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車をジャンプスタートするときは、これらの大きなワニ口クランプをバッテリーの端子に接続します。ケーブル自体は電流をうまく処理できますが、ワニ口クランプとバッテリーの間の接触点は非常に小さくなっています。最大4つの歯が各端子に触れていると思います。これらの接点は、何百ものアンプの下で単純に爆発しないのですか？

29 automotive  high-current 

回路の一部に大電流を流す必要があります。オンラインPCBトラック幅計算機を使用しました必要なトラック幅が約5mm、最小クリアランスが1mmであることがわかりました。これにより、1つのトラックだけで合計で約7mmの幅になります。PCBにこれらの高電流搬送トラックをいくつか必要としていますが、これらのトラックは余裕を持ってスペースを消費します。 私はPCBの上面に銅線をはんだ付けすることを考えています。これは底面の細い象徴的なトラックに平行になります。しかし、この問題を克服するより専門的な方法があるかどうかを知りたいです。

27 power  pcb  current  heat  high-current 

PCBに大電流を流す必要があります（最大30アンペアを維持）ので、銅の厚さが厚いPCBを注文する可能性があります。これまでのところ、設計で使用したのは35ミクロン（1オンス）だけなので、「厚さ」とは70（2オンス）または105（3オンス）を意味します。 銅の厚さで注意すべき点はわかりません。どんな経験でもありがたいです。これは非常に広範なトピックなので、具体的な質問をします。 多くの製造会社にとって、105ミクロンはその高さと同じように見えます。それは正しいですか、それともより厚いことが可能ですか？ 内側の層の銅は、ボードの上下の銅と同じ厚さにできますか？ 複数のボード層に電流を流している場合、層全体にできるだけ均等に電流を分配することが必要ですか、それとも可能ですか？ トレース幅に関するIPCルールについて：現実に耐えられるか？30アンペアおよび10度の温度上昇で、グラフを正しく読み取っている場合、最上層または最下層に約11mmのトレース幅が必要です。 高電流トレースの複数の層を接続する場合、電流源の近くにビアのアレイまたはグリッドを配置するか、高電流トレース全体にビアを配置することをお勧めしますか？

27 pcb  current  pcb-fabrication  high-current 

地下室全体を機械で制御しているヒューズボックスにリレーを取り付けたい。 リレーにはそれぞれ2Aの制限があり、32個のリレーがあります。それらをすべて同じ回線に使用し、リレーの制限を64Aと想定できますか？ これを行うリスクはありますか？

23 relay  high-current 

これは理論的な質問であることに注意してください-表示できる回路図はありません。いくつかの回路図を示しますが、これは実際の回路を非常に単純化したバージョンであり、説明のみを目的としています。 （電源から）メイン電圧を入力として受け取り、特定の電圧（たとえば1.8V）を出力する電圧コンバーターがあるとします。次のようになります。 この回路のシミュレーション – CircuitLabを使用して作成された回路図 回路をPSに接続すると、電流が過剰に流れていることに気付きます（PSはそれを示しています）。 私の回路には複数の電圧コンバータがあります（ここでは示していません）ので、各コンバータの各出力とグランド間の抵抗をチェックします。1.8Vからグランドまでの抵抗はほぼ0オームです。これで、フォールトが電圧コンバータまたはその1.8Vから電力を引き出す他のコンポーネントの1つ（または複数）にあることがわかります。 画像に示されている抵抗器のはんだを外して、コンバーターを他のコンポーネントから切断し、コンバーターが正常であることを確認しますが、これらすべてのコンポーネントに接続されたポイントからの抵抗をチェックすると、まだ0オームが表示されます。 私の質問は-疑わしいコンポーネントをそれぞれはんだ付けせずに、どのコンポーネントが障害のあるコンポーネントであるかをどのように確認しますか？画像でわかるように、1.8V電源は抵抗器/ビーズなしでコンポーネントに直接接続されています。 この質問のために、必要な機器にアクセスできると仮定します（どんなに高価でも）。機器の可用性のためにソリューションが制限されることは望ましくありません。 ありがとうございました！

22 current  high-current 

それぞれ240Aの16 + 16 MOSfet（実際にはソース端子のために80-90Aに制限されているケースですが、それぞれに非常に太い銅線でこの端子を2倍にした）でいくつかの構成を試しました。非常に対称的な配置、トランジスタ位置に16個のMOSFET、同期整流器構成に16個のMOSFETがありますが、それらはまだいくつかの点で故障しているようで、故障を回避する方法がわかりません。 これらはすべてドライバーとしてIR21094Sで攻撃され、各2つのトランジスターはMOSFETトーテムポールTC4422ドライバーによって駆動されました。モーターは10kW DC複合モーターで、公称200Aで、おそらく起動時に1600Aを消費します。インダクタンスは50uHで、パルスでの上昇電流速度は50Vで= 1 A / µsです。選択した周波数は1kHz、同期整流構成のPWM降圧 回路が慎重に作られ、4つのモジュールが対称的に供給され、モーターまで独立した出力導体があり、独立したスナバーがあり、モータースナバーがあり、トランジスタがまだ故障している理由がわかりません。回路は正常に動作しているように見えますが、しばらくすると、通常は加速時に数十分（温度は通常、約45 C）になり、通常は同期ダイオードが故障し、その後にすべてのトランジスタが続きます 私は最初に小さなMOSFETを並列に使用してMOSfetの電流を検出しようとしました（ドレイン-ドレイン、ゲート/ゲートからツェナー、小さなmosのソースを22オームの抵抗器に、その後電圧増幅器に接続して高速シャットダウン保護回路をアクティブにします） 、しかし、より速い転流時間のために、小さなMOSFETは常にメイントランジスタの前に入り、保護回路を乱し、それを使用できなくしました... ショットスルーはありません。ドライバーを介して2usのギャップを使用しましたが、寄生インダクタンスの不均衡のみが疑われます。どのくらいのMOSFETを正常に並列接続し、どのような条件で使用しましたか？ 8つの電源モジュールの1つ すべての電源モジュール ドライバーの一部 アセンブリの半分 すべてのスタック、コンデンサなし 出力信号 立ち下がりエッジ、出力イエロー、48V電源ブルー電源は、散発的に分布した100uFおよび100nFセラミックコンデンサによってのみ維持され、初期テストの誤操作によるMOSFETの焼損を防止します。 立ち上がりエッジ; オーバーシュートが非常に小さく、わずか5ボルトであることがわかります。トランジスタは75V定格です

16 mosfet  parallel  high-current 

私はウルトラキャパシター放電からの大電流で実験しています。 たとえば、500 A（2.8 V）の場合、コンパスの針または鉄片を使用して、まっすぐな導体の磁場の非常に印象的なデモンストレーションを取得します（http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0143-0807と比較してください）/ 31/1 / L03 / pdf）。 別の例として、トムソンリングの実験http://www.rose-hulman.edu/~moloney/Ph425/0143-0807_33_6_1625JumpingRing.pdfがあります。この場合、非常に短い時間で最大9000 Aを取得できます。 使用されるすべての電圧が60 V未満であると仮定します。この場合の安全性について何を考慮する必要がありますか？ ここに私が思うものがあります： 電圧が低すぎるため、人体を流れる電流による危険はありません。 接触に問題がある場合、火花や稲妻の危険があります。 これは紫外線のために危険な場合があります 火花が直接目に当たるため また、吸うかもしれない気化を考える熱問題があるかもしれません コンデンサの放電は、たとえばペースメーカーに影響を与える可能性のあるEMPを生成します これに関して考えられるすべての危険に言及したかどうかはわかりません。私の質問は： どの条件（最小電流、放電時間...）でどの危険が関連するか 安全にするためにすべきこと

13 safety  high-current 

私はいくつかの電流測定ICを探していてACS712を見つけましたが、トレース幅計算機は私がほぼ1インチの厚さのトレースが必要だと言うので、一見小さなピンが20 Aの電流をどのように処理できるかわかりません同じ電流を処理します。

12 pcb-design  surface-mount  high-current 

この問題に対する答えをすべての投稿で検索しました。この図に示すように、モーターコントローラー回路を構築しました。 図をできるだけ正確に作成しました。MOSFETのダイオードがデータシートのシンボルのように見えるように、MOSFETのダイオードが追加されました。 ご覧のとおり、Arduino UNOボードを使用した非常にシンプルなPWM回路です。ポテンショメータのフットペダルがアナログ入力の1つに取り付けられており、デジタル出力ピン6のpwm出力のデューティサイクルを決定するために使用されます。 モーターはmotenergyが作るこのタイプの最小の48vモーターですが、これは私がこのように見た他の回路に比べて非常に大きなモーターです。起動時に簡単に約200アンペアを引き出すことができます。 回路は一種の働きをします-車輪が地面に触れないように車両を持ち上げるとき。その状態では、モーターは非常に簡単に回転し、それほど多くの電流を流しません。車輪が地面にあるとき、ペダルを踏み始めた瞬間にMOSFETが爆発します。私はこの回路を約4回作成しました。1つのバージョンで18個のMOSFETを並行して使用したところ、18個すべてが即座に爆発しました。（200/18 =約7アンペア/ mosfet）各mosfetは32アンペアを処理する必要があります。 私たちはついにalltraxからモーターコントローラーを購入しましたが、車両は正常に動作しますが、自分のモーターコントローラーが動作しなかった理由を突き止めたいと思います。私はエレクトロニクスが大好きで、長年にわたって多くの難しい回路を作りました。自分が何を間違っているのかを知るまで、私はよく眠れません。 私はAlltraxの技術者と話をしましたが、彼のコントローラーはMOSFETとコンデンサーの束にすぎないと言いました。彼は、コンデンサがMOSFETの爆発を防いだと言ったが、どのようにそれらが回路に配線されているのかわからなかった。彼は私の不足している情報の一部を持っていると思います。 だから、誰が私が間違っているのか教えてもらえますか？これを修正するには、どのようにコンデンサを追加すればよいですか？周波数でしょうか？Arduinoのタイマーを変更して、PWM周波数が約8000ヘルツになるようにしましたが、Alltraxコントローラーは驚異的な18,000ヘルツで動作します。モーターコントローラーが進むにつれて18kが小さいことはわかっていますが、巨大なモーターにはより小さな周波数が必要だと思いました。 また、MOSFETにわずかな違いがあるため、MOSFETを並列に配線できないと言う前に、正確に7インチの18ゲージワイヤを使用して各コネクタを並列に接続しました。小さなワイヤは小さな抵抗として機能し、それぞれが電流負荷を共有するようにします。 返信ありがとうございます。

12 mosfet  pwm  dc-motor  high-current  high-power 

標準の12vネガティブシャーシセットアップを使用して、センサーを自動車プラットフォームに統合する作業を行っています。私は、「グラウンドシフト」として知られている、やや神話的な現象を理解しようとしています。私はこれを説明できませんでしたが、私の直感はこれが合理的であることを示唆しています。 「説明」された方法は次のとおりです。車両上の2つの接地基準点は、隣接するコンポーネントまたは共通の接地「スタッド「。 たとえば、ABSが作動し、かなりの量の電流（場合によっては数百アンペア）が特定の接地スタッドに流れ込むと、接地点が不安定な基準になります。このスタッドに取り付けられた他のコンポーネントでは、入力ピンで電圧が変動する場合があります。 私の質問はこれです。この現象は本当に存在するものなのでしょうか？ 存在する場合、どのように特徴付けることができ、どこでもっと学ぶことができますか？ここでの基本的な電気的原理は何ですか？代表的なモデル回路に縮小できますか？どんな経験でも大歓迎です。

11 power  ground  automotive  grounding  high-current 

私は現在、容量性放電スポット溶接機を設計しており、スイッチングの問題に直面しています。 いくつかのスーパーコンデンサを直列に使用して、非常に短い時間（おそらく100ミリ秒未満）で約1000Aを放電することを計画しています。コンデンサを10V程度に充電する予定です。 したがって、私は本質的に、非常に高い電流の短いパルスを送出できるデバイスが必要です。コンデンサの全電荷を一度にダンプしたくないので、SCRは私の問題の解決策ではありません。私はMOSFETを見てきましたが、これは私の目を引きます：http : //www.mouser.com/ds/2/205/DS100728A(IXTN660N04T4)-1022876.pdf ただし、データシートを正確に解釈する方法がわかりません。MOSFETは1800Aをパルスドドレイン電流状態として駆動できますか？それとも660A（または220A）に制限されており、これらのいくつかを並列に配線する必要がありますか？または、これらのMOSFETの1つで問題ないでしょうか？私の予備的な計算によると、他の抵抗なしでコンデンサに直接接続された単一のMOSFETは約900Wを消費しますが、これはデータシートの範囲内にあるようです。 本質的に、私はデータシートを正しく解釈していますか、またはこれらのMOSFETのいくつかを注文する必要がありますか？

9 mosfet  high-current  supercapacitor  high-power 

2つのハイサイドスイッチのPCBレイアウトに取り組んでいます。現在のレイアウトの写真を下に示します。 将来のPCBの銅重量はおそらく2 oz /ft²（両面）になるでしょう。2つのpチャネルMOSFET（IPB180P04P4）を使用しています。右側のMOSFETには10アンペア（最小フットプリント、Pd約0.2 Wに非常に近い値を選択）と、MOSFETには15アンペア（U2、30アンペアのピーク、Pd約0.45 W、最大1.8 W）を期待しています。左側（U1、銅の8cm²）。 IC1は電流センサーです。 端子台（U15、U16）は次のタイプです：DigikeyのWM4670-ND。 このタイプのPCBにこれだけの電流を流すには、オンラインの計算機の1つから、20 mmのトレースが必要だと言われました。スペースを節約するために、この大きなトレースを2つのトレース（1つは上部、もう1つは下部）に分割することにしました。両方のトレースをビアのパターン（2x2mm²のグリッドでドリルサイズ0.5 mm）に接続します。私はこの種のレイアウトの経験がないので、他のボードを調べて、私には公平に思える寸法を選びました。これはパターン経由ですか？ MOSFETの下では、同じ種類のパターンを使用しますが、0.3 mmの小さなドリルサイズで熱接合を行います。このサイズではんだの流動性は良くなりますか？これまでのところ、どのビアも充填されていません... また、これらのトレースにはんだマスクがないことも考えています。これは、銅にはんだを塗布することです。 MOSFETのパッドも気になります。私はそれらを銅で覆わないことにしました。デバイスはこの方法で自己中心化できると思いましたが、おそらく抵抗が増える可能性があります... レイアウトコメントもお気軽にどうぞ！ ありがとうございました ！ 編集1 デザインを少し改良しました。MOSFETのサーマルパッドの下にビアを追加しました。MOSFETの下にむき出しの銅があります（将来的にヒートシンクを追加する場合）。 コメントしてください！前もって感謝します ！ 編集2 このデザインの新しいアップデート。MOSFETのリード周辺の銅エリアを増やしました。これにより、これらのトレースの抵抗が減少します。 最上層と最下層の間にビアを追加して、これらの層の電流分布を改善しました。 放熱を改善するためにデバイスの下にビアを接続できるかどうかをメーカーに尋ねました。彼はそれが間違いないと言った。 他には何も変えないと思います。それは私の推測のようなものだったので、誰もコメントがない場合はそれを試してみるかもしれません。

9 pcb  mosfet  layout  high-current  power-dissipation 

70A @ 14Vを処理できるはずの回路（MOSFET HBRIDGE）を設計しました。ボードが発送されたので、適切にテストする方法について考えています。 現在私がテストしなければならない最も論理的な方法は、一連の電源抵抗器を取り、それをSLA 12Vバッテリーに接続することです。 15Aから始めて、35Aから50A、またはその程度の何かを始めます。FETとトレースの両方の温度を監視しました。 他の提案はいただければ幸いです。

8 pcb  high-current  trace  testing