電気工学

私が見た回路設計ソフトウェアには、PCB上のトレースなどを自動的に配線する機能があります。 しかし、なぜこのソフトウェアには、PCBにコンポーネントを自動的に配置して、ボードの合計サイズを最小化する機能がないのですか？ これは複雑すぎて自動化できませんか？

23 pcb  pcb-design  design  software  autorouter 

LEDをすばやく（マルチメガヘルツ範囲）オン/オフ変調する必要があります。それは高出力LEDです。これを行うためのよく知られた方法を見つけるのに苦労しました。単にFETで電圧を切り替えるとLEDがすぐにオンになりますが、フォールタイムに苦しみます。それを解決するために、いくつかの異なる解決策があると思います。何か案は？ ターンオフの根本的な問題は、電圧勾配をオフにした後、しばらくの間電流が流れ続けるという点で、電荷キャリアがpn接合をインダクタのように少し動作させることだと思いますが、これに関する参照を見つけました。 レーザーダイオードをはるかに高速に変調できることを知っています。 編集：この質問には多くのビューがあるので、コンテキストを追加しましょう-このアプリケーションは、飛行時間型CMOSセンサーを使用した3Dカメラでした。基本的に、あなたは光を送り出し、それはイメージされるシーンで跳ね返り、イメージセンサーは送られた光と受け取った光の間の位相差を識別することができます。高速で深い変調は、3D画像の解像度が向上し、ノイズが少なくなることを意味します。この特定のアプリケーションでは、20 MHzが目標変調速度でした。

23 led  mosfet  modulation 

PCBにペンで書き込むことができる領域を作成したいと思います。これは可能ですか？もし可能なら、どうすればいいですか？

22 pcb  manufacturing 

これは、光オーディオトランスミッターに関する私のプロジェクトに関する質問です。 携帯電話の音声出力に応じて、レーザービーム（安価な650nm、5mWダイオード）の強度を変調するために音声信号変換器（EI14）を使用する非常に単純なデバイスを配線しました。その後、レーザーは、私のラップトップのマイクソケットに配線されたフォトレジスタ（G5528 A205）で受信されます。この設定で、2つのデバイス間で音声を送信できます。 次に、セットアップをアップグレードし、光の強度の変化に対する応答時間を改善するために、フォト抵抗器をフォトトランジスタに置き換えました（20msではなく12us）。 品質が大幅に向上しました。まだ素晴らしいとは言えず、改善すべき点がたくさんあるので、私は期待していませんでした。しかし、このセットアップには特に不可解な特性が1つあります。音声は正常に送信されますが、音声は処理できません。ひどく送信するわけではなく、まったく送信しないということです。で、この記録、音声がキャプチャさが、周りの50代の後、フルスイングであるべきボーカルがただではありません。本当に注意深く耳を傾け、何に注目すべきかを知っている場合、元のボーカルのわずかな残骸があります。 音楽にitれていると思い、代わりに音声メッセージを録音して送信してみました。同じ結果-受信機は何も見えず、受信した振幅スケッチはけいれんさえしません。オーディオブックの録音と同じです。 このような音楽と音声の不一致がどのように発生するかについてのアイデアはありますか？

22 audio  transmitter  laser  phototransistor  laser-diode 

古いポータブルハードドライブの内部から充電式バッテリーパックを特定したい。 ラベルが付いていません。（青いカバーを破って開けました-内部の金属カバーにもラベルが付いていません。） バッテリーは〜55m x〜33m x〜5mmです-比較的平らです。プラグの幅は3〜4 mmです。 デバイスは+ 5V DCを必要とするので、それが充電電圧だと思います。回路の一部は3.3V DCを必要とするので、それが出力電圧だと思います。 このバッテリーはどのように指定されていますか？

22 batteries  identification 

私のDMXプロジェクト（回路図は重要ではありません）では、2本のリード線を持つこの温度ヒューズをはんだ付けしました（下図を参照）。 ヒューズが機能しない（電気が通らないことを意味する）...当然ですが、私のはんだ付けステーションの最低温度は200°C（392°F）であるため（これは350°C（662 °F）、これを忘れて）。 しかし、このコンポーネントをどのようにはんだ付けすればよいですか？

22 soldering  fuses  thermal  heat-protection 

閉じた。この質問は意見に基づいています。現在、回答を受け付けていません。 この質問を改善したいですか？この投稿を編集して事実と引用で答えられるように質問を更新してください。 去年閉鎖されました。 私は常に技術の進歩を受け入れてきました。90年代に生まれて、数年待つと、すべてがより速く、小さく、安く、そして一般的に良くなります。これは、テレビ、PC、携帯電話などの家電製品で最も顕著でした。 しかし、1つを除いて、この変更の大部分を駆動するものを知っているので、私は思い浮かびます。コンピューターと携帯電話は、主に小型で効率的なトランジスタを構築できるため、より速く、より速くなります（2年ごとにシリコン面積の単位あたり約2倍のトランジスタ数が聞こえます）。 DSLで最初にインターネットが高速化され、固定電話の銅線ツイストペアの帯域幅が最大になりました。銅線内で使用可能なスペクトルがなくなったとき、光ファイバーに目を向けましたが、まったく新しいゲームでした。 TL; DR：しかし、セルラーネットワークの高速化を可能にしているのは何ですか？私は2G、3G、そして今ではLTE携帯電話を持っていて、速度の違いは天文学的なもので、過去10年間に家庭用インターネットで見られた違いに似ています。 ただし、LTEチャネルの帯域幅は必ずしも大きいとは限りません（実際、LTEの使用量は少ないと考えています。3Gは5 MHzチャネルを使用しますが、LTEは1.4〜20 MHzの小さなチャネルを使用できます）。さらに、LTEのほうがチャネルHzあたりのbpsの点でより効率的であると何度も聞いています（ここでは「引用が必要」を追加します。 それで何ですか？スペクトルが増えましたか？より良い、より小さな電子機器？または、他の方法でこれを改善していますか？どうして？

22 communication  cellphone  efficiency  3g 

この記事では、DDR4 SDRAMの帯域幅が約8倍のDDR1 SDRAMであることを示しています。ただし、列アドレスを設定してからデータが使用可能になるまでの時間は、10％（13.5ns）しか短縮されていません。クイック検索により、最速の非同期のアクセス時間が示されます。SRAM（18歳）は7nsです。SDRAMのアクセス時間が非常に遅くなったのはなぜですか？その理由は、経済的、技術的、または基本的なものですか？

22 ram  speed  ddr  latency 

2つの導体の間に高いポテンシャルエネルギーがある場合、電気火花が形成される可能性がありますよね？私の質問は、高電流と低電圧で火花を形成することができますか？

22 charge  spark 

Arduino Nanoの PWMを使用して、約16メートルのLEDストリップの電力を制御するMOSFETを切り替える非常に単純なMOSFET LEDドライバーを作成しました。 私はSTP16NF06 MOSFETを使用しています。 私はRGB LEDを制御しているので、各色に1つずつ3つのMOSFETを使用し、16メートルのLEDストリップがすべて動作しているとき、約9.5アンペアを消費しています。 9.5 A/ 3 channels = 3.17 A maximum load each. 私の熱は私Iでなければならないので、MOSFETは、0.8Ωの完全にオン抵抗を有する2のR損失 3.17 amperes^2 * 0.08 ohms = 0.8 watts データシートによると、1ワットあたり62.5°Cの熱が発生し、最大動作温度は175°Cで、予想される周囲温度は50°C未満です 175 °C - (0.8 W * 62.5 °C/W) + 50 °C = 75 °C for margin of error 私はヒートシンクなしでこれらのMOSFETを実行していますが、赤、緑、青、白をノンストップで繰り返し、過熱しなかったプログラムで一晩中実行し続けました。この回路は1日あたり16時間以上実行できると期待しています。 LEDには12 V電源を使用し、Arduinoからの5 V制御信号を使用しているため、60 …

22 arduino  mosfet  heat  esd 

I2Cでは、SCLおよびSDAラインはプルアップ抵抗を使用し、ピンドライバーはピンをグランドに駆動できるオープンコレクターNPNデバイスであることを理解しています。これにより、同じバスを複数のスレーブと共有できるようになり、2つ以上のスレーブが誤って同時にバスをドライブしようとしてもシステムに損傷を与えないというI2Cの利点が得られます。 ただし、これは、SDAおよびSCLラインでPNPオープンドレインドライバーとプルダウン抵抗を使用して行うこともできます。これにより、クロックストレッチングやマルチマスター調停のようなことも実現できます。 I2Cプロトコルの現在の実装は、上記の提案された代替実装よりも利点がありますか？

22 microcontroller  i2c  pullup  protocol  pulldown 

シアトル近くの電柱にあるこの白い円筒形のデバイスは、送電線の90度の回転を容易にすることに気付きました。避雷針がポールを下ってサービスループのようになってから、デバイスに姿を消すようです。 何らかの方法でデバイスが避雷針の接地を容易にすることを想像しますが、それ以上の情報は見つかりません。それは簡単に発見できる逮捕計画と一致しないようです。

22 transmission-line  power-engineering 

閉じた。この質問はより集中する必要があります。現在、回答を受け付けていません。 この質問を改善したいですか？この投稿を編集するだけで1つの問題に焦点を当てるように質問を更新します。 2年前に閉店。 10ギガビットイーサネットとは、毎秒100億ビットが送信されることを意味しますが、これが物理的にどのように可能かはわかりません（100Gイーサネットはもちろんです）。今日最速のCPUは〜8GHzでしか動作しませんが、送信にCPUが必要ない場合でも、問題があるようです。 10Gでは、各ビットは100ピコ秒しか持続せず、その期間では、ゲート遅延が問題になると思います。各ビットのラインをハイまたはローに設定するほど簡単ではありません。複雑なイーサネット波形を出力するには、数百のトランジスタが必要です。 これは、受信側ではさらに問題が多いように見えます。波形を非常に高いレートでサンプリングする必要があるためです。ADCを使用すると、さらに遅延が発生します。

22 ethernet  delay  sampling  high-speed 

ソケットを使用すると、デバイスを簡単に交換でき、はんだ付け中の過熱による損傷のリスクを排除できます。[ウィキペディア] 私は個人的にこれらのICを（決して）交換することはありません。マイクロコントローラのプログラミング（趣味で）には、専用のピンヘッダーを使用します。したがって、DIPソケットを使用する唯一の理由は、過熱を防ぐためです。 今、私はチープスケート（学生）なので、これらのソケットが絶対に必要でない場合は購入したくありません。ただし、それらが必要かどうかを判断するのは難しいと感じています。 DIPパッケージの価格はそれぞれ約2.50ユーロなので、DIPソケットで保護する必要がありますか？

22 soldering  socket  dip 

不連続性は信号に無限の正弦波成分を持たせますが、三角波は連続的です。三角波は連続的であるため、有限数の正弦成分で表すことができ、また純粋な三角波の形状を与えた正弦波の複数の周波数の有限加算。 私が念頭に置いている唯一の問題は、三角波の微分係数は方形波なので連続ではなく、したがって正弦波の無限和が必要になるため、三角波のフーリエ級数の式の両側を導出する場合、有限数の正弦波の合計として示される方形波が得られます。それは間違っていませんか？

22 fourier