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むしろ基本的なことですが、私は恐れていますが、いつリレーを使用し、いつトランジスタを使用しますか？リレーでは接点が磨耗しますが、なぜリレーが使用されるのですか？

68 transistors  relay 

そのため、トランジスタにはいくつかのタイプがあります。 BJT JFET MOSFET これらすべてをさまざまなフレーバー（NPN、PNP、エンハンスメントモード、デプリーションモード、HEXFETなど）と組み合わせると、さまざまなパーツが得られ、その多くは同じ仕事を達成できます。どのタイプがどのアプリケーションに最適ですか？トランジスタは、アンプ、デジタルロジックスイッチ、可変抵抗器、電源スイッチ、パス分離として使用され、リストが続きます。どのタイプがどのアプリケーションに最も適しているかを知るにはどうすればよいですか？あるものが他のものよりも理想的に適している場合があると確信しています。私はここにある程度の主観性/重複があることを認めますが、リストされた各トランジスタタイプ（および私が中断したもの）がどのアプリケーションのカテゴリーに最も適しているかについて一般的なコンセンサスがあることは確かですか？例えば、 PS-これがWikiである必要がある場合、誰かがそれを私のために変換したいならそれは問題ありません

61 mosfet  bjt  transistors 

最近、私は自分の車の電気回路でいくつかの仕事をしました。車のサーキットには多くのリレーが使用されています。これらのリレーは単純なスイッチングに使用されますが、なぜこれらの回路はスイッチングに使用できるトランジスタやその他の電子部品ではなくリレーに基づいているのでしょうか。トランジスタは、スイッチング用の従来のエルメカリレーよりも安く、小さく、信頼性が高いと思いました。 注：自動車用途では、リレーのコイルに電力を供給するために12 Vの自動車用バッテリーが使用され、同じ12 Vの電力がリレーによって切り替えられます。時には、リレーは別の信号線のみを切り替えます。つまり、高電力負荷がありません。それでも、そこにはトランジスタがありません。ですから、この方法で行われているのには確かな理由があると思います。ここで何かを見逃しているに違いありません。:-)

58 transistors  relay  automotive 

私の実験では、MCU出力用のスイッチ（LEDなどのオン/オフ用）としてBJTのみを使用しました。ただし、スイッチにはNチャネルエンハンスメントモードMOSFETの方が適していると繰り返し言われています（例についてはこちらとこちらを参照してください）が、その理由がわかりません。MOSFETがゲートで電流を浪費しないことは知っていますが、BJTのベースは電力を消費しますが、バッテリーで動作していないので、これは問題ではありません。また、MOSFETはゲートと直列の抵抗を必要としませんが、一般的にプルダウン抵抗が必要なので、MCUを再起動したときにゲートがフロートしません（右？）。そのため、部品点数の削減はありません。 安価なBJTができる電流（たとえば、2N2222の場合は〜600-800mA）を切り替えることができる論理レベルのMOSFETの大きな余剰はないようです。存在するもの（たとえば、TN0702）は見つけるのが難しく、かなり高価です。 MOSFETがBJTよりも適切なのはいつですか？MOSFETを使用する必要があると言われ続けるのはなぜですか？

57 microcontroller  transistors  mosfet  bjt 

私は初心者向けのチュートリアルを見ましたが、十分な電流駆動なしで何かからLEDを駆動する方法はこれです： （オプションA） しかし、これはなぜですか： （オプションB） オプションBには、オプションAよりもいくつかの利点があるようです。 少ないコンポーネント トランジスタは飽和せず、ターンオフが速くなります ベース電流は、ベース抵抗を暖める代わりに、LEDで有効に使用されます。 オプションAの利点はほとんどないようです。 負荷を供給レールに近づけます しかし、VccがLEDの順方向電圧よりも大幅に大きい場合、これはほとんど問題になりません。それでは、これらの利点を考えると、なぜオプションAが好まれるのでしょうか？私が見落としているものは？

52 led  transistors  driver  bjt 

次の図のR2のポイントは何ですか： R1はベースへの電流を制御しますが、R2は何をしますか？

48 transistors  resistors  switches 

「飽和モード」では、BJTは単純なスイッチとして機能することを理解しています。LEDを駆動する前にこれを使用しましたが、トランジスタをどのようにしてその状態にしたかを明確に理解できません。 Vbeを特定のしきい値よりも上げると、BJTは飽和しますか？私が理解しているように、BJTは電圧制御ではなく電流制御されているため、これには疑問があります。 Ibが特定のしきい値を超えることを許可することにより、BJTは飽和状態になりますか？ある場合、このしきい値はコレクターに接続されている「負荷」に依存しますか？トランジスタのベータがIcの制限要因ではなくなるほどIbが十分に高いため、トランジスタは飽和状態になりますか？

45 transistors  bjt  saturation 

私がトランジスタで見つけることができるすべての参考文献は、すぐに理論が重いアルファベットのスープに入ります。上記は、データシートを読むための前提知識でもあるようです。私は気にしません。私はただ仕事をしたいです。 特定の電流をコレクターからエミッターに流すために、ベースに印加される電流/電圧間に何らかの関係があることを理解しています。データシートのどの数字がそれに関連していますか？トランジスタを「スイッチ」モードでのみ動作させようとしている場合、ベースにどの電流を印加するかを本当に気にする必要がありますか、またはロジックレベル出力とトランジスタベースの間に1kの抵抗器を打つだけで問題ありませんか？ NPNとPNPトランジスタの唯一の違いは、電流がベースに印加されたときに電流が流れる方法ですか？

45 transistors 

示されている回路を作成しました。私は9Vバッテリー（実際には9.53Vを捨てる）とArduinoからの5Vを使用して、9ボルトと5ボルトの両方でテストしています。トランジスタはBC 548Bです（使用しているデータシートはこちらです）。 この回路のシミュレーション – CircuitLabを使用して作成された回路図 RbとRcの値を変更していくつかのテストを行った結果、次の結果が得られましたが、実際に正しいかどうかはわかりません。 9V Ref Rb Rc Ib (μA) Ic (mA) Beta 1 160k 560 50 15.6 312 2 470k 1.2k 18 6.15 342 3 220k 1.2k 41 7.5 183 4 180k 1.2k 51 7.5 147 5V Ref Rb Rc Ib (μA) Ic (mA) Beta 1 160k …

43 transistors  bjt 

これがANDゲートの標準である理由 代わりに2つのFETと抵抗で作成できる場合

41 transistors  logic-gates  computer-architecture 

MOSFETトランジスタの動作原理を理解する時が来たと思います... 仮定; MOSFETトランジスタによって抵抗性負荷の電圧を切り替えたい。 -500V〜+ 500Vの制御信号は簡単に生成できます。 写真のトランジスタモデルは重要ではありません。他の適切なモデルでも同様です。 質問＃1 どの運転技術が実行可能ですか？つまり、これら4つの回路のうち、正しく適用された制御信号で機能するのはどれですか？ 質問＃2 抵抗をロードおよびアンロードする制御信号（CS1、CS2、CS3、CS4）の電圧レベルの範囲は？（オン状態とオフ状態の正確な境界は個別に計算する必要があることを理解しています。しかし、動作原理を理解するためのおおよその値を求めています。「回路（2） 397Vを超えるとオフになります。 "。）

40 transistors  mosfet  dc  control 

動いている膜や圧電材料は明らかに音波を生成しますが、変圧器やDCDCチョッパー（およびその他）などの「純粋な」電気回路は、しばしば可聴ノイズを持つことができますか？材料は、電流によって顕微鏡的に膨張および収縮しますか？

39 transistors  transformer  noise  sound  speakers 

理想的には、オペアンプの入力インピーダンスは無限であると言われてきました。そのため、LM741のトランジスタレベルの回路図を見ていたとき、MOSFETではなくBJTを使用していたときに混乱しました。 BJTを使用すると、入力ピンに電流が流れませんか？

39 transistors  operational-amplifier  physical-design 

単純なCPU（IntelやAMDなど）は45〜140 Wを消費し、多くのCPUは1.2 V、1.25 Vなどで動作することを知っています。 したがって、CPUが1.25 Vで動作し、TDPが80 Wであると仮定すると、64アンペア（大量のアンペア）を使用します。 CPUの回路に1 Aを超える電流が必要な理由（FinFETトランジスタを想定）ほとんどの場合、CPUはアイドリングしており、CPUにはクロックがあるため60 Aはすべて「パルス」ですが、CPUが1 Vおよび1 Aで動作できないのはなぜですか。 たとえば、小型で高速なFinFETトランジスタ：3.0 GHzで動作する14 nmは、（およそ）何アンペア必要ですか？ 電流が大きいと、トランジスタのオン/オフが速くなりますか？

37 power  transistors  current  amperage  cpu 

GaNトランジスタについて多くの研究が行われており、非常に低いオン抵抗、低いゲート電荷を持ち、高温で非常に効果的であることが証明されています。 では、なぜ私たちはまだほとんどSiトランジスタを生産しているのでしょうか？GaNトランジスタの生産がより高価であったとしても、それがICで使用されている場合、確実に補償する必要がありますか？

37 transistors  efficiency