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なぜパワーダイオードはp + n- n +構造であり、なぜp + p- n +ではないのですか?
私は、パワーダイオードと、低ドープのn型層を追加した低電力ダイオードとの違いについて学びました。 このn型層は、デバイスのブレークダウン電圧定格を改善し、高ドープ領域から注入されたキャリアの数が多いため、順方向バイアスの伝導を改善します。 このn-層を軽くドープしたp-型層に置き換えた場合、パワーダイオードも同じように機能しますか?もしそうなら、なぜn層が好ましいのでしょうか?または、そうでない場合、なぜですか?