タグ付けされた質問 「phototransistor」

これは、光オーディオトランスミッターに関する私のプロジェクトに関する質問です。 携帯電話の音声出力に応じて、レーザービーム（安価な650nm、5mWダイオード）の強度を変調するために音声信号変換器（EI14）を使用する非常に単純なデバイスを配線しました。その後、レーザーは、私のラップトップのマイクソケットに配線されたフォトレジスタ（G5528 A205）で受信されます。この設定で、2つのデバイス間で音声を送信できます。 次に、セットアップをアップグレードし、光の強度の変化に対する応答時間を改善するために、フォト抵抗器をフォトトランジスタに置き換えました（20msではなく12us）。 品質が大幅に向上しました。まだ素晴らしいとは言えず、改善すべき点がたくさんあるので、私は期待していませんでした。しかし、このセットアップには特に不可解な特性が1つあります。音声は正常に送信されますが、音声は処理できません。ひどく送信するわけではなく、まったく送信しないということです。で、この記録、音声がキャプチャさが、周りの50代の後、フルスイングであるべきボーカルがただではありません。本当に注意深く耳を傾け、何に注目すべきかを知っている場合、元のボーカルのわずかな残骸があります。 音楽にitれていると思い、代わりに音声メッセージを録音して送信してみました。同じ結果-受信機は何も見えず、受信した振幅スケッチはけいれんさえしません。オーディオブックの録音と同じです。 このような音楽と音声の不一致がどのように発生するかについてのアイデアはありますか？

22 audio  transmitter  laser  phototransistor  laser-diode 

フォトダイオード/フォトトランジスタまたは同様の半導体の前に、それらに当たる光の量（または存在/不在）に基づいて機械を起動または停止するために使用できる技術がありましたか？

18 sensor  photodiode  phototransistor  history 

エアソフトクロノグラフ/クロノメーター（エアソフトの弾丸の速度を測定するデバイス）を作成しようとしています。アイデアは、弾丸がポイントAからポイントBに移動する時間を測定し、弾丸の速度を計算することです。 弾丸は直径32mmのプラスチックパイプに撃ち込まれます。チューブの始点と終点の両方に、一方のIR LEDと他方のフォトトランジスタ（BPW 40）を配置しようとしました。このようなもの： 青い丸はフォトトランジスタ、赤い丸はIR LED、白い丸はエアガン弾丸です。 弾丸が弾丸2が描かれた領域（IR LEDとフォトトランジスタのちょうど中間）を通過すると、すべてが完全に機能します。ただし、箇条書き1と3が描かれた場所で箇条書きが通過する場合、検出されません。それは予想されることですが、望ましくない動作です。 私の質問は次のとおりです。弾丸の位置に関係なく弾丸を検出するにはどうすればよいですか。次のように、IR LEDとフォトトランジスタを（1か所だけでなく）パイプの周りに配置することを考えました。 しかし、このソリューションは最も安価ではありません。5つのIR LED + 5 BPW 40 = cca $ 12倍2（パイプの両側に必要なため）= 24ドル。より安価なソリューションはありますか？BPW 40はフォトトランジスタに適していますか？私がどのIR LEDを使用しているかわかりません（そして店のセールスマンも知りません。TVやDVDコントローラーなどのリモートコントローラー用の一般的なものだと彼は言いました）。 パイプの直径は32mmで、約14cm長くなります（センサーは10cm離れます）。airsoftの弾丸の直径は6mmです。 編集： 2番目のアイデアに進みます。もう1つ質問があります。IRエミッタとフォトトランジスタをこのように配置する方が良いでしょうか。 またはこの方法： ありがとう!!

13 sensor  infrared  phototransistor 

ベース電流のため、一般的なエミッタ回路では、エミッタ電流はコレクタ電流よりも少し高くなります。 私e= 1 + ββ私c私e=1+ββ私c I_e = \dfrac{1+\beta}{\beta} I_c フォトカプラのように、これがフォトトランジスタにとってどのようなものなのかと思っていました。ベース電流がないため、エミッタとコレクタの電流が等しくなると予想されます。しかし、フォトダイオードはゼロボルトの電流を生成できるため、光子は電子を生成できるようです。だから、あるフォトトランジスタのために？私e= 私c私e=私cI_e = I_c

12 current  phototransistor 

しかし、私はそれが完全に間違っていると思います。BJTトランジスタは、ベースがなくてもどのように機能しますか？ベースのないトランジスタは単なる半導体（PP、NN）であるべきではありませんか？ベースのない特別なNASA陸軍グレードの実験用BJTトランジスタはありますか？ では、私と教師のどちらが正しいのでしょうか。

10 bjt  semiconductors  phototransistor  base 

典型的なNPNフォトトランジスタを持っています。共通コレクター構成で機能しています。このアプリケーションノートの図2を参照してください。 Reを増やすと感度は上がりますが、速度は下がります。私はフォトトランジスタを数日間研究してきましたが、トランスインピーダンスアンプを使用すると、エミッタを再ロードする必要がなくなるため、速度を犠牲にすることなく感度を向上させることができると思います。 しかし、簡単な実装を見つけることができないようです。アプリノートの大部分はフォトダイオードについて説明しています。フォトダイオードとは異なり、フォトトランジスタにはバイアスをかける必要があり、フォトトランジスタの使用について説明するいくつかのアプリケーションノートでは、トランスインピーダンスアンプに負のバイアス電圧が存在することを前提としています。単電源オペアンプで動作するソリューションが必要です。 トランスインピーダンスアンプの非反転入力の仮想接地は、フォトトランジスタを正しくバイアスしますか？通常、仮想接地はVCCとGNDの中間ですが、そうである必要はないと思います。私のフォトトランジスタの飽和電圧は0.15Vです。VCC = 3.3Vの場合、仮想接地が約3Vになる可能性があるということですか？ この回路を設計するより良い方法はありますか？おそらく2段目のアンプがあるので、出力をGNDにできるだけ近づけたいと思います。 編集： アプリケーションの詳細。光のレベルを感知しています。低、非常に低く、オフ。周囲の光には問題がないので、この質問のフォトトランジスタの側面にはあまり重点を置かないようにします。対象の帯域幅は約1〜10 kHzです。共通コレクターはほとんど機能します。必要な帯域幅を維持しながら、Reをできる限り高く上げましたが、Reを約2倍大きくして、信号が遅くなりすぎてしまいます。

9 operational-amplifier  phototransistor 

Digikeyは、いくつかの出力タイプの光アイソレータをリストします。 ダーリントン ベース付きダーリントン フォトFET 太陽光発電 太陽光発電、線形化 トランジスター トランジスタ、ベース付き これらの違いは何ですか？どのような状況で使用しますか？

9 opto-isolator  phototransistor  specifications 

プロジェクトにPIC12F675を使用していますが、1つの点を除いてすべて正常に動作します。GP4はデジタルIOとして機能しません。設定とコードをよく見てきましたが、何も見つかりませんでした。 構成： #pragma config FOSC = INTRCCLK #pragma config WDTE = OFF #pragma config PWRTE = OFF #pragma config MCLRE = OFF #pragma config BOREN = ON #pragma config CP = OFF #pragma config CPD = OFF コード： #include <xc.h> #include <math.h> #include "config.h" #define _XTAL_FREQ 4000000 void delay(unsigned int …

9 pic  c  embedded  programming  audio  oscillator  spark  dc-dc-converter  boost  charge-pump  eagle  analog  battery-charging  failure  humidity  hard-drive  power-supply  battery-charging  charger  solar-energy  solar-charge-controller  pcb  eagle  arduino  voltage  power-supply  usb  charger  power-delivery  resistors  led-strip  series  usb  bootloader  transceiver  digital-logic  integrated-circuit  ram  transistors  led  raspberry-pi  driver  altium  usb  transceiver  piezoelectricity  adc  psoc  arduino  analog  pwm  raspberry-pi  converter  transformer  switch-mode-power-supply  power-electronics  dc-dc-converter  phase-shift  analog  comparator  phototransistor  safety  grounding  current  circuit-protection  rcd  batteries  current  battery-operated  power-consumption  power-electronics  bridge-rectifier  full-bridge  ethernet  resistance  mosfet  ltspice  mosfet-driver  ftdi  synchronous  fifo  microcontroller  avr  atmega  atmega328p  verilog  error  modelsim  power-supply  solar-cell  usb-pd  i2c  uart 

速度測定装置を設計していて、30のフォトトランジスタを2列直列に使用したいと考えています。 ストリングは15mm離れており、個別のコリメート光源によって照明されます。各ストリングの出力は、ストリング内の1つ以上のフォトトランジスターがブロックされている場合、負のパルスになります。この出力はコンパレータに送られ、次にプロセッサに送られます。 さまざまなPDがブロックされていると、遷移の速度が遅く変化するという問題があります。これは速度測定に影響しています。立ち上がり時間は、数百マイクロ秒からミリ秒以上までさまざまです。最初のPDがブロックされるとすぐに、2つのストリングの反応時間が等しくなるように、コンパレータとプロセッサへの出力を作成できるように、各ストリングの出力にトランスインピーダンスアンプを配置することを検討しています。またはほぼ等しい。 2つのチャネルにTIデバイスOPA2380を選択しました。デザインにコメントをお願いします。うまくいけば、私が穴に落ちないようにできます。

8 measurement  photodiode  phototransistor