電気工学

でこの答え、次のように、レーザープリンタ用の突入電流がリストされます。 Inrush Current: (Duration: significantly < 1 second) Model A (120V): 23 A peak (20 deg C, from cold start) Model AB (240V): 40 A peak (20 deg C, from cold start) コメントでDan Neelyが提起した質問は、私の興味をそそり、電気理論の理解に疑問を投げかけます。高電圧モデルの場合、電流引き込みは同じか、場合によっては半分になると予想していました。この仮定は、現在の消費電流が大幅に小さかったため、通常は120Vよりも240Vサーバーをラックに配置できるデータセンターのラック構築における過去の経験に基づいていることに注意してください。 だから、私を教えてください：240Vモデルの突入電流が120Vモデルの2倍近くあるのはなぜですか？

8 power-supply  voltage 

このタイプのLCDを重量計、電卓、ゲージ、マイクロメーターなどで何度も見ました。かなり伝統的なディスプレイであることは知っていますが、TFTやスマートフォンよりもコンパクトでシンプルで、コストも安いのが気に入っています。タイプタッチディスプレイ。 [ なんていうの？@ kevlar1818および@stevenvhによる回答：「7セグメント表示」] このタイプのLCDを操作したいと思います。たとえば、DigikeyカタログからVIM-878と呼ばれるこの8桁のLCDを見つけました。こちらがデータシートです。 どうやってインターフェースするのですか？Atmega8のような単純なAVRマイクロコントローラーから、できれば物理的に大きくないインターフェース回路/部品とインターフェースするための良い/一般的な方法を教えてください。 ある種のドライバまたはマルチプレクサが必要になると思いますか？私は、このタイプのLCDとのインターフェースの経験がより良い他の人から、いくつかの最初の視点を探していると思います。

8 microcontroller  avr  lcd  interface  display 

私はPICマイクロコントローラーと電気工学の世界にまったく新しいので、気楽に行ってください:) とにかく、私はPIC 16f627をプログラムして、プッシュボタン（トリガーボタン）が押されたときに3つのLEDをオンにし、別のプッシュボタンが押されたときにシャットダウンシーケンスを開始しました（基本的に、各LEDは5秒の遅延で次々にオフになります）。押された（リセットボタン）。私はこれをVellemanのK8048 PICプログラマ/実験ボードでテストしています。ピンRA0およびRA2はそれぞれトリガーおよびリセットプッシュボタンの入力であり、ピンRB0、RB1、およびRB2はLEDの出力ピンです。 実験ボードでの作業は素晴らしいですが、これを実際の回路に移動したいと思います。問題は、どこから始めればよいかわからないことです。3つのLED（それぞれ3.3ボルト）、いくつかの押しボタン、およびワイヤを購入し、次の回路を構築しました。 （恐ろしい回路図のため申し訳ありません） 私が作成した回路では、最初にテストして、LEDが3個の1.5ボルトAAバッテリーで動作するかどうかを確認しました。 しかし、これは機能せず、私は完全に迷っています。参考までに、PICのコードを示します。そのMikroCを使用してCで書かれました。実験ボード上で動作するので問題ないと思います void main() { TRISB.RB0 = 0; TRISB.RB1 = 0; TRISB.RB2 = 0; PORTB.RB0 = 0; PORTB.RB1 = 0; PORTB.RB2 = 0; CMCON = 0x07; TRISA = 255; for(;;){ if(PORTA.RA0 == 1 && PORTB.RB0 == 1 && PORTB.RB1 == 1 && PORTB.RB2 == …

8 microcontroller  pic  embedded  c 

私は、10mm白色（3.3v）LEDと270オーム1 / 2W抵抗、および24v入力電源（24v 1A AC / DCアダプター非トランス）を使用して、5x8 LEDアレイを構築しました。 現在、抵抗器は非常に熱くなっています（温度計は56℃を示しています）。 どうすれば修正できますか？1Wバージョンの抵抗器を交換することで解決しますか？ これが回路図です： ありがとう

8 led  resistors  heat 

私は、0.1Ωまでの小さな抵抗と最大値を測定できる回路を設計しようとしています。10オームの。私は実際の抵抗を測定するのではなく、500 mまでの大きなワイヤーのコイルを測定します（ご想像のとおり、これらのワイヤーはかなり太いです）。 これが私が思いついた回路です： この回路は、被試験デバイスR2を流れる定電流を維持することによって機能します。電流が100 mAの場合、R2は10 mV〜50 mVの電圧を発生します。 理想的な世界ではこれでうまくいくと思いますが、実際にはこれが原因で0.1オームを測定するのに苦労するかもしれません-主にADCが原因です。ADCがVREFが5Vの10ビットであると仮定します。これは、ステップあたり5mVに相当します。R2 = 0.1およびIout = 100 mAの場合、ADCに存在する電圧は50 mVになりますが、これがノイズに埋もれているかどうかはわかりません。 私の質問は、ゲインをたとえば50に増やした場合です。ゲインが50の場合、ADCに存在する電圧は500 mVになりますが、測定可能な抵抗は1オームです。10オームを測定するには、電流を100 mAではなく10 mAに下げる必要があります。これを行う方法は、FETを使用してR1を切り替え、Ioutに20オームの抵抗を接続することです。 抵抗を正確に測定するための回路は必要ありません。許容誤差は+/- 10％で十分です。

8 adc  current-source 

ダイオードの最小順方向電圧があることを知っていますが、電流にも同様の特性がありますか？3Vリチウム電池がバックアップ電源として機能するように、BAT54Cのようなものをステアリングダイオードとして使用しようとしているので、私の電流は0.7uAの範囲になります。私のアプリケーションは、独立したVbat入力を持たないDS1347リアルタイムクロックICに電力を供給することです。

8 batteries  diodes 

Fairchild Semi FSGM300N電源スイッチを使用してSMPSを構築しています。FSGM300Nデータシート そのデータシートのリンクが負傷している場合は、FSGM 300Nデータシートをお試しください フェアチャイルドセミが提供する設計ツールを使用して、次の図を作成しました。しかし、EMIフィルターLin（図の​​赤い円）の値を除いて、すべてのパラメーターが指定されています。Linの値を計算する方法を知る必要があります。データシートを見ると、リファレンスデザインは30mHを使用しています。それが固定値かどうかわかりませんか？これは私の最初のSMPS設計です。 何か考えはありますか？ ありがとうございます。

8 power-supply  filter  switch-mode-power-supply  emc 

用途： 24cmの銅線でBNCコネクタに接続された真空チャンバー内に銅メッシュ（10cm x 10cmの正方形）があります。ゴールはすぐに〜0 Vに8 Vから（接地を基準）メッシュ電圧を切り替えることです。（これにより、原子物理実験の制御メカニズムであるチャンバー内の電界が切り替わります。） 切り替えが開始してから約500 ns後に、信号が10 mV未満（〜<0.1％）に落ち着くことが重要です。 メッシュは浮いています。チャンバー内で終端されていません。 問題： 反転した方形パルスの下部に「こぶ」があります。平らにする必要があります。 回路：簡単なMOSFETスイッチング回路に落ち着きました： 説明： MOSFET（ZVN2110A-ND、Nチャネルエンハンスメントモード）は、15 Vの正パルスを出力するIRS2117PBF-NDドライバによって駆動されます。このトリガーパルスのベースラインは、小さな抵抗によってV_LOに接続されているV_Sにフロートします。メッシュはポイントBに接続されています。出力ローパスフィルターは問題を修正する試みでした。すべての抵抗値は実験的に（つまり、最初にポテンショメータを使用して）決定されました。その結果は、銅張基板上で「デッドバグ」スタイルを使用してハードワイヤードされました。 プローブの詳細： メッシュをシミュレートするために、銅張りのperfボードに24 cmワイヤーをはんだ付けし、回路出力（ポイントB）に接続しました。私はTektronixプローブ（500 MHz、8.0 pF、10 Mオーム、10倍）を使用してパフォーマンスボード上の信号をTektronixスコープ（TDS3012 100 MHzデジタルスコープ）にプローブしました。 観察： 十分に速く切り替わります（ただし、フィルターを削除することでスピードアップできます）。リンギングの振幅と持続時間は許容範囲ですが、（本質的な）マイクロ秒のタイムスケールでは、大きな「こぶ」と垂下/垂下があります。 20 mV（画像では赤い線でラベル付けされています）。これは許容できないほど大きく、切り替えの瞬間から切り替え後約10マイクロ秒まで行われる実験を行うことができません。 アプリケーションの詳細： 実験では、原子共鳴を調整するために電界を使用します。原子に適用された電界をスキャンすることで、これらの共鳴の「スペクトル」を記録して、それらの位置と形状を示すことができます。これらの共振の幅と間隔は、1〜10 mV / cm（非常に小さい）のオーダーです。電界をかけるには、メッシュを2つの平らな銅片の間に1 cm離して配置します。銅メッシュピース間の電界は、メッシュピース間の電位差です（1 Vの差は1 V / cmの電界に相当し、1から1に変換されます）。スペクトルの収集では、対応する電圧に切り替えて検出前に数マイクロ秒待機することにより、電界値をサンプリングします。 サンプリング期間中に共振のサイズ（<10 mV）を超える電圧（および電界）がドリフトすると、解像度が低下し、スペクトル画像がぼやけて認識できなくなります。 追加の考え： 私はMOSFETが加熱し、それによってそのオン抵抗（通常〜4オーム）が変化する可能性を検討しました。これをテストするために、私は2つのことを試しました：（1）2つのMOSFETを並列に配置すること、および（2）ZVN2110Aをはるかに低いオン抵抗（100 mOhm）のIRF1010EZ MOSFETに置き換えること。どちらも役に立たなかったため、「こぶ」はまだ20 mVであり、数マイクロ秒続きます。（コメントで提案されているように）プルアップ抵抗を増やすことも役立つと思われるので、これを試します。 更新1： プルアップ抵抗を470オームから10キロオームに増やしてみました。出力への影響はありませんでした。最初のリンギング後も20 mVの「こぶ」があります。 更新2： 「モックアップ」ワイヤ+メッシュを回路から切断し、ポイントBを直接プローブしても、測定信号には影響しません。 …

8 voltage  mosfet 

私は、Atmel AVRのセットアップが趣味のアセンブリ言語プログラミングでいかに簡単かを気に入っています。例えば： ブレッドボードにプレーンなATmega DIPチップ{A}を置く コンピュータに接続されているUSBプログラマ{B}に 6本のピンを接続します（例）。（チップは、書き込み中と通常の動作中の両方で、この接続の一部によって給電されます）。 任意のテキストエディターを使用してアセンブリ言語プログラムを記述します。 avra {C}を使用してプログラムをアセンブルします avrdude {D}を使用してプログラムをチップに書き込みます ARMの世界は、基本的にはより高いレベル/より複雑なものですか、それとも{A} {B} {C}と{D}に相当する、同様の簡単なセットアップを可能にする同等のものを教えていただけますか？Windowsのみのものは関係ありません。 ありがとうございました。 注：単純なセットアップの動機はアセンブリプログラミングであり、コンパイラとIDEを完全に回避したいと考えています。

8 avr  arm  assembly  avrdude 

ジャイロチップを使用して角速度を測定する場合、回転の中心にあるかどうかは重要ですか？ 中央に配置する必要があるという説明はあまりありませんが、オンラインで言及されているのを目にしましたが、物理学の入門コースでは、剛体のすべての点で角速度が同じであることを学びました。ウィキペディアはこれを角速度の最後のセクションで確認しているようですが、正しく解釈しているかどうかはわかりません。 ジャイロ測定への加速項の非理想的な結合が通常あると思います-それが主な問題ですか？ 私が行方不明であることは明らかですか？

8 gyro 

適切な鉛蓄電池の充電器を持っていません...しかし、私は小さなユアサ7Ahバッテリーを所有しています。私はそれを充電するために13ボルト1.5A壁いぼを使用しています。そして、私は電圧をチェックする電圧計を持っています。 バッテリーを充電器から外す必要がある電圧を教えてください。

8 batteries  battery-charging  lead-acid 

リモコンのプロトコルについてリバースエンジニアリング作業を行ったことがあります。私はそれを自分のデザインの1つに置き換えていますが、インターフェイスを改善しましたが、システムの範囲と視野角はひどいです。できるだけ早くこれを完了したい...私は、えーと、自分のリモコンをデバッグしようとしているときに、元のリモコンを揚げた。=] だから、どんなオタクでもそうであるように、私は誰か他の人の成功を借りてTV B Goneの回路図をプルアップすると思いました。 私の質問は、LEDを直列にチェーンし、単一のトランジスタで制御するのではなく、なぜ各LEDに1つの抵抗とトランジスタがあるのか​​ということです。これは、単一の抵抗を介して入ってくるarduinoピンによって制御される単一のトランジスタで制御するのですか？ 私は同じ方法を実装することに自信はありません（率直に言って、32のLED、抵抗、およびトランジスタをその地獄のためだけに使いたくなります）が、なぜこのように行われたのかを理解したいと思います。

8 led  transistors  infrared  remote-control 

特定の電気設計では、ハードウェア機能をその場で永久に無効にする必要があります。弱いヒューズに過電流を送ることは、これを達成するための方法であり、デバイスの特定の領域で回路を破壊します。私の質問は： かなり弱いヒューズを想定して、このプロセスによって引き起こされる潜在的なリスクは何ですか？ 機能を永続的に無効にするためのこの方法の代替手段はありますか？

8 power  current  switches  design  fuses 

Molexコネクタのフットプリントを作成しようとしていますが、Altium内のウィザードでは実行できないと思うので、手作業で作成する必要があると思いますが、完全に失われています。ヘルプ、ヒント、トリック、チュートリアル、ビデオ、または私を助けるどんなものでも。コンポーネントウィザードには「エッジコネクタ」がありますが、それは何か別のものだと思います。 これがフットプリントを作成したいコネクタです。3ピン版です。

8 altium  footprint 

データシートには、18F4550のデュアル電源を使用する方法が記載されています。ただし、使用するトランジスタと抵抗値を指定していません。コンデンサには100uF（ダイオード側）と470nF（Vusb側）を使用しています。自宅にあるBJTを何でも入れてみましたが、Vselfが利用できない場合、Vbusに切り替わりませんでした。 誰かがどのBJTを使用するか（モデル番号）と、どの抵抗が付属するかを提案してください。BJTは私にとって暗い森のようなものです。

8 pic  transistors  bjt