1AでのパワーMOSFETの過熱
私は、WS2803定電流LEDドライバー、TLP250 MOSFETドライバー、IRF540N MOSFETを使用して、Arduinoで制御されたRGB LEDドライバーを構築しています。これは次のようになります。 画像が縮小されたため、見づらくなっています。R3、R7、R11は1k抵抗です。 この回路は5m RGB LEDストリップ（100セグメント）を駆動しており、最大2A /チャネルを消費するはずです。したがって、各MOSFETは最大13Vで2Aを処理する必要があります。IRF540Nの定格は100V / 33Aです。RDSonは44mOhmである必要があります。したがって、ヒートシンクは必要ないと思いました。 私は明らかにこれをPWMしたい（WS2803 PWMは2.5kHz）が、完全なオン状態に焦点を合わせよう。私が抱えている問題は、MOSFETが完全なオン状態で深刻に過熱していることです（スイッチングは行われません）。フルオン状態で測定した値を写真で確認できます。 TLP250はMOSFETを正しく駆動しているようですが（VGS = 10.6V）、なぜVDSが非常に高くなるのか（赤いLEDの0.6Vなど）がわかりません。これらのMOSFETにはRDSon 44mOhmが必要です。そのため、1.4Aが流れると、0.1V未満の電圧降下が発生します。 私が試したもの： TLP250を取り外し、13Vをゲートに直接印加しました-MOSFETが完全に開いていないと考えていましたが、まったく役に立たず、VDSは0.6Vのままでした LEDストリップを取り外し、赤いチャンネルで車の電球12V / 55Wを使用しました。3.5Aの電流が流れ、VDSは2Vであり、MOSFETが加熱されるにつれて上昇しました。 だから私の質問は： なぜVDSが非常に高く、なぜMOSFETが過熱しているのですか？ VDSが0.6V、IDが1.4Aでも、電力は0.84Wですが、ヒートシンクなしで問題ないと思いますか？ 20V / 5Aのような、それほど強力ではないMOSFETを使う方がよいでしょうか。または、ロジックレベルのMOSFETを使用して、WS2803から直接駆動します（TLP250の光絶縁が好きです）。 いくつかのメモ： 現時点では、この回路はブレッドボードにのみあり、MOSFETのソースをGNDに接続するワイヤも非常に熱くなります。比較的高い電流が流れているため、これは正常なことですが、私はそれについて言及しました。 私は中国からMOSFETをまとめて購入しましたが、実際にはIRF540Nではなく、スペックがかなり低いのでしょうか？ 編集：もう1つ。ここから、MOSFETドライバーに基づいてこのコントローラーを作成しました。男はTLP250と負荷（Vsupply、VMOS）に別々の電源を使用しています。両方に同じソースを使用しました。それが重要かどうかはわかりません。私の電源は12V 10Aに調整されているので、電源に問題があるとは思いません。 ありがとう。