電気工学

電子工学および電気工学の専門家、学生、および愛好家のためのQ&A

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TX出力信号からRS232通信のボーレートを計算できますか？
X出力信号からRS232通信のボーレートや通信速度を計算できますか？ 以下の画像は、RS232通信出力信号からのものです。私は0xaaでこの写真を撮りました、そして最高の間の期間は100.usです。 外部発振器の周波数は8Mhzと聞きました。それからボーレートを計算できますか？
10 uart  rs232 
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このフリップチップBGAの下側に小さなノッチがあるのはなぜですか？
ARM SoCが組み込まれた組み込みシステムをリバースエンジニアリングしています。データシートはまったくないので、かなり深く調査を進めています。 ふたなしのフリップチップBGAにパッケージされています。ダイがマウントされているキャリア基板は、ピンの機能の手がかりを提供するため、SoCを顕微鏡で調査しました。 ハンダマスクと銅の外層に切り欠きがいくつかあることに気づきました。彼らはボールの間の跡を切りました。 BGAの下側の概要： ノッチのいくつかのビュー： 奥行きを示す斜めビュー： 切り欠きによって切り取られているトレース： 私が最初に考えたのは、これらがビニングされた後にデバイスを構成するために使用されるということでした。ただし、多すぎるようです。452ピンBGAパッケージでは50をはるかに超えています。それらは何に使用されますか？ それらがどのように作られるかについても興味をそそられます。それらは非常に正方形の側面を持ち、長さがわずか0.25mmであることを考えるとアンダーカットはなく、エッチングとレーザーをほとんど排除しています。機械的な方法でこのように均一な底面が得られる方法がわかりません。
10 bga 
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AM電波がアンテナに到達したとき、信号は増幅するために閉回路にある必要がありますか？
これには説明が必要です。無線指示の図では、増幅のためにアンテナから入力への単一の線を常に見ています。例えば真空管アンプを使ってみましょう。 アンテナから三極管内のプレートへの1本のワイヤーがあり、フィラメントソースからの電子は、カソードに向かう途中で引き寄せられるか、反発されます。図にはアンテナからの配線が1本しか表示されていないため、回路がどのように完成したのか理解できません。 率直に言って、私はこの同じ管がテレフォニー直流信号をどのように増幅できるかを理解しようとすることと同じ問題を抱えています。なぜなら、音声知能を使って直流を脈動させることは閉回路であると考えるからです。誰かが私をまっすぐに設定するのを気にしません。ありがとうございました。
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フラッシュメモリ付きの表面実装ICをプログラムしてから、それらをリフローはんだ付けできますか？
ATMEGA328P-AUなどの多くのチップは特定の温度でのフラッシュストレージの寿命を示していますが、通常は100°Cで制限されます。 理想的には、はんだ付け後にチップをプログラムするためにボードにリードを含める必要があることはわかっていますが、約230°Cのリフロー温度でフラッシュメモリがどのように影響を受けるかを知りたいだけです。
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このワックス状のものは何ですか？
古い電子機器を開けたところです。サルベージ中に、このワックス状のものを載せたボードを見つけましたか？これは何で、その用途は何ですか？ PS私が話している物質は、ボードの右上にある軽く日焼けしたワックスです。
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オペアンプステージ間に小さな抵抗を含める理由
電流源の構築に関するTIの参考資料を読んでいます。 http://www.ti.com/lit/an/sboa046/sboa046.pdf 図52では、計装アンプの出力とOPA633オペアンプの入力の間に150オームの抵抗が含まれています。 これは他のいくつかの回路でも行われているのを見ましたが、その理由はわかりません。この抵抗の目的は何であり、その値はどのように決定されます。
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レーザーで穴を開けたマイクロビアの現在の容量
レーザーで穴を開けたマイクロビアの現在の容量に関する情報源、公式、計算機を持っている人はいますか？まだすばらしいものはありません。きっとメッキにも依存していると思います。銅充填、導電充填、オープンまたは非導電充填の違いはありますか？ たとえば、私はおそらく2〜3ミルの誘電体と導電体を備えた5ミルのレーザーを使用し、それらを充填して平らにめっきします。 ああ、私はベンダーに尋ねましたが、まだ返答がありません... 編集：レーザーで穴を開けたビアの構造は穴を開けたビアとは異なるため、これはビアが流すことができる電流の複製ではないと思います。実際、私は複数の場所で、従来のビアよりも電流が多いことを読んだので、誰かが答えを持っているかどうかを探していました。
10 pcb  via 
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これらの安全リレーはどのように機能しますか？
私は、Weidmullerのこれらの安全リレーがどのように機能するかを理解しようと努めてきました。しかし、インターネット上で有用なリソースを見つけることができないので、それは私には不明確なままでした。データシートへのリンクは次のとおりです。SIL3RELAYS これは内部図です： （出典：ワイドミュラー） データシートによると、これらのリレーは機能的に安全な非アクティブ化またはアクティブ化が必要な領域で使用されます。しかし、どうやって？ 通常のリレーとは違いますか？ そして、なぜいくつかの接点は並列に接続され、一部は直列に接続されているのですか？ そして、テスト入力とは何ですか？（データシートには、これらの入力はリレー接点のテスト用であると記載されていますが、どうですか？）
10 relay  safety 
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露出した回路の接地ピンでのESDストライク
充電とデータ転送のために外部に露出されたUSBコネクタを備えたバッテリ駆動デバイス用の回路を設計しました。これは非標準のドッキング可能なUSBコネクタで、シールド接続は利用できません。回路全体は、以下の画像のように、シャーシ/保護接地の可能性がないプラスチックケースに収納されています。 ESD保護のために、私はここに提供されているほぼ正確な設計推奨事項に従いました：http : //www.semtech.com/images/promo/Protecting_USB_Ports_from_ESD_Damage.pdf Vbus、D +、またはD-が正または負のESDパルスに当たったときに電流経路を視覚化できます。つまり、ステアリングダイオードが負のパルスの順方向導通または正のパルスの中央TVSに迂回します。理解が外れている場合は修正してください。 ただし、露出したGNDピン自体がザップを受けた場合、どうなるかわかりません。 質問： GNDピンでの負のESDストライクは、Vbusでの正のパルスと同じ効果、つまりクランプにつながる中央アバランシェTVSのブレークダウンを持ちますか？ GNDに正のESDストライクが発生した場合、ステアリングダイオードまたは中央のTVSが順方向に導通し、エネルギー全体（ダイオードのVfがマイナスの場合は、それが重要な場合）を回路の残りの部分に渡し、それによって大混乱を引き起こします。 ！？私は以下の状況を描こうとしました： （上記のリンクから変更された画像） 私が検討しているソリューション： 中央のTVSからVbusを切断し、VbusとGNDの間にスタンドアロンの双方向TVSを導入し、残りの回路に対して逆電圧保護を行います（双方向のTVSの-Vclampを許容するため）。それでもステアリングダイオードの導通が妨げられることはありません。さらに、他の露出したIOピンでGNDにシャントする他の単方向TVSダイオードがあり、これも順方向導通になる場合があります。 それが提供する可能性のあるわずかなインピーダンスのために、露出したUSB GNDと回路GNDの間にフェライトビーズを導入してください！ 任意の提案/洞察は大歓迎です、ありがとう！ PS： 回路はVbusから電力を引き出すことができるため、Vbus-GNDループに直列抵抗を追加することはできません IEC 61000-4-2、レベル4（8 / 15kV接触/空気放電）に基づく計画テスト。テスト中、USBケーブルが接続されていない状態でデバイスがバッテリー電源で動作するため、すべてのピンにESDストライクが容易にアクセスできます。
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低電力状態のときにICを切断して寄生/バックフィード電源を回避する適切な方法
私は、ネオピクセルストリップやAdafruitピクシーを含むいくつかの異なるデバイスを統合する、低電力バッテリーベースのAVRベースのプロジェクトに取り組んでいます。デバイス全体が静止しているときは、LiPoのバッテリー寿命を最大化するために、0.1mA未満の電流を引き出したいです。 私はこれをすべて機能させました（測定値0.035mA）。しかし、必ずしも「正しい」方法で実行したかどうかはわかりません。これに基づいて製品を構築する予定なので、正しく実行したいと考えています。 （非表示：リレーのフライバックダイオード） データピンから流れる電流によってVCCが切断されると、デバイスの「寄生的な」電力供給が中心的な懸念事項になります。たとえば、Pixie（シリアルを介して通信する）には、パワーダウンモードがなく、「オフ」の場合でも約1ミリアンペアが消費されます。そのため、VCCを切断するために小さなリレーを配置したところ、シリアルピンがまだpixieに電力を供給していることがわかりました。他の場所でのヒントは、多くのチップが電力保護のためにデジタル入力ピンをVCCにシャントするダイオードを持っていることを示唆しました。これを解決するには、シリアルライブラリを一時停止し、実際にはスリープ中にdigitalWrite（PIN、LOW）を実行する必要がありました。 WS2812bストリップについても同様です。VCCを切断しても、データピンからデバイスに電力を供給できます。また、NチャネルMOSFETでGNDを切断した他の設計では、データ線を介してグラウンドに電流が逆流するという逆の現象が発生しました。（これはPJRCの投稿ごとにダイオードで解決する必要がありました。）WS2812bは、実際には、消灯しているときでも、それぞれ約1ミリアンペアかかります。 したがって、質問：データピンが混在しているシステムのスリープ中に、プロジェクトの一部からVCCとGNDを切断する一般的な「クリーンな」方法はありますか？ベストプラクティスは何ですか？ いくつかのアイデア： VCCをGNDに強制します（方法はわかりませんか？Hbridge？）。（これを行うと、ハイになっているデータピンはどうなりますか？） すべてのデータピンとこれらのデバイスの間にトライステートバッファーを配置し、スリープ中にトライステートバッファーを高インピーダンス状態にし、PまたはNのMOSFETでのみVCCまたはGNDを切断します N mosfetのみでGNDを切断し、すべてのデータピンにダイオードを配置します VCCとGNDの両方を切断し、それらを「高インピーダンス」状態（電力用のトライステートバッファーのように）にする何らかの種類のパワーラッチはありますか？そうすると、電流はデータラインから「流出」することができません。 このような「負荷切断」問題を処理する最もクリーンで反復可能な方法を誰かに教えてもらえますか？（言うまでもなく、私はこの問題を少しの運でグーグル検索することに何時間も費やしてきましたが、負荷切り替えに関するこのテクニカルノートは見つけましたが、それはバックフィードと寄生電力には対処していません）
10 power  low-power  load 
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なぜMOSFETソースが矢印で示されているのですか？
基本的なMOSFETにはソースとドレインが含まれており、NMOSまたはPMOSのどちらかです。ソースの矢印で示されます。しかし、組み立てられたNMOSを見てみましょう。 ここで、ピンがソースまたはドレインのどちらかが完全に接続に依存していることが簡単にわかります。接続がない場合、このデバイスは対称的です。しかし、従来のMOSFETシンボルを見てください。 ピンをソースとしてマークし、他のシンボルをドレインとしてマークするこれらすべてのシンボル。何故ですか ？デバイスのようにこのシンボルが対称的でないのはなぜですか？ Cadenceで作業するとき、回路図シンボルにはすべて、ソースがマークされているこのタイプのシンボルがあります。ただし、製造に使用される場合、ソースとドレインは、シンボルではなく接続によって決まります。
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ワット-回路から自由エネルギーを得ていると思いますか？
100オームの抵抗に接続された1Ahrsの容量の10Vバッテリーがあると想像してください。 合計10時間、1W（電流x電圧）の電力で0.1A（V / R）を取得します。ワットはJ / sとして定義されるため、私のバッテリーは合計で3,600J（1x60x60）を生成します。 ここで、2つ目の同じバッテリーを入手し、最初のバッテリーに直列に接続するとします。私は2Ahrsの容量を持つ20Vのバッテリーを実質的に持ち、すべて同じ100オームの抵抗に接続されています。 合計10時間、4W（電流x電圧）の電力で0.2Aになります。これにより、14,400J（4x60x60）が生成されます。 つまり、エネルギー源を2倍にすることで、エネルギー出力が4倍になりました。 私の計算または概念的な理解のどこかで間違いを犯したことは明らかであり、私を正しく設定してくれた人に感謝します。 ありがとう！
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ACアダプターを最初にデバイスに接続し、次に電源に接続すると、電圧スパイクの危険性がありますか？
私が出会ったいくつかのさまざまな電子機器のマニュアルでは、まずACアダプタを機器に接続し、次に電源に接続することをお勧めします。主電源に接続すると、既に接続されているデバイスに電圧スパイクが送信される可能性があると思ったので、逆の順序が安全だといつも思っていました。電源（ラップトップまたはその他の電子機器のアダプター）は、接続時にデバイスに害を及ぼすリスクがないように設計されていますか？これらの用語では、両方の接続注文は等しく安全ですか？
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