タグ付けされた質問 「fet」

MC74VHC1G08のデータシートを見ると、機能セクションの下にが記載されていChip Complexity: FETs = 62ます。 このICに62個のトランジスタが必要なのに、ANDゲートは6個のトランジスタだけで作成できるのはなぜですか 使用されている他の56個のトランジスタは何ですか？私の推測では、何らかの保護回路になりますが、よくわかりません。

24 digital-logic  integrated-circuit  logic-gates  fet 

これは、FAN3100ゲートドライバICの構造です。 （そのデータシートから取得） ご覧のように、2つの出力スイッチがあります：CMOSとBJT。 なぜ彼らは両方を置くのですか？

20 bjt  cmos  gate-driving  fet 

考えながらMOSFET保護する方法 1アイデアは、門の前には非常に高い抵抗を入れていた：アイデアは、現在は、いくつかの過渡はゲートを脅かしそうならば、抵抗があることを制限する、ゲートを通って流れるようになってされることはありませんということで電流、おそらくFETの焼損を防ぎます。 実際、MOSFET保護の研究中に、図に示されているように、「内部直列ゲート抵抗」という機能を含む、一体的に保護されたこの製品に出会いました。 この考えが正しければ、疑問は次のとおりです。FETのゲートの前に常にメガオーム抵抗器を配置しないのはなぜですか？ または、ゲート抵抗が通常FETを保護しないという実用的な理由はありますか？または、パフォーマンスに悪影響を与えることさえありますか？

15 circuit-protection  fet 

上記の回路では、S1を押して離すと、LEDがオンになり、オンのままになります。これはなぜですか？DMMを接続するとLEDがオンにならないため、DMMでゲート電圧を直接測定することはできません。 LEDが点灯している場合（S1を押してから離す）、S2を押してから離すと、LEDは予想どおりに消灯します。 FETに関するECEの本の章をざっと読みましたが、この現象については何も言及していなかったようです...

15 led  fet 

私は自分のプロジェクトで多くの電流の流れを制御する良い方法を探していました。これは、ある時点で12-15 Vで40-50アンペアになる場合があります。リレーは良い選択ですが、機械的であるため、時間の経過とともに作動し、消耗するのに時間がかかります。 このような要求の厳しいタスクを処理できるように宣伝されているMOSFET（このIRL7833のような）を見てきました。しかし、FETのサイズを考えると、それだけの電力を投入するのは不快です。これは有効な懸念事項ですか？

14 transistors  mosfet  switching  fet 

バックグラウンド： スイッチング電源でSi7456CDP NチャネルMOSFET を使用しています。電源と負荷は、プラスチックの筐体に収容されています。昨日、電源と負荷は完全に機能していました。今朝、私が電源を入れに来たとき、何も機能しませんでした。力がない。最終的に、MOSFETのソースとドレインが一緒に短絡していることを発見しました。MOSFETを交換すると、問題が修正されました。 質問： NチャネルMOSFETがソース-ドレイン間短絡で​​突然故障する原因は何ですか？

12 switch-mode-power-supply  short-circuit  fault  fet 

今期は、オーディオアンプを設計します。これまでの講義では、私たちはまだBJTに在籍しており、私が聞いたことに基づいて、BJTの完全なものとは異なり、FETについて部分的に議論します。とにかく、これを早く考えて、最高のオーディオ増幅に使用するトランジスタを計画できるようにしたいと思います。他のトランジスタ（BJT / FET）の方が優れているスレッドをいくつか読みましたが、他のフォーラムでは、パフォーマンスはコンポーネントではなく、トランジスタの適切なバイアスと回路の適切な設計に依存していると述べています。 オーディオアンプの設計において、トランジスタの4つのサブタイプのうちどれが最も効率的ですか？（NPN / PNP / JFET / MOSFET） ところで、私の教授の要件はこれだけです。現在、私のグループは回路の詳細（ワット数、インピーダンスなど）をまだ決定していません。

11 transistors  audio  amplifier  bjt  fet 

BJTを飽和モードで使用する場合にスイッチとして使用すると、負荷が常にコレクターにあることが参照回路でわかります。NPNの場合、エミッタはグランドに接続され、PNPの場合、エミッタは次のように電源に接続されます。 なぜ負荷は常にコレクターにあり、その逆ではないのですか？ トランジスタはスイッチとしてのみ機能しているので、BJTの代わりにFETを使用することもできますか？ 複数の7セグメントディスプレイを多重化するためにBJTを使用している場合、7つのセグメントすべての電流がトランジスタを通過します。では、飽和モードで7セグメントユニットごとに個別のトランジスタを使用する場合、異なるトランジスタの電流ゲイン値が異なると、7セグメントディスプレイの輝度が異なるのでしょうか？

9 transistors  switches  bjt  fet 

私は、祖父の影響の中に、RF GaAs FETと思われる写真を見つけました。この写真の日付（1975年）に彼はGaAs FET研究所で働いていました。裏面には「メサのゲート幅300μm」と表示されていました。 1977年に申請された米国特許US4160984Aに関連していたと思います。彼は発明者の一人としてリストされています。 構造は私には異質です。ゲート、ソース、ドレインはどこですか？構造に関する追加情報をいただければ幸いです。

8 semiconductors  fet 

ここで説明した回路用のMOSFETを選択するのに助けが必要です。これは、もともとBJTを使用して設計しましたが、この場合はFETの方が意味があると判断しました。 FETは、論理ハイまたは論理ローをFETに送信するPIC24によって制御されます。私はFETが電圧制御デバイスであることを知っていますが、FETをオンに切り替えるために必要な最小電流もあるのでしょうか。 その場合、PIC24がFETをオンにするのに十分な電流を供給できるように、FETにバイアスをかける必要がありますか？ FETのバイアスについてもあまり詳しくないので、内部でバイアスされているFETについても知りたいのですが、Googleで見つけるのは少し難しいです。他のリソースをお勧めできますか？

8 voltage  pic  mosfet  fet