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電流をソースする電子コンポーネント-電流をシンクする場合、電流シンクと呼ばれますが、両方のデバイス（シンクとソース）をソースと呼ぶことができます。IDEAL電流源は電流を供給し、高電圧コンプライアンスを維持し（つまり、電流を供給しているネットワークに一致するようにその出力電圧を適合させ）、無限の出力インピーダンスを持ちます。非理想的な実装では、電流源の動作範囲と有限の出力インピーダンスが制限されています。

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電流源とは正確には何ですか？
電流源の定義から理解したのは、回路内の他のパラメーター（抵抗など）がどのように変化しても、負荷に一定の電流を供給する源であるということです。私は正しいですか？ 私が正しい場合、実際の回路で使用される電流源の例は何ですか？ ウィキペディアは、定電流源としてヴァンデグラフジェネレーターの例を示しました。（このセクションは矛盾しているように見えるというメモがあったため、この記事を読みませんでした。混乱したくありませんでした。） 私は電圧源を考えることができます-例えば、それが接続されている回路の変化に関係なく、両端に一定の電位差を持つバッテリーですが、電流源を考えることはできません。私が考えることができるすべての例は、抵抗が変化したときの電流の変化を伴います。
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反転増幅器の抵抗値の選択とその理由
ここでのゲインはA = -R f / Rinです。ただし、10 V / Vのゲインが必要だとしましょう。どの抵抗値を選択しますか？その理由は何ですか？ これらの抵抗器の組み合わせの数に制限はありませんが、特定の値を使用する理由があるのは知っています。すなわち、R f = 100Mohm、R in = 10Mohmは10V / Vのゲインを与えますが、R f = 10 ohmおよびR in = 1 ohmは10V / Vのゲインを与えます。デザインにどのような違いがありますか？ 私の考えでは、より高い値の抵抗は正確ではないため、正確なゲインが得られず、より低い値の抵抗を使用すると、ソースからの電流が大きくなります（V in）。他の理由はありますか？また、私が正しいか間違っているかを教えてください。
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電気回路図/図で2つの重なった円記号は何を意味しますか？
A3503ホール効果センサーのデータシートに、「機能ブロック図」というラベルの付いた回路図があり、これまで見たことのないシンボルが示されています。ここでは、3-出力と2-グランドの間に示されています。 これは何を表していますか？ 完全なデータシートはこちらから入手できます
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可変2象限定電流ピンドライバー回路のコンプライアンス電圧範囲を拡大
以下は趣味の仕事のためのもので、私には商業的な意図はまったくありません。ほんの一握り（2つ？）が構築されます。（部品のテストと曲線の生成にこれらを使用していますが、電圧コンプライアンスが高いため、以前よりもさらに多くの用途が見つかるかもしれません。） 次のピンドライバー回路があり、最大± 10を提供しながら V出力コンプライアンス電圧±50V±50V\pm 50\:\textrm{V}ピンドライバ出力とグランドの間に接続された負荷への mA。（大きいプラスとマイナスのレールは約 ± 60です±10mA±10mA\pm 10\:\textrm{mA}、オペアンプレールは ± 15±60V±60V\pm 60\:\textrm{V}）±15V±15V\pm 15\:\textrm{V} この回路のシミュレーション – CircuitLabを使用して作成された回路図 上記の回路の出力でのスルーレートは一般にまたは10020As20As20\:\frac{\textrm{A}}{\textrm{s}}。（ノー速くよりのオーダーのレートで入力を駆動1100mVμs100mVμs100\:\frac{\textrm{mV}}{\mu\textrm{s}}、ピークツーピーク、そしてしばしばそれより遅い。1ms1ms1\:\textrm{ms} コンプライアンス電圧を± 800に拡張したい、電流駆動能力を ± 500±800V±800V\pm 800\:\textrm{V}に、おそらく ± 1±500μA±500μA\pm 500\:\mu\textrm{A}。（電圧スルーレートは 1.6に増加します±1mA±1mA\pm 1\:\textrm{mA}と、これはあまりにも、問題となる場合があります。）1.6Vμs1.6Vμs1.6\:\frac{\textrm{V}}{\mu\textrm{s}} ± 850のペアの高電圧電源レールを取得するは問題ではありません。しかし、私は拾うことができた Q 1を介して Q 4私はマッチング維持したい（等BCM846S、）同一のダイ上に部品として V B Eを（おそらくおよび β。）しかし、今 V C E Oその種の V C E Oと一致するBJTのペアは存在しないと思うので、「多く」上がって、同じトポロジは機能しません。実際、私が見たいものに近づいている個別のPNP BJTについてはわかりません。（NPN、おそらく。しかし、PNP？）±850V±850V\pm 850\:\textrm{V}Q1Q1Q_1Q4Q4Q_4VBEVBEV_{BE}ββ\betaVCEOVCEOV_{CEO}VCEOVCEOV_{CEO} さらにもう1組の電圧レール（高電圧レールに近いが、おそらくをグランドに近づける）カスケード接続された設計（さらに4つのBJTを使用）を使用して、ハイサイドとローサイドの整合ミラーペアを保護します。追加された電圧供給は、 10以上を処理する必要はありません。40V40V40\:\textrm{V}またはその付近、それは新しい高電圧電源レールのうち構築するためにすべてのことは困難ではないかもしれないので。しかし、トポロジーについて他の/より良い考えがある場合、私はそれらを聞きたいです。10μA10μA10\:\mu\textrm{A} ここに私が意味するものがあります： …
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定電流バッテリーは存在しますか？
定電流バッテリーは存在しますか？そうでない場合は、なぜですか？そうでなければ、なぜ彼らは市場であまり一般的ではないのですか？ 私は理想的な電流源について話しているのではありません。ただし、値の範囲が少ない場合（負荷、電圧など）は定電流源にする必要があります。「最大端子電圧が20Vの1mAソース」またはそのようなもの（仕様についてはわかりません）。
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現在のソースのポイントは何ですか？
この回路のシミュレーション – CircuitLabを使用して作成された回路図 OK。そのため、電流源に流れる（つまり、矢印の後ろに流れる）電流は、電流源から出る（つまり、矢印の頭から出る）電流と同じであると言われました。 この場合、なぜ現在の「ソース」なのですか？それは余分な電流を提供していません！ これはかなり基本的な質問であることは知っていますが、他の場所では良い答えが見つかりませんでした。 ありがとう。
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なぜダイオードをBJTのベースに取り付けるのですか？
私は電流を供給するためのDC BJTセットアップを見ていて、これに遭遇しました これまでにBJTのベースに取り付けられたダイオードを見たことがなく、それが何に使用されるのか疑問に思っていましたか？温度の影響による補償に使用されると思いますが、これに関する情報や、Q1のベースの電圧を代わりに抵抗でブリッジしない理由についてはあまり知りません。なぜあなたがこのようなことをするかもしれないのかについて何か提案はありますか？
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この定電流シンクは実際にはどのように機能しますか？
私は定電流源を実装しましたが、それは素晴らしい働きをしますが、私はそれをもう少し試して理解することを望んでいました！ これが問題の回路です。私はWebで検索を行ってみましたが、この回路上で実際に何が起こっているのかを説明する理論的なことを見つけるのは非常に困難です。トランジスタを流れる電流はI E = V setを使用するだけで見つけられることがわかりました見始める前に思っていた以上の R セット。しかし、今私は実際に何が起こっているのか、そして負荷での負荷/電圧が変化してもそれがどのように定電流出力のままであるかを知りたいです。私E= VセットするRセットするIE=VsetRsetI_{E}=\frac{V_{\text{set}}}{R_{\text{set}}} 誰かがこれに光を当てることができれば、私は非常に感謝しています。
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現在のソース-使用法とプロジェクト
私はあなた自身の現在のソースを構築する上でこのページに出くわしました。 現実のアプリケーションで現在使用されているソースは何ですか？私が見た場所は教科書だけです。 現在のソースを含むいくつかの楽しい週末プロジェクトについて何か提案はありますか？
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定電流源の作り方
現在のソースがわかりません！電池は電圧源ですが、実際に電流源を実装するにはどうすればよいですか？私はそれらがどのように機能するかを確認するために現在のミラーを見ていました、そして私は残りの半分によって生成されたほぼ同じ電流を得るという考えを理解していますが、図では電流I_refはどこから来ているのですか？それは単に抵抗器の両端の電圧源ですか？また、これを使用してM2のドレインに接続された負荷を駆動するにはどうすればよいですか？ 説明ありがとうございます！
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pA-nA範囲で定電流シンクを作成する方法
私は、テスト装置用の定電流シンクを作成する必要があります。-10pA -100pA -1nA -10nAの4つの別々の値を出力する必要があります。電流を少なくとも10〜20秒、できれば最大100秒まで持続させる必要があります。これらの電流値は非常に小さいので、トランジスタで単純な電流ミラーを使用することはできません。 このデバイスを作成する必要がある理由は、テストベンチ機器よりもはるかに小さく、ハンドヘルドだと考え、特定の電流値でのみ動作する必要があるためです。負荷もわかりません。これはソースです。問題ありませんか？ これまでのところ、私が思いついたのは、電圧ランプを使用してコンデンサー（Ic = C dv / dt）を充電して、電流を出力できるようにすることだけです。機械的なスイッチを使用して容量値を変更し、ランピング時間を同じに保ち、電流を4つの値の間で変更できるようにします。波形は鋸歯状である必要があり、1秒以内にランプアップします。私はノコギリ波や実際の電圧ランプを自分で作成する方法がわかりません。キャップから適切な電流を得るには、線形にする必要があります。 何か提案があれば教えて、他に伝えたかったことについて質問してください。これをすぐに理解したいと思います。 編集：うまくいけば、もう少し明確に
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このオペアンプが正しく動作しないのはなぜですか？
私は調整可能な電流源に取り組んでいます。しばらく前のスレッドで、さまざまな回路が議論されました： LEDストリング用のシンプルな調整可能な電流源 ...しかし、私は1つのオプションで解決し、それが正しく機能していないため、難問に焦点を当てるために新しいスレッドを開始しています。 ここに回路があります： 抵抗分割器（30K抵抗とポテンショメーター）は、「設定」時に基準電圧を提供します（v1のDCスイープはポットシャフトを回転させるだけです）。オペアンプは「ゲート」をサーボ制御して、「センス」が「セット」に等しくなるようにします。したがって、負荷「Rload」に流れる電流（ミリアンペア）は、「セット」の電圧（ミリボルト）に等しくなります。そのような単純な。 「セット」回路とオペアンプに電力を供給する12V電源は、24V電源をオフにした7812です。そして、mosfetは実際にはFQP10N20C（かなりバニラパワーのnfet）です。 LTspiceでシミュレートしましたが、期待どおりに動作します。しかし、ブレッドボードでは、「セット」が0から約400mVに増加するにつれて、「センス」は「セット」をますますうまく追跡しなくなります。ある時点で、「設定」で257mVが「感知」で226mVしか表示されません。したがって、226mAだけがRloadとR1を流れています。「ゲート」は3.53V、「ダウン」は11.7Vです。オペアンプを単独で調べただけでは、「ゲート」を高く駆動する必要があるようです（おそらく、ある時点で、「センス」が257mVになる十分な電流が流れるまで）。 オペアンプはシングルエンド電源での使用を意図しており、出力を3.53V（12Vの電源電圧で）以上に簡単に駆動できるはずです。FETのゲートは電流をシンクしてはなりません（メーターで検証）。 私は困惑しています。 オペアンプのデータシート（LT1006）
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ADCを使用したワイヤの抵抗の測定
私は、0.1Ωまでの小さな抵抗と最大値を測定できる回路を設計しようとしています。10オームの。私は実際の抵抗を測定するのではなく、500 mまでの大きなワイヤーのコイルを測定します（ご想像のとおり、これらのワイヤーはかなり太いです）。 これが私が思いついた回路です： この回路は、被試験デバイスR2を流れる定電流を維持することによって機能します。電流が100 mAの場合、R2は10 mV〜50 mVの電圧を発生します。 理想的な世界ではこれでうまくいくと思いますが、実際にはこれが原因で0.1オームを測定するのに苦労するかもしれません-主にADCが原因です。ADCがVREFが5Vの10ビットであると仮定します。これは、ステップあたり5mVに相当します。R2 = 0.1およびIout = 100 mAの場合、ADCに存在する電圧は50 mVになりますが、これがノイズに埋もれているかどうかはわかりません。 私の質問は、ゲインをたとえば50に増やした場合です。ゲインが50の場合、ADCに存在する電圧は500 mVになりますが、測定可能な抵抗は1オームです。10オームを測定するには、電流を100 mAではなく10 mAに下げる必要があります。これを行う方法は、FETを使用してR1を切り替え、Ioutに20オームの抵抗を接続することです。 抵抗を正確に測定するための回路は必要ありません。許容誤差は+/- 10％で十分です。
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