MOSFETで大電流（1000A）を制御

私は現在、容量性放電スポット溶接機を設計しており、スイッチングの問題に直面しています。

いくつかのスーパーコンデンサを直列に使用して、非常に短い時間（おそらく100ミリ秒未満）で約1000Aを放電することを計画しています。コンデンサを10V程度に充電する予定です。

したがって、私は本質的に、非常に高い電流の短いパルスを送出できるデバイスが必要です。コンデンサの全電荷を一度にダンプしたくないので、SCRは私の問題の解決策ではありません。私はMOSFETを見てきましたが、これは私の目を引きます：http : //www.mouser.com/ds/2/205/DS100728A(IXTN660N04T4)-1022876.pdf

ただし、データシートを正確に解釈する方法がわかりません。MOSFETは1800Aをパルスドドレイン電流状態として駆動できますか？それとも660A（または220A）に制限されており、これらのいくつかを並列に配線する必要がありますか？または、これらのMOSFETの1つで問題ないでしょうか？私の予備的な計算によると、他の抵抗なしでコンデンサに直接接続された単一のMOSFETは約900Wを消費しますが、これはデータシートの範囲内にあるようです。

本質的に、私はデータシートを正しく解釈していますか、またはこれらのMOSFETのいくつかを注文する必要がありますか？

4ページ、図12、安全動作領域のグラフを参照してください。それがまさにあなたが必要とするものです。

シングルパルスについて話していますよね？繰り返しやタイミングについてはまったく触れていません。あなたがmosfetを一気に開いた場合、Rdsonは0.85mOhmsであると言います。1000Aの場合、Vdsは1V未満になるため、グラフの左側を確認する必要があります。
100msパルスのラインがないため、DCパルスと10msパルスの間を補間する必要があります。安全電流は1000Aよりはるかに低いです。400Aみたいです。そしてそれは最大です。

それは、オン/オフ比、生成される熱量に依存します。これらのトランジスタブロックには、熱伝達という1つの制限があります。冷却時の性能はそれほど良くありません。もう1つの欠点はゲート容量が大きいことです。そのため、並列に接続する場合は、非常に高価で強力なゲートドライバーがさらに必要になります。

IMO一連のD2Pakトランジスタを並列に使用すると、より良い回路を実現できます。D2Pakはより多くの電流を処理できますが、複雑なPCBが必要になります。

スーパーコンデンサーについてもう少し心配する必要があります。村田製作所の「高電流」モデルには、最大10Aの定格があります。他のスーパーコンデンサの定格はミリアンペアの範囲です。

このトランジスタが機能しないことを確認できます：http : //www.eevblog.com/forum/projects/guesses-on-what-i-am-attempting-here/msg1236519/#msg1236519

この部品は、ボンドワイヤの電流処理能力-200Aによって制限されます。