タグ付けされた質問 「bjt」

私は教科書から例を読んでいた。この回路について、著者は、R3が100オーム未満の場合、Q3は切り替わらないと主張しています。「理由」を理解できませんでした。しかし、著者が正しいことをLTSpiceで確認しました。彼はその理由を説明していません。 Q2がオンのときにR3がゼロに近いと言えば、なぜQ3もオンにならないのでしょうか？

11 transistors  switches  bjt 

12〜20Vの信号を3.3ボルトで動作するマイクロコントローラに接続する次の回路を設計しました。信号は20Vまたは開回路です。 回路の弾力性を可能な限り高めたい。EMIおよびESDを処理できる必要があります。 R1は、電流を制限し、トランジスタにバイアスをかけるためのものです。 C1はローパスフィルターを実装することです。 R2は、トランジスタのベースをプルダウンし、コンデンサC1を放電するために使用されます。20V入力は20Vまたは開回路です。 D1は、ベースの負電圧からトランジスタを保護するために使用されます。 R3は、マイクロコントローラピンをプルアップすることです。 この回路に関するコメントや改善は歓迎します。 副次的な質問：このトランジスタが許容できる最大の正電圧は？データシートには、ピークベース電流が100mAと記載されています。ベースが0.7ボルトに維持されている場合、入力は1000ボルト（10kオーム* 100mA）になります。ただし、入力が1000ボルトの場合、分圧器は電圧を500ボルトのベースにします。データシートによると最大Vcbは60ボルトです。

11 microcontroller  pic  transistors  bjt 

エミッターまたはコレクターから複数のラインが出てくるBJTシンボルに出くわすことがあります。そのようなBJTは異なる種類のデバイスですか？ソリッドステートレベルではどういう意味ですか？

11 bjt  symbol  solid-state-devices 

今期は、オーディオアンプを設計します。これまでの講義では、私たちはまだBJTに在籍しており、私が聞いたことに基づいて、BJTの完全なものとは異なり、FETについて部分的に議論します。とにかく、これを早く考えて、最高のオーディオ増幅に使用するトランジスタを計画できるようにしたいと思います。他のトランジスタ（BJT / FET）の方が優れているスレッドをいくつか読みましたが、他のフォーラムでは、パフォーマンスはコンポーネントではなく、トランジスタの適切なバイアスと回路の適切な設計に依存していると述べています。 オーディオアンプの設計において、トランジスタの4つのサブタイプのうちどれが最も効率的ですか？（NPN / PNP / JFET / MOSFET） ところで、私の教授の要件はこれだけです。現在、私のグループは回路の詳細（ワット数、インピーダンスなど）をまだ決定していません。

11 transistors  audio  amplifier  bjt  fet 

マイクロコントローラから負荷を切り替えるために、バイポーラ接合トランジスタ（BJT）と電界効果トランジスタ（FET）（MOSFETまたはJFET）を選択する理由は何ですか？私たちの仮定の状況では、負荷にはマイクロコントローラーが提供できるよりも多くの電流が必要であると仮定します。問題は、「使いやすさ」が考慮されていないと仮定して、BJTとFETスイッチの設計に有利または不利になるバイアスの考慮事項です。 この質問は、トランジスタの質問をいつ使用するかをより具体 化したものです。

11 microcontroller  switches  mosfet  bjt 

私は電流を供給するためのDC BJTセットアップを見ていて、これに遭遇しました これまでにBJTのベースに取り付けられたダイオードを見たことがなく、それが何に使用されるのか疑問に思っていましたか？温度の影響による補償に使用されると思いますが、これに関する情報や、Q1のベースの電圧を代わりに抵抗でブリッジしない理由についてはあまり知りません。なぜあなたがこのようなことをするかもしれないのかについて何か提案はありますか？

11 diodes  bjt  current-source 

BD679トランジスタのデータシートには、「エミッタベース電圧」の最大定格が5vである絶対最大定格が記載されています。 この図は私を混乱させます-（BJT）トランジスタの私のメンタルモデルはダイオードのそれと同等のベースからエミッタへのパスを持ち、電位差は無関係です-それはゲートを制御する電流です。 私はこの用語を検索しましたが、結果の中には、トランジスタの別の特性について話しているように見えるこのようなものが得られました。 表記（「ベースエミッタ電圧」ではなく「エミッタベース電圧」）は、これが通常の動作での最大値ではなく、ベース-エミッタ間に配置できる最大の「負電圧」を参照しているのではないかと思います。これは正しいです？ そうでない場合、この数値は何ですか？また、このジャンクションがデバイスの他の部分と比べて非常に低い最大値を持っている原因は何ですか？

11 transistors  bjt 

私は定電流源を実装しましたが、それは素晴らしい働きをしますが、私はそれをもう少し試して理解することを望んでいました！ これが問題の回路です。私はWebで検索を行ってみましたが、この回路上で実際に何が起こっているのかを説明する理論的なことを見つけるのは非常に困難です。トランジスタを流れる電流はI E = V setを使用するだけで見つけられることがわかりました見始める前に思っていた以上の R セット。しかし、今私は実際に何が起こっているのか、そして負荷での負荷/電圧が変化してもそれがどのように定電流出力のままであるかを知りたいです。私E= VセットするRセットするIE=VsetRsetI_{E}=\frac{V_{\text{set}}}{R_{\text{set}}} 誰かがこれに光を当てることができれば、私は非常に感謝しています。

10 transistors  operational-amplifier  bjt  current-source  constant-current 

バイポーラトランジスタは、電子の流れと正孔の流れの両方を持っていると言われています。電子の動きは理解できますが、正孔は原子/結晶構造の固定部分です。彼らの動きをどのように特徴付けることができますか？

10 transistors  bjt  electron 

たとえば、MMBT3904およびMMBT3906 BJTはNPN / PNPスイッチングトランジスタとしてリストされ、データシートはスイッチング時間について述べていますが、BC846およびBC856 BJTはNPN / PNP汎用トランジスタとしてリストされています（スイッチング速度は推定する必要があります）遷移周波数f tを見ることで？） 明らかな（スイッチングトランジスタのf tが高い）以外に、これらの設計と製造方法に違いはありますか？1つのタイプを他のアプリケーションで一般的に使用できますか？ ミラー容量、直線性、ノイズなどについてはどうですか？ シリコン上のジオメトリ、またはドーパントの濃度に特定のトリックはありますか？ 関連、FETの場合：スイッチとアンプのどちらとして販売されている電界効果トランジスタ（FET）の違いは何ですか？

10 transistors  switches  amplifier  bjt 

2N3904と2N4401は、すべての仕様で非常に同等の部品のようです。2N4401の方が電流定格が高くなっていますが、それ以外の点では価格やその他すべてがほぼ同じに見えます。両方の部品が複数のメーカーによって製造されているため、100％の普遍的な答えを出すことは明らかに困難です。しかし、言うことができる限り、2N4401の代わりに2N3904を使用する理由はありますか？

10 transistors  bjt  components  npn  specifications 

しかし、私はそれが完全に間違っていると思います。BJTトランジスタは、ベースがなくてもどのように機能しますか？ベースのないトランジスタは単なる半導体（PP、NN）であるべきではありませんか？ベースのない特別なNASA陸軍グレードの実験用BJTトランジスタはありますか？ では、私と教師のどちらが正しいのでしょうか。

10 bjt  semiconductors  phototransistor  base 

この回路をリファレンスデザインからシミュレーションしましたが、それがどのように機能するのか、またはそのようなものをどのように設計するのかについては、完全にはわかりません。シミュレーションでは、最大25Vの入力電圧範囲があるにもかかわらず、D1を流れる電流を約5mAで一定に保つように設計されているように見えます。 M1のゲート電圧は約1.6Vに保たれており、BJTのベース電圧は入力電圧が上昇すると上昇します。したがって、電圧が上昇すると、BJTを流れる電流が増加するため、調整可能なインピーダンスのように機能し、ゲート電圧を一定に保つと思います。そうですか？ これはあなたがただスパイスでやるようなことですか、それともどこかで明確に定義されていて、私がそれを認識していないある種のカレントミラー回路ですか？

10 led  transistors  mosfet  circuit-analysis  bjt 

LM78L05のTIデータシートを閲覧していたところ、次のアプリケーション回路図に気づきました。 Q2のコレクターとエミッターが短絡していることに注意してください。これまで見たことがないとは言えませんが、検索で何も表示されませんでした。 Q2はその構成でどのような役割を果たしますか？ 私はダイオードを疑っていますが、普通の古いダイオードがうまく機能せず、はるかに安くなる理由がわかりません。2N4033データシートは汎用PNPシリコンプレーナRFトランジスタとしてそれを説明しています。

10 voltage-regulator  diodes  bjt  linear-regulator 

それらはどのように機能しますか？私は高校1年生で、電子工学を科目として持っています。私はこれを理解し、大学でもエレクトロニクスを取り上げることに本当に興味があります。しかし、今、これは遠い夢のように思えます。「トランジスタのしくみ」と「回路での実際のアプリケーション」についての私の理解は微妙です。オンラインで数多くのガイドを読んだ後、それらのほとんどを習得したような気がしますが、TTL NOTゲート（IC 7404）とその他のいくつか（7402、7400など）について勉強し始めたときに、私のコースワークの、そしてそれはトランジスターの働きに基づいています、私は何も得ません！エミッタが入力として使用される場合と出力として使用される場合があり、テキスト内の一部の文（ICの動作について）が他のガイドで学んだことと矛盾しているように感じます。私はそこにいると感じる 誰かがこのギャップを埋めて私を啓発するいくつかの記事を指摘していただけますか？ 更新：アプリケーション回路での動作について知りたいのですが。「理解の深さ」については、トランジスタの動作において電子と正孔がどのような役割を果たすかを知っています。

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