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単純なエミッタ接地アンプの例を取り上げます。今のところ、バイアスなどを忘れて、この回路の要点に焦点を合わせてください。私の理解では、ベースノードとエミッタノード間の電圧が変化し、最終的にトランジスタによって増幅されて、元の信号の反転（増幅バージョン）がコレクタノードに現れます。 現在、私は本を書いています。セドラ/スミス、マイクロエレクトロニクス。 私が取り組んでいる章全体を通して、アクティブ領域では、Vbeは0.7Vであると想定されています。これは私には意味がありませんが、Vbe自体がアンプ段の入力変数である場合、Vbeをどのように一定に保つことができますか？これは、残りの電圧が抵抗器の両端で低下する可能性があるエミッタ抵抗器（エミッタ縮退）を備えたCEステージを見ている場合、私には意味をなさないかもしれません。しかし、これはそうではないので、私を啓発してください！ この回路のシミュレーション – CircuitLabを使用して作成された回路図

11 transistors  amplifier  inverting-amplifier  active-components 

データシート（AD828など）に、オペアンプがゲイン> 2で安定している（またはG> 2で動作することが推奨されているため、明らかにゲインが安定していないことが示されている）場合、Gでの反転構成におけるその安定性について何を差し引くことができますか。 = -1; G = -2またはG <<-2（他のトランスインピーダンスアンプ構成と同様）？補償されない場合、上記の3つのケースでは常に不安定ですか？

9 operational-amplifier  gain  stability  inverting-amplifier