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量子アニーリングとは正確には何ですか?
多くの人々は、量子技術の応用としての量子アニーリングの主題に興味を持っています。これは、特に主題に関するD-WAVEの仕事のためです。量子アニーリング上のWikipediaの記事があれば1を実行する「アニーリング」ゆっくりと十分に、1を実現(の具体的なフォーム)断熱量子計算することを意味します。量子アニーリングは、断熱レジームで進化を行うことを前提としないように見えるという点で、主に異なるようです。それは、非断熱遷移の可能性を考慮しています。 それでも、量子アニーリングでは、単に「断熱計算を急いで行う」というよりも、直感的なものがあるようです。横磁場からなる初期ハミルトニアンを特に選択し、これは特にエネルギー景観におけるトンネリング効果を可能にすることを意図しているように思われます(標準的な基準で説明されているように、人は推測します)。これは、古典的なシミュレーテッドアニーリングの温度に類似している(おそらく正式に一般化されているのでしょうか?)と言われています。これは、量子アニーリングが、特に初期横磁場、ハミルトニアン間の線形補間などの特徴を前提とするかどうかという問題を提起します。また、これらの条件を修正して、従来のアニーリングと正確に比較できるかどうか。 量子アニーリングの構成について多かれ少なかれ正式な概念があり、何かを指し示して「これは量子アニーリングです」または「これは正確に量子アニーリングではありません。いくつかの重要な機能] "? あるいは、量子アニーリングは、いくつかの標準的なフレームワークを参照して説明できますか?Physなどの元の論文の1つを参照してください。Rev. E 58(5355)、1998 [ ここから無料で入手できるPDF ] —量子アニーリングの例としても受け入れられているいくつかの典型的なバリエーションと一緒に? 量子アニーリングが古典的なシミュレーテッドアニーリングを適切に一般化すると言うことができるほど十分に正確な説明は少なくともありますか?古典的なシミュレーテッドアニーリング手順を効率的にシミュレートできるか、ノイズのない量子アニーリング手順で証明できることを証明できます(ユニタリ回路がランダム化アルゴリズムをシミュレートできるように)?