このLM386回路はどのように低音をブーストしますか？

私は電気工学を始めたばかりで、LM386に関する次のRC回路に関する質問を誰かが明確にできるかどうか疑問に思っていました。

私の質問は次の回路についてです：

このような小さな値のキャップ（ピン1と5の間）をオペアンプの内部抵抗と並列に追加すると、低音がどのようにブーストされますか？

私はデータシートを読んでいます。ゲイン制御下では、次のようになります。

追加の外部コンポーネントを内部フィードバック抵抗と並列に配置して、個々のアプリケーションのゲインと周波数応答を調整できます。たとえば、フィードバックパスを周波数整形することで、スピーカーの低音応答を補正できます。これは、ピン1から5までの直列RCで行われます（内部15kΩ抵抗と並列）。6 dBの効果的な低音ブーストの場合：R。15kΩ、良好な安定動作の最小値は、ピン8が開いている場合、R = 10kΩです。

しかし、私はそれがどのように機能するのか理解していません、私はキャップが大きいほど容量性抵抗が小さいことを知っている限り、図のように小さなキャップ（0.033 µf）は低音周波数に対してより抵抗力がないのではないでしょうか？私はここで何かを誤解していることを知っています。

すべての助けに感謝します。

このように考えると、低周波数では、外部直列RCネットワークは実質的に開回路であり、アンプはネットワークが存在しないかのように動作します。

高周波では、RCネットワークは実質的にちょうど10kの抵抗です。

データシートの同等の回路図を見ると、この10kの抵抗は内部の15kフィードバック抵抗と並列であることに注意してください。

したがって、15kのフィードバック抵抗の代わりに、高周波では実質的に6kの抵抗しかありません。つまり、高周波ではフィードバックが多くなり、ゲインが低下します。

実際には、というより高め、低周波数でのゲインを、RCネットワークの追加は、実際に低減し、高周波数でのゲインを。周波数応答への影響は同等です。低音周波数は高周波数よりも増幅されます。

ゲインは、内部の15Kと1.35Kの比率の2倍です（＆150オーム）。ゲインを変更しない場合、アンプは最小限のコンポーネントで20xまたは26dBのゲインを提供します。

内部の15kと並列に1と5の間のインピーダンスを減らすことにより、ゲインをカットできます。

スピーカー付きのハイパスフィルターと、10Kでゲインを7 dBカットし、100Hzで25dBに増加するハイパスネガティブフィードバックがあります。少なくともそれが、推奨値と100オームのスピーカーで得られるものです。

これは私が8オームのスピーカーで得られるものです。

これがスペックシートに示されているものです。違いに注意してください。それらは負荷を指定していません。

コンデンサは順方向経路ではなく負のフィードバック経路にあるため、LFでのリアクタンスの増加によりNFBが低下し、閉ループLFゲインが増加します。