マイクロコントローラ駆動のNチャネルMOSFET電圧動作


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このLTSpiceモデルで見られるように、2N7002 NチャネルMOSFETとArduinoからの5V制御信号で7.5電圧源に接続された白色LED(3.6 Vf @ 20 mA)を制御しようとしています。

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私のゲート電圧がマイクロコントローラからの5Vであることを考えると、MOSFETが基本的にスイッチとして機能することを期待していました。2N7002のグラフを見ると、必要な電流が20mAで、Vgsが5Vであることを考えると、ソース電圧が約7.5Vであるようなゼロに近いトランジスタ両端の電圧降下が予想されていました。

ただし、シミュレーショングラフに示されているように、トランジスタの両端の電圧は実際には非常に大きく、ソース電圧は約3Vです(予想される〜7.5Vとは対照的)。

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この回路をブレッドボードしたとき、同じ結果が得られました。電源電圧は約3Vです。

MOSFETのソース電圧が予想よりもはるかに低い理由を誰かが説明できますか?そして、誰もがこの状況で私が効果的に5V信号と7.5V電源を使用して白色LEDを駆動するスイッチを作成できるトランジスタを推奨できますか?


Vgsthは約2.1から2.5V @ Id = 0.25mAです。LEDが順方向にバイアスされていると仮定すると、3.5Vがそれと200Ω抵抗の両端に表示されます20mA * 200 = 4V(特定の順方向電流での実際の電圧はLED特性から得られます) 。回路に問題があります。ソースをGNDに接続し、それに応じて設計します。
user19579 2013

回答:


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7.5ボルト電源とMOSFETドレインの間に負荷を配置すると、スイッチのような動作が得られます。

概略図

この回路のシミュレーションCircuitLabを使用して作成された回路

現在のレイアウトでは、LEDと抵抗を流れる電流に応じてソースがフローティングになります。したがって、Vgsは想定した0〜5ボルトではありませんが、ある時点でソースがどこにフロートされるかによって、はるかに低くなります。

必要なのは、Arduinoから正の信号が与えられたときに「スイッチ」が導通し、そのドレインノードがグランド(またはその近く)に引っ張られ、それによってLED + R3に必要な〜7ボルトを表現することです。


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次に、ここで重要な点は、FETはゲートからグランドへの電圧ではなく、ゲートからソースへの電圧によって制御されるということです。
Peter Bennett

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前のコメントに追加するだけで、提供した配置でLEDを制御できますが、Pチャネルのmosfetを使用する必要があります。


そうですが、OPは、この場合、負のロジックを使用する必要があることを理解する必要があります。つまり、GPIOが0の場合、LEDはオンになり、逆も同様です。または、PMOSを制御するNPN BJTまたはNMOSを制御して論理を正に保つこともできます。しかし、ここでは単純なLEDスイッチに多くの回路を追加しています。
ジム・
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