電気工学

自動車用リレーを使用し、双方向無線AUXピンからの出力を使用してそれらをトリガーした経験があるので、無線がオフのときに無線の内部トランジターを保護するためにコイルと並列にダイオードを追加する必要があることを認識しています。 ただし、PIC MCUを使用してクリスマスプロジェクトを実行してクリスマスライトをオン/オフすることを計画していますが、自動車タイプの代わりにソリッドステートリレーを使用します。 これまでにSSリレーを使用したことがありません。Googleのいくつかの回路図をざっと見てみると、制御信号はフライバックダイオードを必要とする同じEMFの影響を受けないようです。私は正しいのですか、それともPICを破壊から救うためにまだ必要ですか？ ご協力いただきありがとうございます。

9 solid-state-relay  flyback 

いくつかの背景。さまざまなタイプの写真をプログラムするために、PicKit2でMPLABxを使用しています。現時点では16F887です。私はHi-Tech PICC Liteツールチェーンに固執しようとしていますが、いくつかのものがどのように組み立てられているかに不満が増しています。比較的高速でなければならない操作（8Mhzでの500nsの命令サイクルを考慮）は、完了するまでに最大20usかかります。それで、私はそれを処理するために自分のASMコードを挿入し始めました。 しかし、20ページのデータシートに記載されているメモリマップを理解するのが困難です。 プログラムメモリは0005hから始まります。ただし、23ページには、ポートAなどの特殊用途レジスタのファイルアドレスが表示されます。ポートAのアドレスは「05h」と表示されます。 0005hのメモリロケーションと05hにある専用レジスタを区別する方法がわかりません。専用レジスターを参照するにはどうすればよいですか？ 私は古いHC11チップに対してかなり広範なアセンブラープログラミングを行ってきましたが、これはPIC asmコーディングへの私の最初の冒険です。ここでどんな助けもいただければ幸いです。

9 pic  memory  assembly  mplab  hi-tech-compiler 

使用の違いは何ですか： ENTITY MyDemo is PORT(X: IN STD_LOGIC; F: OUT STD_LOGIC ); END MyDemo; そして ENTITY MyDemo is PORT(X: IN BIT; F: OUT BIT ); END MyDemo; STD_LOGICを介してBITを使用する場合の制限は何ですか？それらは完全に交換可能ですか？STD_LOGICを定義した場合、それをBIT_Vectorで使用して配列の要素にアクセスすることはできないことを理解しています。しかし、私は違いを見ることができないようです。

9 vhdl 

これは、PWMコントローラーとしてATtiny84aに基づくバックレギュレーターを設計する試みです。それは、4S LiPoバッテリー（12.8-16.8ボルトで）から、10-14V入力を受け入れるサーボモーターを駆動するために使用される、適切に調整された12V出力に移行する必要があります。特に定格12Vのトルクが欲しいので、4S LiPoは少し高すぎ、3S LiPoは少し低すぎます。この設計は、40アンペアのワーストケースを提供することを目的としています（モーターの大部分が停止します）。 10-15Aの範囲を離れるとすぐに、すべてのDC DCコンバーターは工業用に設計されており、ケースが重いため、非常に高価であり、24V入力を必要とするか、または他のそのような不一致があるため、これらの1つを購入することはできません。私の現在の要件で。 アイデアは、AVRに組み込まれたアナログコンパレータを使用して、ターゲット電圧の過/過を検出し、不足が検出されたときに一定の持続時間のパルスを生成することです。 これをブレッドボード上に構築し、高出力パスのコンポーネントリードにはんだ付けされた20ゲージのワイヤーを使用します。 レイアウトを行うときに、「スイッチングノード」とフィードバックパスをできるだけ短くすることを知っています。また、使用されていないすべてのブレッドボードトレースを接地して、貧しい人の接地面を作りました。 私は、飽和電流が私の最大出力電流と一致するチョークと、飽和電流が私の最大出力よりも高いバックインダクタを選択してみました。 94 uFと3.3 uHのコーナー周波数は約9 kHzであり、AVRはそれよりもはるかに高速で動作すると思います。不足電圧が検出されるたびに5 usのパルスが発生したと考えています。その後、再び戻って不足電圧を探します。これにより、200 kHzの最大周波数（100％に近いデューティサイクル）が得られます。 そして、これが回路図です：https : //watte.net/switch-converter.png

9 schematics  switch-mode-power-supply  buck 

トランジスタがダイオードとして接続されている（ゲートがドレインに接続されている）多くの回路に直面しました。これらの回路のいくつかは安全上の理由でそのようなトランジスタを採用していることを知っていますが、他の理由を理解することができませんでした。 私の質問：私が述べたもの以外のダイオードとしてトランジスタを接続する背後に何か理由はありますか？私の同僚の何人かは、それらを使用して高抵抗を実現できると示唆していますが、このような構成（）でトランジスタを接続すると、トランジスタが線形領域ではなく飽和領域で動作するようになります。私は正しいですか？Vg= VdVg=VdV_{g} = V_{d}

9 transistors  diodes 

たとえば、伝送ラインの影響を回避するために、デジタル信号のエッジの立ち上がり時間を制限したいとします。 立ち上がり時間が5nsであることを認識して、信号の高調波の最大周波数を決定するにはどうすればよいですか？ レシーバーチップのホールドタイムがたとえば10nsであることを知っているローパスフィルターのコーナー周波数を決定するにはどうすればよいですか？ ウィキペディアで式を見つけました B W= 0.34tR I S EBW=0.34trise BW=\frac{0.34}{t_{rise}} この場合に適用されますか？ 編集する はっきりさせられなかったので、自分の考えを説明しようと思います。 たとえば、30 HMzの信号があり、トレース長が波長の1/10をはるかに下回っています。ですから私はそれに関して送電線の影響を扱う必要はありません。しかし、私のエッジは急です-5ns。これにより、信号に高周波成分が追加され、伝送線路の影響を受ける可能性があります。 私の考えでは、伝送ラインの現象に対処する必要がないところまで、エッジ遷移を遅くしています。問題は2つあります。 与えられたトレース長で回路を「集中」として扱うことができる最速の立ち上がり/立ち下がり時間をどのように計算しますか？ 立ち上がり/立ち下がり時間を遅くするにはどうすればよいですか？ 立ち上がり/立ち下がり時間は、電圧が最大値の10％から90％に変化する時間です。FR4ボード上の信号のおおよその速度を計算する方法を知っています。

9 transmission-line  bandwidth  rise-time 

私は、厚さ5 mmのガラステーブルでタッチ検出を行う必要があるプロジェクトを調査しています。 適切なパターンのPCBと、ガラスの片側にあるmTouch / QTouch / capSenseマイクロコントローラーを使用して、PCB間にギャップがある場合、ガラスの反対側のタッチを検出できると期待できますか？そしてガラス？PCBのガラスに近い側にSMD LEDを配置することを考えています。ギャップを埋めるアイデアも大歓迎です。 私はこれについていくつかの調査を行い、ギャップレスセンサーがガラスを介して機能するようにした人々がいることを確認しましたが、これがギャップでどのように機能するかはわかりません。

9 capsense 

TLC5945 LEDドライバを使用しています。マイクロコントローラー（私はLPC1343を使用しています）は、その内部PWMタイマー/カウンターにクロックを提供する必要があります。最大許容クロック速度は30MHzと指定されています。 TLC5945をデイジーチェーン接続したボードをいくつか用意します。ボードは、ボード間コネクターまたは短いリボンケーブルを介して接続されます。1つのボードの幅は10cmです。最大4つを直列に接続します。 たぶん、私はフル30MHzを使用しないでしょうが、それでも正しく実行したいのですが、クロック信号をルーティング/調整してそのままにするにはどうすればよいですか？ すべてのボードの出力に74HC245のようなバッファを追加すると、すべてのバッファの後に10nsの遅延が発生します。それは望ましくありません。専用の「ゼロ遅延」クロックバッファーを使用する必要がありますか？どのような終了方法を採用する必要がありますか？

9 microcontroller  spi  clock 

同じAVR PCINT割り込みを引き起こす2つのピンがある場合（たとえば、PCINT0またはPCINT1ピンによって引き起こされるPCINT0 ベクトル -ベクトルとピンの名前の重複が混乱していると思います）、どのピンを決定する唯一の方法だと思いますか？ （s）割り込みが原因で、各割り込みの後に状態が記録され、PCMSKnで有効になっているすべてのピンの以前の値と現在の値が比較されますか？

9 avr  interrupts  atmel 

まず、ゲームに不慣れな方のために、これがゲームの仕組みです。 ゲームの目標は、すべてのライトをオフにすることです。これにより、「ライトアウト」と呼ばれ、ボタン/ライトを押すたびに、その状態と、隣接する北/南/東/西の隣接セルが反転します。 。 今、私が考えることができるのは、SRフリップフロップ、またはJKフリップフロップを使用することです。これは、ストレージ要素（初期状態と次の状態）として機能するためです。しかし、実際にそれらを実装する方法を考えることができないようです。 別のアイデアは、ボタンの各セットとそれに隣接する（NSEW）ボタン/ライトが次のように独自の真理値表を持つことです： しかし、入力変数を出力変数と同じにすることは可能ですか？これを行う他の方法はありますか？

9 digital-logic 

電力とグラウンドを提供する「バス」（たとえば、PWM出力の配列）がある場合は常に、グラウンド接続がエッジの最も近くに配置されるという設計上の経験則があると言われています。 これの背後にある理由は何ですか？

9 design 

私はEEエンジニアリングの初心者であり、信号やモーター速度、パワーエレクトロニクスなどを分析できるソフトウェアを使用したいと考えています。しかし、スパイスプログラムは私にとってとても退屈で詳細に見えます。多分それは私が新しいからです。たとえば、実際に画面でオシロスコープを使用しているような気がするインタラクティブな簡単なソフトウェアはありますか？私はあなたの提案をいただければ幸いです。

9 spice  power-electronics 

私の国では、停電が蔓延しています。緩和するために、私たちは基本的に大きな鉛蓄電池からの充電をACに変換するインバーターを持っています。しかし、私が知る限り、これは純粋な正弦ACを生成しません。正弦に近いものです。 それにもかかわらず、出力電圧は220Vであるため、電源が切れているときを見つけるのは困難です。 時々、ACでラップトップを使用します。私の質問は、出力が純粋な正弦波ではないので、インバーターでラップトップを使用するとコンポーネントに影響しますか？

9 inverter 

私は電気工学を始めたばかりで、LM386に関する次のRC回路に関する質問を誰かが明確にできるかどうか疑問に思っていました。 私の質問は次の回路についてです： このような小さな値のキャップ（ピン1と5の間）をオペアンプの内部抵抗と並列に追加すると、低音がどのようにブーストされますか？ 私はデータシートを読んでいます。ゲイン制御下では、次のようになります。 追加の外部コンポーネントを内部フィードバック抵抗と並列に配置して、個々のアプリケーションのゲインと周波数応答を調整できます。たとえば、フィードバックパスを周波数整形することで、スピーカーの低音応答を補正できます。これは、ピン1から5までの直列RCで行われます（内部15kΩ抵抗と並列）。6 dBの効果的な低音ブーストの場合：R。15kΩ、良好な安定動作の最小値は、ピン8が開いている場合、R = 10kΩです。 しかし、私はそれがどのように機能するのか理解していません、私はキャップが大きいほど容量性抵抗が小さいことを知っている限り、図のように小さなキャップ（0.033 µf）は低音周波数に対してより抵抗力がないのではないでしょうか？私はここで何かを誤解していることを知っています。 すべての助けに感謝します。

9 audio  lm386 

私はSMDはんだ付けが初めてで、リフローオーブンを使用して2、3枚のボードを組み立てようとしました。私はステンシル（カプトン-マイラー）を使用していますが、これまでのところ、LQFP48デバイス（ピッチ0.5mm）を除いて問題なく動作しました。この場合、ピンはブリッジされています（ペーストが多すぎると、ピン間に短絡が生じます）。問題は、パッドへのペーストが多すぎると思いますが、ステンシルの1つのパスだけを使用しています。 これを実行してこの問題を回避する方法はありますか？はんだペースト層のICパッド領域を減らす必要がありますか？

9 soldering  surface-mount  pcb-assembly  solder-paste