電気工学

電子工学および電気工学の専門家、学生、および愛好家のためのQ&A


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この配線図記号はどういう意味ですか?
今日、この配線記号に遭遇しましたが、それが何を意味するのかわかりませんでした。どういうわけか、「十字線の回路図シンボル」のインターネット検索は、特に実りがありませんでした。 これは私が心配する必要があるものですか、それとも単なるUSB接続の表現ですか?
10 symbol 

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酸化銅は電気を通しますか?
銅の表面が緑がかった酸化色になった場合、電流の流れに対する抵抗が増加するか、影響を受けませんか? たとえば、接点が安全で清潔であるが、むき出しの銅線が酸化している場合でも、電気を流しても問題ありませんか? 私の車のこのアース線のように。バッテリーのマイナス抵抗は、ケーブル自体の両端と同様にです。ΩΩ \Omega

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私のMOSFETドレイン電圧降下のこの膝の原因は何ですか?
最終更新: 以前は不可解だったパワーMOSFETスイッチング波形が揺れ動くことを理解してください!@Mario は、IRF2805のような多くのパワーMOSFETに典型的な、いわゆるVDMOSデバイスに特有の以下の根本的な原因を明らかにしました。 更新: 手がかりを見つけました!:) @PeterSmithは、以下のコメントの1つで、MOSFETデータシートのゲート電荷の仕様を理解するための優れたリソースについて言及しています。 6ページの2番目の段落の最後に、 > 0の場合にが一定になる(関数として変化しなくなる)との考えへの言及があります。メカニズムに言及しましたが、それは私に膝でで何が起こっているのかを考えさせました: V D S v G D v G DCG DCGDC_{GD}VD SVDSV_{DS}vG DvGDv_{GD}vG DvGDv_{GD} そして、銃の息子、が0Vを超えるところが正しいことが。vG DvGDv_{GD} ですから、その駆動メカニズムが誰かが理解していれば、それが正しい答えだと思います:) スイッチングコンバータの研究の一環として、MOSFETのスイッチング特性を綿密に研究しています。 私は非常に単純な回路を次のように設定しました: これにより、シミュレーションでこのMOSFETターンオン波形が生成されます。 ミラー高原への約20%のドレイン電圧降下に膝が現れます。 私は回路を作りました: そして、スコープはシミュレーションを非常によく確認します: 「プリシュート」バンプ(負荷抵抗を介して「逆方向」に流れる充電電流)は理解していると思いますが、ドレイン電圧降下の膝をどのように説明するかについては不思議です。CgdCgdC_{gd} MOSFETの経験が豊富な人に理解してもらえますか?

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ブラシ付きDCモーターで、ブラシにばねがあるのはなぜですか?
ブラシ付きDCモーターを理解する上で、この投稿は非常に役立ちましたが、ブラシのメカニズムについていくつかの基本的な質問があります。たとえば、春の目的は何ですか? (ソース) また、ブラシは主に春のように見えるので、「ブラシ」という名前はどのようにして生まれたのでしょうか。
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オシロスコープのフックアップがRCDをトリップさせたのはなぜですか?
電力線メーター(電圧、周波数、アンペア、ワットを測定する典型的なモデル)のSPIインターフェイスを調査しようとしました。 モジュールを開いたところ、SPIピンが壊れていました。そこで、メーターとオシロスコープを接続し、オシロスコープのプローブをCLKピンに、プローブのグラウンドをGNDピンに接続しました。 GNDピンを接続してから1〜2秒後に、デバイスICのキャップがオフになり、プロパティのRCDがオフになり、リセットする必要がありました。 私は何を間違えましたか?これはどのようにRCDを破壊しましたか?
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過電圧保護のためのツェナーダイオード
デジタル入力ピンの過電圧保護にツェナーダイオードを使用することを検討しています。 標準的なICピンの絶対最大定格は、(GND-0.3V)から(VDD + 0.3)で与えられます。 ツェナーダイオードを使用して、電圧をVDD未満に制限できます。ただし、標準的なツェナーダイオードの順方向電圧は0.7Vです。これは、低電圧を-0.3Vに制限できません。 私の信号は1MHz信号ですが、わずかな差であり、持続時間が短いので無視しても安全ですか?

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理論と現実におけるLEDの消費電力
理論的には、1つのLEDが10mAを消費するので、17個の並列LEDが170mAを消費しますが、実際には、17個の並列LEDを接続すると、170mAではなく100mAしか消費しません。なぜ理論と現実に違いがあるのですか?
10 led 

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MOSFETの電力損失の計算-Diodes Inc.データシート
Diodes Inc.のデータシートを見ると、MOSFETの消費電力制限の計算に問題があります。 例:DMG4496SSS http://www.diodes.com/_files/datasheets/ds32048.pdf 彼らは1ページで指定します I_D(max)= 8A @ V_GS = 4.5V(R_DS(on)= 0.029オームの場合) ただし、データシートには2ページ目も記載されています。 電力損失P_D = 1.42 W ジャンクション温度T_J = 150°C 熱抵抗R_ \ theta = 88.49 K / W そして3ページ目: R_DS(on)@ V_GS = 4.5V、I_DS = 8A約0.024オーム 私にとってこれは1つの大きな混乱のように見えます。 P = 0.029オーム*(8A)^ 2 = 1.86 Wこれは、ページ2のP_D = 1.42 Wの許容消費電力より大幅に大きい 3ページのR_DS(on)= 0.024オーム値でも、P = 1.54は許容消費電力よりも大きい …

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既存の回路図を使用して回路をハッキングする
オープンソースハードウェアメーカー(Sparkfun、Adafruit、Teensyなど)の既存のブレークアウトボードを使用してプロトタイプを作成しています。すべてが順調です! コンポーネントを1つのボードに統合するために、自分のPCBの設計を開始したい段階です。 現在、各ブレイクアウトボードは同じLiPoバッテリーから電力供給されているので、各ボードの既存の回路図を使用して、それらを単一のボードに結合することができます。バッテリーとグランドを共有します...個々のブレイクアウトボードが現在配線されている方法に似ています。 これは見た目と同じくらい簡単ですか、また、サーキットビルダーを始めるときに、KVL、KCL、およびTheveninノードの計算などを実装せずにこのアプローチを採用するのが一般的です... これについてのアドバイスをありがとう。

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スイッチング電源の抵抗に関するアドバイスを求める
液晶モニターの電源を修理しようとしています。これは、20〜30ワットの範囲のOB2268APを中心としたかなり基本的なデザインです。メインMOSFETが短絡し、レギュレータICの1つのピンが蒸発し、2つの抵抗器が焼き切れて別の抵抗器に損傷を与え、付随的な損傷が発生したため、電源装置は壮観に故障しました。 主回路電圧をフィルタリングして整流した後の回路の一部です。そのため、U +とU-の間には約300V DCがあります。 PCBにはいくつかの奇妙な点があります: R706は抵抗ではなくチョークインダクタです(意味があります) ZD702はマウントされていません R708は抵抗ではなくツェナーダイオードです。指定の終わりに「24」を確認できるので、おそらく24ボルトのツェナーです。 R710とR712はサクサク焼けたので、元の値がわかりません。値についてアドバイスが必要です。OB2268のリファレンスデザインではR710について言及していませんが、Q701のゲート容量に対する何らかの「保護」を備えているのは低オーム抵抗だと思います。たぶん2.2Ω、4.7Ωのようなものでしょうか?ゲートのそれ以上の上昇時間と下降時間は影響を受けると思います。 私が困惑しているのはR712です。ICのピン6は、電流リミッターのSENSE入力です。しきい値は0.86ボルトです。0.25アンペアの制限となる3.3ΩのR711と合わせて。R708が実際に24ボルトのツェナーダイオードである場合、IC自体の電源回路(D703、 'R'706など)の二次制限として機能します。それで、R712のあなたの推測は何ですか?値は重要ではないかもしれません(データシートによると、ピン6の入力抵抗は40kΩです)、多すぎる可能性があります。そうでない場合、ツェナーR708は確実に機能しません。 更新:R711は実際には0.33Ω 更新2:以下のコンポーネントで修復しました: Q701: IRFB9N60A (600 V, 9.2 Amp mosfet) R701: 2.2 ohm R712: 1 kohm I702: an optocoupler I had lying around :P Q701のゲートにオシロスクープを接続しました。立ち上がりエッジは少し湾曲しており、振動/オーバーシュートが少しありますが、それ以外の場合は問題ないようです。下降エッジはまっすぐで鋭利です。 IRFB9N60Aに関する注意:元の7N80Cとは対照的に、このトランジスタは絶縁パッケージではありません。

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このブリッジ整流器が[ダイオード]順方向電圧降下がないと主張するのはなぜですか
私は「OK、これは実現可能」でした...しかし、それがどのように機能するかを追跡し、PとNのペアに逆バイアスがかかっているときにドレインとソースを流れる電流を単に遮断しました。次に、他のPとNのペアが順方向にバイアスされると、順方向ダイオードに電流が流れます。その後、交互に...それは同じです、ブリッジ整流にダイオードを使用しているだけです。さらに悪いことに、MOSFETは通常、ダイオードの電圧降下が小さいわけではありません...または、ここで何か不足しています...
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オペアンプパッケージを選択する際のトレードオフ:クワッドvsデュアルvsシングル
例として、プロジェクトで4つのオペアンプを使用する必要があるとしましょう。スペースと価格について、非常に厳しい要件はありません。 使用するパッケージを選択するときに、ボードの占有スペースと合計金額のほかに考慮すべきパラメーターはどれですか? トレードオフとは何ですか?また、クワッドパッケージを使用する代わりに、2つのデュアルパッケージまたは4つの異なるシングルパッケージを使用する場合の違いは何ですか? すべての回答を事前に感謝します。

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非接触電圧テスターはどのように機能しますか?
非接触型電圧テスターペンはどのようにして電圧や電流を検出しますか?特定の範囲またはタイプ(ACまたはDC)の電圧に制限されていますか? これがこの質問につながるいくつかの実験です:数ドルで購入した安価なペンを使用して、アメリカのコンセントで通常の120V ACを検出できますが、接続しているUSBケーブルの電圧も検出できましたスマートフォンへの電源の切り替え(この設定は通常、自分の電話の充電と呼ばれます)。もちろん、ここで問題の電圧はDCであり、リップルは無視できます。また、検出器は電話の充電ケーブルの5Vを検出できますが、USBキーボードケーブルの電圧を検出できないことにも気付きました。これら2つのシナリオの唯一の違いは、現在のレベルと、おそらくいくつかの小さな信号の違いです。 最後の質問:どの非接触型電圧検出器ではなく電流クランプセンサーを使用して、非侵入型で電力の存在を検出する必要があるのでしょうか?

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各マイクロコントローラーラインには独自のプログラミング言語/構文がありますか?
Arduinoをプログラミングして、Teensyのプログラミングを始めました。それらはCに似ていますが、プログラミング言語にはわずかなニュアンスがあります。 たとえば、ArduinoのCでは、関数pinMode(pin#、Output / Input)を呼び出して、デジタルピンを出力信号または受信信号のいずれかに指定します。TeensyのCでは、4つのポート(それぞれピンのコレクションを表す)の1つに関連付けられた「DDR」レジスタを設定します。これらのレジスタは、まとめて入力または出力のいずれかとして指定します(Teensy IO構文)。 初めてマイクロコントローラーを使用する場合、新しい「言語」を効果的に学ぶ必要があるかどうか知りたいのですが。「言語」という言葉は引用符で囲みます。構文のニュアンスはありますが、コンポーネントとソフトウェアでの設定方法は基本的に同等です。たとえば、ポートとピンの概念は、デジタルを出力/入力できる端子を指します。シグナル。 同じ論点で、ソフトウェアでプログラムされていないマイクロコントローラーはありますか、それともuControllerをプログラムするために常に使用されるソフトウェア層がありますか?後者の場合、誰がそれらのドキュメントを作成/提供しますか?

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