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トランジスタは、信号を増幅して電力を切り替えることができる半導体デバイスです。最も使用されているタイプは、バイポーラ(バイポーラジャンクショントランジスタの場合はBJT)、UJT(ユニジャンクショントランジスタ)およびMOSFET(電界効果トランジスタの場合はFET)です。

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低電力、低電圧、低速(0.1Hz)の発振器?
今日、プログラム可能なユニジャンクショントランジスタをタイマーとして使用して、非常に興味深い回路を分析する機会がありました。 電源は異なり、回路は10uA未満の電流で動作する必要があります(キャップ​​の充電は含まれません)。電源が1.8VDCを超えている限り、10〜30秒ごとにSCRをトリガーし、1.8〜7.0 VDCの範囲で動作する必要があります。 タイミングは重要ではありません。SCRをトリガーする約10〜30秒の間隔で問題ありません(短い正のパルス)。電圧が低いほど、時間間隔は長くなります。 キッカーは、低電流要件(10uA以下)、低電圧要件(1.8V)、そしていつものように低コストです(つまり、10セントのPUTを30セントのマイクロコントローラーに置き換えるのは理想的ではありません)。 安価で低電流、低電圧、低精度のタイマー設計について、他にどのようなオプションを検討すべきですか?

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なぜアクティブ領域のトランジスタのVbeが定数0.7なのですか?
単純なエミッタ接地アンプの例を取り上げます。今のところ、バイアスなどを忘れて、この回路の要点に焦点を合わせてください。私の理解では、ベースノードとエミッタノード間の電圧が変化し、最終的にトランジスタによって増幅されて、元の信号の反転(増幅バージョン)がコレクタノードに現れます。 現在、私は本を書いています。セドラ/スミス、マイクロエレクトロニクス。 私が取り組んでいる章全体を通して、アクティブ領域では、Vbeは0.7Vであると想定されています。これは私には意味がありませんが、Vbe自体がアンプ段の入力変数である場合、Vbeをどのように一定に保つことができますか?これは、残りの電圧が抵抗器の両端で低下する可能性があるエミッタ抵抗器(エミッタ縮退)を備えたCEステージを見ている場合、私には意味をなさないかもしれません。しかし、これはそうではないので、私を啓発してください! この回路のシミュレーション – CircuitLabを使用して作成された回路図

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この定電流シンクは実際にはどのように機能しますか?
私は定電流源を実装しましたが、それは素晴らしい働きをしますが、私はそれをもう少し試して理解することを望んでいました! これが問題の回路です。私はWebで検索を行ってみましたが、この回路上で実際に何が起こっているのかを説明する理論的なことを見つけるのは非常に困難です。トランジスタを流れる電流はI E = V setを使用するだけで見つけられることがわかりました見始める前に思っていた以上の R セット。しかし、今私は実際に何が起こっているのか、そして負荷での負荷/電圧が変化してもそれがどのように定電流出力のままであるかを知りたいです。私E= VセットするRセットするIE=VsetRsetI_{E}=\frac{V_{\text{set}}}{R_{\text{set}}} 誰かがこれに光を当てることができれば、私は非常に感謝しています。

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フラッシュメモリをページ/ブロック単位で書き込み/消去する必要があるのはなぜですか?
タイトルはそれをすべて言います。 トランジスタレベルでフラッシュメモリ技術の働きを理解しようとしています。かなりの調査の結果、フローティングゲートトランジスタについて、そして電子を注入したり、セルから取り除く方法について、直感を得ました。私はCS出身ですので、トンネリングやホットエレクトロン注入などの物理現象についての私の理解はおそらくかなり不安定ですが、それでも私はそれに慣れています。また、NORまたはNANDのメモリレイアウトからデータを読み取る方法についても考えました。 でも、フラッシュメモリはブロック単位でしか消去できないし、ページ単位でしか書けない、とあちこちで読んだ。しかし、私はこの制限の正当化を見つけられず、なぜそうなのかについて直感を得ようとしています。

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リソグラフィを実際に使用してトランジスタを「印刷」しますか?
私のクラスの1つで、私たちはリソグラフィーをすくい取りましたが、ほとんどは物事の光学面(回折限界、入射角を大きくするための液浸など)でした。 カバーされなかった1つの点は、光が実際にシリコンをドープし、トランジスタを作成する方法です。私は、ネット上で周りにつまずくことを試みましたが、すべての記事のいずれかである方法私の頭の上に、またはあまりにも漠然としました。 要するに、シリコンのような化合物に向けられた集束光線は、より良い用語がないために、どのようにして「印刷された」トランジスタにつながるのでしょうか?

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トランジスタカレントミラー回路
この回路のシミュレーション – CircuitLabを使用して作成された回路図 誰かがトランジスタミラー回路がどのように機能し、それを過電流検出器としてどのように使用できるかを私に説明できますか? 上記の回路について非常に明確な説明が必要です。誰でもこれを手伝ってください。

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トランジスタのホールの流れ?
バイポーラトランジスタは、電子の流れと正孔の流れの両方を持っていると言われています。電子の動きは理解できますが、正孔は原子/結晶構造の固定部分です。彼らの動きをどのように特徴付けることができますか?

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NPNトランジスタでスイッチングされる回路で、電源と入力に同じグラウンドが必要ですか?
LEDをオンにするリレーをオンにできる回路を作成しようとしています。ただし、リレーの定格は12 Vで、入力は5 Vしかないため、NPNトランジスタを使用しています。リレーの電源をオン/オフします。これが回路図です。 ただし、いくつかの点で混乱しています(12 V電源と5 V電源の両方のグラウンドが指定されていないことに注意してください)。 5 V電源がArduinoである場合、12 V電源のアースにそのアースを使用できますか? トランジスタのベースとエミッタが異なるグラウンドを持つことは問題ありませんか?または、それらは同じである必要がありますか? 12 V電源が8 AAバッテリー(持続可能ではありませんが、それをテストのために使用しているだけです)の場合、それをバッテリーのマイナス側ではなく、Arduinoと同じアースにどのように接続しますか? トランジスタに基づいて、R1とR2がどうあるべきかをどうやって理解できますか?私はいくつかのことをオンラインで読みましたが、それでも混乱しています。 私が考慮すべきではない他のことはありますか? 私はこれにまったく慣れていないので、どんな助けでも大歓迎です。

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スイッチ対アンプとして販売されている小信号バイポーラ接合トランジスタ(BJT)の違いは何ですか?
たとえば、MMBT3904およびMMBT3906 BJTはNPN / PNPスイッチングトランジスタとしてリストされ、データシートはスイッチング時間について述べていますが、BC846およびBC856 BJTはNPN / PNP汎用トランジスタとしてリストされています(スイッチング速度は推定する必要があります)遷移周波数f tを見ることで?) 明らかな(スイッチングトランジスタのf tが高い)以外に、これらの設計と製造方法に違いはありますか?1つのタイプを他のアプリケーションで一般的に使用できますか? ミラー容量、直線性、ノイズなどについてはどうですか? シリコン上のジオメトリ、またはドーパントの濃度に特定のトリックはありますか? 関連、FETの場合:スイッチとアンプのどちらとして販売されている電界効果トランジスタ(FET)の違いは何ですか?

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スイッチの選び方は?
トランジスタには4つの主要なフレーバーがあり、NPN / PNPバージョンがあります。リレー、SCR、およびTRIACもあります。 マイクロコントローラ制御のスイッチが必要な場合、どのような経験則に基づいて選択すればよいですか?特定の高性能仕様がない場合に人々が使い続けたいと思ういくつかの一般的なものはありますか? 一般的なルールを学びたいので、同じ質問の37のバリアントをググってしまうことはありません。 具体的な例として、私が現在選択しているアプリケーションには、5 mA、160 mA(50%デューティサイクルで平均80 mA)、3.1 kHzブザーを駆動し、3.3 mA MCUからの出力で8 mAまたはソースをシンクすることができます。 4 mA。

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現代のトランジスタ
Richard Dawkinsの著書The Selfish Gene(1989)で次のステートメントを見つけました。 「...人間の脳には約1億個のニューロンがあります。頭蓋骨には数百個のトランジスタしか詰め込めません。」 この声明は今日も当てはまりますか?ありがとう。


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発振回路におけるコンデンサの挙動
私は「MAKE:エレクトロニクス:発見による学習」まで進んでいますが、発振回路を作成している実験11に行き詰まりました。 この本では2.2uFのコンデンサが必要ですが、私は1000uFのコンデンサしか持っていません。私が持っている部品と同じように機能する回路を作成するのは楽しいだろうと思いました(または、少なくともそうすることが不可能である理由を理解するために)。 本で指定されている回路はこれです: R1:470K抵抗、R2:15K抵抗、R3:27K抵抗、C1:2.2uF電解コンデンサ、D1:LED、Q1:2N6027 PUT 最初に行ったのは、R1を6.7Kの抵抗に置き換えることでした。これにより、コンデンサの充電にそれほど時間がかかりません。次に、R2を26Kの抵抗器に、R3を96Kの抵抗器に置き換えて、コンデンサが電圧のピークに近づいたときにのみPUTが充電できるようにしました。 コンデンサが約5vに充電されるとLEDがオンになり、コンデンサが約5v未満に放電されるとLEDがオフになると思っていました。代わりに、コンデンサは数秒間充電され、コンデンサの電圧が約2.7vで安定している間、LEDは暗く点灯し続けます。 エレクトロニクスに関する非常に限られた知識で、私はこの振る舞いに困惑しています。コンデンサの仕組みを誤解していますか?あなたの専門知識を事前に感謝します! 更新:私はまだ抵抗値と「スタック」するLED /コンデンサの関係を正確に理解していません(スタックするということは、LEDが点灯し続け、コンデンサの電圧が約2.5vで一定になることを意味します)。もう少しテストした後、次のように見えます。 R2とR3が大きい(R2:R3比をほぼ一定に保つ)ほど、LED /キャップがスタックする可能性が高くなります R1が小さいほど、LEDキャップが動かなくなる可能性が高くなります。 たとえば、R2が15K、R3が21K、R1が66Kの場合、LED /キャップは(ゆっくりではありますが)適切に発振します。R1を46Kに変更すると、LED /キャップが「スタック」します 誰かがこの動作の説明を知っていますか? 私はマークが正しい答えを持っていると信じています(いくつかのテストに基づく)ので、それを受け入れました。R1の抵抗がR2とR3よりもはるかに小さい場合、キャップは放電よりもはるかに速く充電されるため、マルチメータに1つの電圧で「スタック」しているように見えても、すばやく発振します。 ただし、マーク(または他の誰か)がデータシートからRgに関する洞察を思いつく方法を説明していただければ幸いです

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安価なソリッドステート可変抵抗器
私がデザインで遊んでいるアナログオーディオプロジェクトがあり、約150のソリッドステート可変抵抗器が必要になります。私はこれらをマイクロコントローラーから制御して、デジタル制御のポットが機能するように計画していますが、私が見つけたものはすべて非常に高価です($ 1.00〜$ 1.50)。 私の当初の計画は、小さなコンデンサを備えたMOSFETのようなものと、ゲートに電圧を保持するための別のトランジスタを使用することでした。次に、DACといくつかのGPIOを介してそれぞれの電圧を順に更新します。しかし、私は自分のアプリケーションに適したトランジスタ(理想的な抵抗のように十分に動作するもの)を見つけていません。 何か案は? FWIW:プロジェクトはこの(廃止された)EQ設計のバリエーションです:LMC835 Digital-Controlled Graphic Equalizerを使用した設計。

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トランジスタの操作に助けが必要
ベースに電圧を印加する必要があるNPNトランジスタで動作するリレーがあります。私はarduinoを使用していますが、デジタルポートを提供すれば問題ありません。回路は次のようになります。 次に、arduinoポートをDS2406(TO92種類)に置き換えます。 これは本当に複雑になりがちでした。 2406を操作するためのライブラリは問題ありませんが、配線方法がわかりません。 両方の部品が独立して動作するようになったので、私の目標は、トランジスタのベースに電流を供給してリレーをスローすることです。 次の問題が発生しました。 DS2406は地面に近づきます。これが唯一のオプションなので、トランジスタのベースピンに直接マッピングすることはできません。 TO-92パッケージにはvccピンがないため、vccとデータピンの間にプルアップ抵抗を配置する必要があります。これにより、電源をトランジスタのコレクタに接続し、ベースをリレー電源に配線したときに、物が熱くて臭くなります。私は間違った種類の抵抗器を使用している可能性がありますが、私はここに何があるかについての強い感覚を持っていません。 私はあり DS2406オフ厳密にリレーを実行できるように、私はそれが私はそれがトランジスタを介して行きたい理由ですが多すぎるドローを持っています怖いです。 グラウンドを開閉​​するスイッチから電流を必要とするトランジスタベースに行く最も簡単な方法は何ですか?

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