飽和モード」では、BJTは単純なスイッチとして機能することを理解しています。LEDを駆動する前にこれを使用しましたが、トランジスタをどのようにしてその状態にしたかを明確に理解できません。 Vbeを特定のしきい値よりも上げると、BJTは飽和しますか？私が理解しているように、BJTは電圧制御ではなく電流制御されているため、これには疑問があります。 Ibが特定のしきい値を超えることを許可することにより、BJTは飽和状態になりますか？ある場合、このしきい値はコレクターに接続されている「負荷」に依存しますか？トランジスタのベータがIcの制限要因ではなくなるほどIbが十分に高いため、トランジスタは飽和状態になりますか？

45 transistors  bjt  saturation 

示されている回路を作成しました。私は9Vバッテリー（実際には9.53Vを捨てる）とArduinoからの5Vを使用して、9ボルトと5ボルトの両方でテストしています。トランジスタはBC 548Bです（使用しているデータシートはこちらです）。 この回路のシミュレーション – CircuitLabを使用して作成された回路図 RbとRcの値を変更していくつかのテストを行った結果、次の結果が得られましたが、実際に正しいかどうかはわかりません。 9V Ref Rb Rc Ib (μA) Ic (mA) Beta 1 160k 560 50 15.6 312 2 470k 1.2k 18 6.15 342 3 220k 1.2k 41 7.5 183 4 180k 1.2k 51 7.5 147 5V Ref Rb Rc Ib (μA) Ic (mA) Beta 1 160k …

43 transistors  bjt 

BJTトランジスタのエミッタ端子がコレクタとして扱われ、コレクタが一般的なエミッタアンプ回路のエミッタとして扱われるとどうなりますか？

24 transistors  amplifier  bjt 

バイポーラトランジスタのベースにプル抵抗が使用されていることがよくあります。たとえば、は次のとおりです。R 2R2R2 なぜ使用されるのですか？FETのプル抵抗は理解できます。ゲートの高インピーダンスのため、EMIで簡単に切り替えることができます。しかし、BJT を開くにはベースの電流が必要であり、EMIの内部インピーダンスが高すぎて十分な電流を供給できないと思います。 BJTスイッチにフローティングベースを残しても安全ですか？

23 bjt 

エンターテインメントや教育のためにBJTやディスクリートコンポーネントをはんだなしのブレッドボードに差し込むのが好きな趣味家として、私は、私のような人々は製造業者が生産を継続する価値があるようにするのに不十分な市場であることを認識しています。 このWebサイトでは、BJTに関する多くの質問に、代わりに目的固有のICまたはPICを使用するように推奨事項が回答されていることに気付きました。 また、これまでに555最高のICを読んだり、時代遅れの時代錯誤を楽しんだりしました 私は555とスルーホールBJTが利用可能であり、オンラインの愛好家ショップによってプッシュされていることに注意してください。 私はいくつかの安価なソーラーLEDランプを使ってパスの端をマークしましたが、最近壊れたのでそれを開いて、3つのスルーホールBJTと単一層上の他の個別のスルーホールコンポーネントのこのボードを見つけましたボード。 それでは、なぜ一部の大規模メーカーがこの種の技術をまだ使用しているのでしょうか？ 私が思いつくことができる唯一の理由は 本当に古いデザインで、再設計する価値はありませんか？ 教育市場は私が想像するよりも大きいですか？ おそらく、古いBJT生産機械を低賃金の経済圏に出荷し、最小限のコストで何年も稼働させ続けることができるでしょうか？ この種の技術を維持するには、中国の賃金はまだ十分に低いですか？ 蓄積された知恵を555とBJTで活用することに、多くの古いエンジニアがいますか？ ディスクリートスルーホールBJTは、まだ何かの最良のソリューションです（何？） エンジニアは、スルーホールBJTを使用した大量生産向けの設計を引き続き行っていますか？

22 design  bjt  555  through-hole 

BJTは主に共通エミッタで使用され、場合によっては共通コレクタ構成で使用されます。私はめったに共通基盤を見ません。いつ共通基盤でBJTを使用しますか？たとえば、一般的なエミッターと異なるパラメーターは何ですか？

21 transistors  bjt 

これは、FAN3100ゲートドライバICの構造です。 （そのデータシートから取得） ご覧のように、2つの出力スイッチがあります：CMOSとBJT。 なぜ彼らは両方を置くのですか？

20 bjt  cmos  gate-driving  fet 

回路（電流源）の次の簡単なCircuitLabスケッチを検討してください。 トランジスタ全体の消費電力の計算方法がわかりません。 私は電子工学の授業を受けており、メモには次の式があります（それが役立つかどうかはわかりません）： P=PCE+PBE+Pbase−resistorP=PCE+PBE+Pbase−resistorP = P_{CE} + P_{BE} + P_{base-resistor} したがって、消費電力は、コレクタとエミッタ間の消費電力、ベースとエミッタ間の消費電力、およびミステリー係数です。この例のトランジスタのβは50に設定されていることに注意してください。Pbase−resistorPbase−resistorP_{base-resistor} 私は全体的にかなり混乱しており、ここでのトランジスタに関する多くの 質問 は非常に役に立ちました。

20 transistors  bjt 

この回路はエレクトレットマイクプリアンプでよく見ますが、よくわかりません。FETは共通ソースアンプとして動作するため、ゲイン、反転、および比較的高い出力インピーダンスを備えています。したがって、バッファの後に続けることは理にかなっています。 BJTは一般的なコレクター /エミッターのフォロワーなので、まさにそのようなバッファーとして機能しているように見えますよね？非反転で、電圧ゲインがほぼ1で、出力インピーダンスが低く、劣化することなく他のものを駆動できます。FETからの電圧信号は、コンデンサを介してBJTのベースに送られ、そこでバッファされ、BJTの出力に現れます。 理解できないのは、FETのドレイン抵抗が電源ではなくBJT の出力に接続されている理由です。これは何らかのフィードバックですか？それは正のフィードバックではないでしょうか？（FETの出力電圧が増加すると、キャップを介してベース電圧が上向きに押され、次にBJTから出力電圧が上向きに押され、FET電圧が上向きに引き上げられます。） このような回路に対してどのような利点がありますか？

19 amplifier  bjt  jfet 

私の理解では、出力段の役割は、出力インピーダンスをほぼ0に減らすことです。そのため、MOSFETは低いため、より適しているようです。RdsRdsR_{ds} しかし、BJTはディスクリート設計のバッファーであることがよくあります。多くの場合、入力インピーダンスを上げるためにダーリントン構成で使用されますが、入力インピーダンスが十分に高いのは1つのMOSFETだけです。 私の考えでは、それはより安いか、より単純だった。実際、パワーBJTはパワーMOSFETよりも少し安く、BJTエミッターのフォロワーで比較的線形のバッファーを作る方が簡単ですが、MOSFETソースのフォロワーにはフィードバックが必要な場合があります。

15 mosfet  bjt  buffer 

以下は趣味の仕事のためのもので、私には商業的な意図はまったくありません。ほんの一握り（2つ？）が構築されます。（部品のテストと曲線の生成にこれらを使用していますが、電圧コンプライアンスが高いため、以前よりもさらに多くの用途が見つかるかもしれません。） 次のピンドライバー回路があり、最大± 10を提供しながら V出力コンプライアンス電圧±50V±50V\pm 50\:\textrm{V}ピンドライバ出力とグランドの間に接続された負荷への mA。（大きいプラスとマイナスのレールは約 ± 60です±10mA±10mA\pm 10\:\textrm{mA}、オペアンプレールは ± 15±60V±60V\pm 60\:\textrm{V}）±15V±15V\pm 15\:\textrm{V} この回路のシミュレーション – CircuitLabを使用して作成された回路図 上記の回路の出力でのスルーレートは一般にまたは10020As20As20\:\frac{\textrm{A}}{\textrm{s}}。（ノー速くよりのオーダーのレートで入力を駆動1100mVμs100mVμs100\:\frac{\textrm{mV}}{\mu\textrm{s}}、ピークツーピーク、そしてしばしばそれより遅い。1ms1ms1\:\textrm{ms} コンプライアンス電圧を± 800に拡張したい、電流駆動能力を ± 500±800V±800V\pm 800\:\textrm{V}に、おそらく ± 1±500μA±500μA\pm 500\:\mu\textrm{A}。（電圧スルーレートは 1.6に増加します±1mA±1mA\pm 1\:\textrm{mA}と、これはあまりにも、問題となる場合があります。）1.6Vμs1.6Vμs1.6\:\frac{\textrm{V}}{\mu\textrm{s}} ± 850のペアの高電圧電源レールを取得するは問題ではありません。しかし、私は拾うことができた Q 1を介して Q 4私はマッチング維持したい（等BCM846S、）同一のダイ上に部品として V B Eを（おそらくおよび β。）しかし、今 V C E Oその種の V C E Oと一致するBJTのペアは存在しないと思うので、「多く」上がって、同じトポロジは機能しません。実際、私が見たいものに近づいている個別のPNP BJTについてはわかりません。（NPN、おそらく。しかし、PNP？）±850V±850V\pm 850\:\textrm{V}Q1Q1Q_1Q4Q4Q_4VBEVBEV_{BE}ββ\betaVCEOVCEOV_{CEO}VCEOVCEOV_{CEO} さらにもう1組の電圧レール（高電圧レールに近いが、おそらくをグランドに近づける）カスケード接続された設計（さらに4つのBJTを使用）を使用して、ハイサイドとローサイドの整合ミラーペアを保護します。追加された電圧供給は、 10以上を処理する必要はありません。40V40V40\:\textrm{V}またはその付近、それは新しい高電圧電源レールのうち構築するためにすべてのことは困難ではないかもしれないので。しかし、トポロジーについて他の/より良い考えがある場合、私はそれらを聞きたいです。10μA10μA10\:\mu\textrm{A} ここに私が意味するものがあります： …

15 bjt  high-voltage  current-source