電気工学

ディスカッションで友人が言及しました： PALとNTSCの元の実装では、テレビに周波数を提供する手段としてAC電流を使用していました。主電源が異なれば周波数も異なるため、テレビの規格も異なる周波数になるように設計しました。 よくわからなかったので調べてみました。 私の質問は次のとおりです。PALとNTSCの異なる周波数の設計決定は、AC電源の電源周波数に関連していますか？

8 ac  frequency  mains  ntsc 

PCBレイアウトに取り組んでいて、グラウンドプレーンの注入を行ったところです。 真空管アンプの設計での作業から、星型の優れたグランド設計は、回路のハムを防ぐのに大いに役立つことを知っています。グランドループはいかなる場合でも回避する必要があります。 これが私が取り組んでいるデザインのグランドプレーンの1つです。地上信号のみが表示され、他の信号は非表示になります。 よく見ると、実際には巨大なグラウンドループ（黄色で表示）と、いくつかの小さいループ（マークされていない）があることがわかります。 インピーダンスの問題が最も少ない場所にあるグラウンドプールを破壊し、2番目のグラウンド層に一連のビアを戦略的に配置して、星型の素敵なグラウンドデザインを得ることができます。 一方、銅をそのまま流し込み、多数のビアを散布して全体のインピーダンスを下げるのは非常に魅力的です。 ループを処理するより良い方法は何ですか？またはそのようなループは実際には大丈夫ですか？ そしていくつかの追加情報：回路自体は純粋なアナログであり、1kOhm以下のほぼ完全に低インピーダンスの信号を含んでいます。最高の信号周波数は約10Mhzです。1000V / µSの範囲で非常に速い立ち上がり/立ち下がり時間があります。 回路はおそらく13.56Mhz RFIDリーダーの近くで動作するため、かなりのRFノイズが予想されます。 最下層のスクリーンショット（地盤注入のみ）：

8 pcb  grounding  groundloops 

AltiumでPCBボードをルーティングしています。今日、マウスをパッドの上に置くと、影付きの「キー」記号が表示されます。それらの意味は何ですか？

8 pcb  altium  eda 

2つの質問： 温度センサーをアルミニウムブロックにどのように接続しますか？基本的にセンサーをブロックに接着するだけで、熱接着剤を使用できますか？ どのセンサーを購入しますか？防水バージョンの素敵なケーブルが好きですが、プレーンセンサーの方がアルミニウムブロックへの接着に適していると思いますか？ DS18B20デジタル温度センサー+追加 防水DS18B20デジタル温度センサー+エクストラ 高温防水DS18B20デジタル温度センサー+エクストラ バックグラウンド： DIY PCRプロジェクトでは、アルミニウムブロックの温度を継続的に測定する必要があります。臨時雇用者。範囲は、室温から約100°Cです。私が読んだことから、私はデジタル臨時雇用者が必要であることを理解しています。センサー、Piにはアナログ入力がないため（とにかく追加の拡張機能がないわけではありません）

8 sensor  temperature 

ウィキペディアの状態： OTG製品には、単一のMicro-ABレセプタクルが必要で、他のUSBレセプタクルは必要ありません。OTGケーブルには、一端にマイクロAプラグ、もう一端にマイクロBプラグがあります Micro-Aは明らかに標準のMicro-Bプラグに似ていますが、角が面取りされていません。 Micro-ABレセプタクルも長方形です。 ただし、実際には、USB OTGをサポートするすべての電話には、Micro-AB ではなく Micro- Bレセプタクルがあります。そして、目の前にあるOTGケーブルにはMicro-Bプラグが付いています。また、「OTGケーブル」の写真をググると、すべてMicro-Bプラグが表示されます 実際、私は覚えていないことができ、これまでマイクロAプラグを見て。これはウィキペディアが完全に作り上げたものですか？それともUSB仕様にあるものなのか、エレクトロニクス業界全体が賢明に無視することを選択したのでしょうか？

8 usb  plug  usb-otg 

私はこのチュートリアルhttp://arduino.cc/en/tutorial/buttonを読んでいて、同じことをしたいのですが、2ピンのIRレシーバーLEDを使用しています。問題は、LEDに最大1〜2 vが必要か、LEDが破損することです。これを入力として使用するにはどうすればよいですか？ http://www.aliexpress.com/item/NEW-5X-LED-Infrared-receiver-diode-IR-5mm/32224564143.html これは私のirレシーバーです。

8 arduino  led  infrared 

プロセッサー：PIC18F66K22 コンパイラ：C18（XC8も問題ありません） AN4アナログピンの電圧を測定するコードを作成しました（そしてテストに成功しました）。 今、私は何か他のことを試したいのですが、それが理論的に可能かどうかはわかりません。 私のテストボードにはPICプロセッサがあり、VDD、AVVDが電源に接続されています（範囲は0（バッテリーが空の場合または接続されていない場合）から4、2（フルバッテリー）まで）。 ADCを使用してボードのVDD（-in）を測定できますか？ 何故なの？： それはANxピンではありません、ADCにそれを測定させる方法がわかりませんか？（チャネル？） VDD（-in）の電圧が低下した場合、ADCの基準電圧も低下しますか？（私のPICが3,3Vしか得られない場合でも、ADCはそれが100％であると言います（チップの最大電圧として、リファレンスも3,3Vです）。 なぜ/何を尋ねますか？： チャネル30（VDDCORE）だけを測定できますか？ VrefをVddに設定して、A / Dコンバーターで高精度電圧リファレンスを測定できますか？（わからない） または、VDD-inからANxピンにワイヤを追加できますか？ VDD-inが約3,4Vの場合、内部VREF +（4.096V）は4 + Vのままですか？そうするようなトランスフォーマーの種類はありますか？ 内部VREF +（4.096V）はバッテリーの最大値（4,2V）より少し低いですが、これはADCを損傷する可能性があることを意味しますか？または、バッテリーがいっぱいになると結果が最大になります。（4,096Vのうち4,2V） エレクトロニクスに関する私の知識は「低い」ことに注意してください。私は教育のソフトウェアの部分についてより多くを学びましたが、それは組み込みエンジニアリングの重要な部分であるため、（組み込み）エレクトロニクスについてもっと知りたいです。（私の学校がこれを見ていないのは悲しいです。）

8 pic  adc 

AB級アンプとクロスオーバー歪みの低減について、次の図を見つけました。 http://www.electronics-tutorials.ws/amplifier/amp_7.html このプリバイアス電圧は、トランスまたはトランスレスアンプ回路のいずれかで、アンプのQポイントを元のカットオフポイントを超えて移動する効果があるため、各トランジスタはアクティブ領域内で半分または180°各半サイクル。つまり、180°+バイアス。トランジスタのベース端子に存在するダイオードバイアス電圧の量は、追加のダイオードを直列に追加することで倍数に増やすことができます。これにより、一般にAB級アンプと呼ばれるアンプ回路が生成されます。そのバイアス配置は以下のとおりです。 ダイオードとコンデンサがどのようにクロスオーバー歪みを低減するかについての説明がわかりません。各トランジスタ（npnおよびpnp）は180度の正弦をカバーする必要がありますが、180 +バイアスが完全な歪みを除去しないのはなぜですか、これにコンデンサとダイオードはどう関係するのですか？2×0.6Vの2倍のトランジスタ電圧降下を補償するダイオードについて読みました。コンデンサは信号をどのように平滑化しますか？

8 amplifier  distortion 

コンピューターのスピーカーは超音波を発することができますか？コンピューターのスピーカーが生成できる最大周波数はいくつですか？

8 sound  speakers  ultrasound 

2つの9 V、300 mAのウォールウォートがあり、それらを直列に接続して+9 V、0 V、および-9 Vを生成したいと考えています。これは、2つの9 Vバッテリー（下図参照）で実行できますが、これは可能ですか？ 2つの同一でない壁いぼを使って？

8 series  ac-dc 

ここで説明した回路用のMOSFETを選択するのに助けが必要です。これは、もともとBJTを使用して設計しましたが、この場合はFETの方が意味があると判断しました。 FETは、論理ハイまたは論理ローをFETに送信するPIC24によって制御されます。私はFETが電圧制御デバイスであることを知っていますが、FETをオンに切り替えるために必要な最小電流もあるのでしょうか。 その場合、PIC24がFETをオンにするのに十分な電流を供給できるように、FETにバイアスをかける必要がありますか？ FETのバイアスについてもあまり詳しくないので、内部でバイアスされているFETについても知りたいのですが、Googleで見つけるのは少し難しいです。他のリソースをお勧めできますか？

8 voltage  pic  mosfet  fet 

1日あたり約7時間オンになる真空管アンプを構築したいと考えています。ヒーターをずっとつけっぱなしにして、プレートの電源を入れたり切ったりしただけでは、チューブの寿命が長くなるのではないかと思っていました。 チューブは、おそらく6N1Pまたは同様の汎用小型チューブです。 これについてのあなたの意見/経験は何ですか？

8 lifetime  vacuum-tube 

前書き USBはかなり長い間使用されており、自動車、船舶、宇宙産業でもある程度広く使用されています。ただし、特定の通信方法は、以下の点で他の方法より信頼性があります。 ホット冗長の可能性 他の接続（サージ、短絡、誤動作[データ、電圧レベル、タイミング...] ...）またはハブ/スイッチ自体の障害に対する接続機器の保護 障害が発生するまでの平均時間（「フリーズ」またはハードウェア障害） 検出と修正（再送信が必要な場合があります）はプロトコルライブラリ/スタックによって処理されるため、通常、エラー率はそれほど重要ではありません。 質問 USBハブに基づくシステム（デイジーチェーンであるかどうかに関係なく、16ポートなど）の信頼性を知りたいのですが。一般的に問題が発生する可能性のあるもの、およびシングルポイント障害の拡大を防止するために何ができるか（保護/トポロジー...） 特定の問題 作業中の特定の機器について、16台のデバイスをプライマリPCと冗長PCの両方に接続する必要があります（他のPCがクラッシュした場合に引き継ぎます）。デバイスの75％はイーサネットとUSBの両方を備えており、25％はUSBのみです。信頼性を最大化するには、USBを単独で使用するか、両方を使用してすべてを簡素化する必要があります（信頼性も向上する可能性があります）。USBの場合、2台のコンピューター間の切り替えは手動スイッチを使用して行われます。 説明のために、私が検討しているハブはこれよりも小さく、350 W未満のサージを処理しますが、分離されていないようです。「工業用」という言葉を使いすぎているので、デイジーチェーン接続された7つのポートに切り替えます。接続されている機器は、一連の産業用PID温度コントローラー、UPS、および精密温度計です。ただし、この質問はより一般的なものです。

8 usb  bus  reliability 

私は2冊の教科書を読み、先生に相談しましたが、私の疑問を明確にするものは何もないようです。 私が教えてきた2つのバージョンの人種は、 SRフリップフロップのSおよびR入力が論理1の場合、出力は不安定になり、競合状態と呼ばれます。 SRフリップフロップのSおよびR入力が論理1で、入力が他の条件に変更されると、出力は予測不能になり、これは競合条件と呼ばれます。 どちらが正しいですか？または、どちらも間違っている場合、実際には何が人種ですか？

8 digital-logic  flipflop 

オブジェクトが上下に移動する回数をカウントするために、オブジェクトの上にのみ配置できるセンサーが必要です。 オブジェクトの上に加速度計を配置することでこれを達成できますか、それとも上下の移動の遷移を追跡できますか？ そうでない場合、どのタイプのセンサーがこれを達成しますか？ ----------------編集：------------------------- 理想的には、以下に概説するボックスの上にセンサーを設置し、それが上下する回数をカウントできるようにしたいと考えています。それはそれがねじれるのを防ぐ複数のガイドレールを持っています。計算を行うマイクロコントローラーとしてArduinoを使用する予定です。上下の動きを感知できるセンサーが必要です。すべての提案を歓迎します。ありがとう。 + + + + + + ------------ | box | | moves up | | and down | ------------ + + + +

8 sensor  accelerometer