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NPNトランジスタベースの抵抗を選択する方法はどれですか。 P2N2222Aを次のようなデザインのスイッチとして使用したい。ベースに電圧（1.8 V）がある場合、NODE1とグラウンドの間に接続を作成します。 この回路のシミュレーション – CircuitLabを使用して作成された回路図

12 transistors  resistors  bjt  npn 

私はLEDスピナー回路を構築しており、それを最適化する段階にあります。回路全体には最大で約10〜20mAしか流れません。私は今日、サーキットのこの部分を見ていました。 ご覧のとおり、スイッチが5の位置にあると、回路がオフになります。しかし、現在、私の回路がオフのとき、プルダウン抵抗に電流が流れ、バッテリーを消耗します。これは非常に小さな電流であることは知っていますが、スイッチを切ったときに電流が流れないようにこのスイッチを作成する方法があるかどうか疑問に思っていました。 編集：おそらく回路全体を入れるべきだった。

11 transistors  switches  pulldown 

アプリケーションノートを読んだばかりで、この文章について混乱しました。「エンジニアは、MOSFETを単一のパワートランジスタと考えることがよくありますが、並列に接続された数千の小さなパワーFETセルの集まりです。」 これはどのように可能ですか？すべてのクラスで、「数千のパワーFETセルの集合」としてではなく、単一のバルクとしてのMOSFETの断面について学びました。 質問は次のとおりです。アプリケーションノートが特別なタイプのMOSを指しているのか、それとも私の人生のすべてが嘘だったのか。

11 transistors  mosfet  cmos 

Arduino Unoキットを購入したばかりで、キットに付属している小冊子のすべてのプロジェクトを検討しています。最も単純なLEDおよび抵抗回路から、Arduinoボード、ブレッドボードの感触を得るため、そして約30年間使用されていない私の電子機器の知識を払拭するためです。ダスティングが必要です。 回路の1つは、モーターとNPNトランジスタを使用した電力スイッチングのデモです。私は、ダイオードの機能を除いて、この最も基本的な回路のすべての側面を理解しています。ダイオードの機能は、回路の動作に何の役割も果たさないということです。確かにそこには理由があるので、私の質問は：その理由は何ですか？

11 transistors  motor  diodes  basic 

私たちは毎日それらを使用しており、知識のある人はBJTトランジスタの機能特性を完全に理解しています。運用数学を説明するドキュメントとリンクが豊富にあります。それらが物理的にどのように機能するかについての現在の理論を説明する素晴らしいビデオさえたくさんあります。（後者のほとんどは、なんらかの理由で「Tele-marketer English」を話す人々によって与えられます。） ただし、コレクタジャンクションが方程式にどのように適合するかについての説明は常に少し手作業であるため、40年以上経っても、額面どおりに受け入れる必要があります。 とにかく、それとは別に、私が本当に得られない一つの側面があります。物理学の法則、キルヒホッフの法則などを無視しているようです。 私はあなたの標準的な飽和共通エミッタ回路について話しています。 飽和すると、コレクタ電圧はベース電圧よりも小さくなることがわかっています。明らかに回路でそれを活用し、特定の負荷電流に対して可能な限り低いVce-Satを提供する部品を選択しました。 この回路のシミュレーション – CircuitLabを使用して作成された回路図 典型的なNPNトランジスタの典型的なモードを見るまでは、すべてうまくいきます。 コレクターは、そのサンドイッチのベースよりも低い電圧になりますか？ そこに何らかの逆起電力タイプの電圧を追加して、それを考慮しても、コレクター電流はベース-コレクター接合を間違った方向に進んでしまいます。

11 transistors  bjt  physics 

次の設計を使用して、マイクロコントローラーで負荷を駆動することをお勧めします。スイッチとしてだけでなく、2つのトランジスタ（n-chとp-ch）を使用する必要があるのはなぜですか？ Googleとyoutubeで検索しましたが、ほとんどのページは1つのトランジスタ（ほとんどn-ch）を使用してこのページのように切り替えを行いました。 http://www.electronics-tutorials.ws/transistor/tran_7.html このような設計（2トランジスタ）が1トランジスタスイッチよりも優れている点と悪い点を教えてください。 この回路のシミュレーション – CircuitLabを使用して作成された回路図

11 transistors  switches 

私は、上記のBJT NPN回路が結論のために間違っていると思ったチュートリアルに出くわしました。 しかし、この回路をシミュレートすると、結論が正しいことがわかりました。 私は完全に戸惑い、トランジスタの動作についていくつかの根本的な誤解があるようです。 上記の回路には電力が供給されていません。Vccはありません。ゼロから1Vに増加する入力電圧Vinがあります。 以下は、Vinに対する出力電圧Voutのプロットです。 そして、以下のプロットは、負荷I（Rload）を流れる電流と、Vinに対するコレクタ電流Icです。 質問： 私の混乱は、トランジスタのコレクタ端子とエミッタ端子の間に電位差がないときに、どのようにして電流が形成され、コレクタとRloadを流れるかです。 プロットによると、I（Rload）+ Ic = 0であるため、KCLは満たされているようです。 しかし、私が理解していないのは、現在の流れがこのように形成され、どのように流れるかです。 誰かが私に尋ねるなら、私は言うだろう：「電流はベースからエミッタへ、それから地面へ流れるだろう。負荷を通る電流はなく、そこでVoutはゼロになるだろう。」 この回路には完全に困惑しています。明らかに、私の見解では何かが間違っています。なぜ現在のループがそのようにループするのですか？

11 transistors  bjt 

私は教科書から例を読んでいた。この回路について、著者は、R3が100オーム未満の場合、Q3は切り替わらないと主張しています。「理由」を理解できませんでした。しかし、著者が正しいことをLTSpiceで確認しました。彼はその理由を説明していません。 Q2がオンのときにR3がゼロに近いと言えば、なぜQ3もオンにならないのでしょうか？

11 transistors  switches  bjt 

12〜20Vの信号を3.3ボルトで動作するマイクロコントローラに接続する次の回路を設計しました。信号は20Vまたは開回路です。 回路の弾力性を可能な限り高めたい。EMIおよびESDを処理できる必要があります。 R1は、電流を制限し、トランジスタにバイアスをかけるためのものです。 C1はローパスフィルターを実装することです。 R2は、トランジスタのベースをプルダウンし、コンデンサC1を放電するために使用されます。20V入力は20Vまたは開回路です。 D1は、ベースの負電圧からトランジスタを保護するために使用されます。 R3は、マイクロコントローラピンをプルアップすることです。 この回路に関するコメントや改善は歓迎します。 副次的な質問：このトランジスタが許容できる最大の正電圧は？データシートには、ピークベース電流が100mAと記載されています。ベースが0.7ボルトに維持されている場合、入力は1000ボルト（10kオーム* 100mA）になります。ただし、入力が1000ボルトの場合、分圧器は電圧を500ボルトのベースにします。データシートによると最大Vcbは60ボルトです。

11 microcontroller  pic  transistors  bjt 

今期は、オーディオアンプを設計します。これまでの講義では、私たちはまだBJTに在籍しており、私が聞いたことに基づいて、BJTの完全なものとは異なり、FETについて部分的に議論します。とにかく、これを早く考えて、最高のオーディオ増幅に使用するトランジスタを計画できるようにしたいと思います。他のトランジスタ（BJT / FET）の方が優れているスレッドをいくつか読みましたが、他のフォーラムでは、パフォーマンスはコンポーネントではなく、トランジスタの適切なバイアスと回路の適切な設計に依存していると述べています。 オーディオアンプの設計において、トランジスタの4つのサブタイプのうちどれが最も効率的ですか？（NPN / PNP / JFET / MOSFET） ところで、私の教授の要件はこれだけです。現在、私のグループは回路の詳細（ワット数、インピーダンスなど）をまだ決定していません。

11 transistors  audio  amplifier  bjt  fet 

私は自分の回路（PWM LED調光器）の1つで2N3904とTIP31CをTIP102に置き換えることを検討しており、TIP102の各ベースからエミッターにつながる抵抗に気付きました。私の現在の回路にはこれらがありません。そして、それらが何の目的であり、私の回路に関係なくそれらが必要かどうか疑問に思っていました。

11 transistors  darlington 

Raspberry PiのGPIOピンを使用して、ガレージのドアをリモートで制御しようとしています。リレーを駆動する代わりに、リモートのプッシュボタンを短くする方がはるかに簡単です。これはどうすればいいですか？保護ダイオードが必要ですか？必要な場合、どこに行くべきですか？ 3.3V GPIOピンがリモートグランドとは異なるグランド（Raspberry Piグラウンド）を基準にしていることは重要ですか？ また、使用するトランジスタと抵抗値に関するガイダンスをいただければ幸いです。 更新; OPによるコメントからの詳細：チェックした後、あなたは正しいです、プッシュボタンは単に回路を9Vバッテリーのリターンパスに短絡します。私の主な関心事は、リモートのすべてがフローティングしている間、GNDを基準とする3.3Vです。

11 transistors  raspberry-pi  gpio 

BD679トランジスタのデータシートには、「エミッタベース電圧」の最大定格が5vである絶対最大定格が記載されています。 この図は私を混乱させます-（BJT）トランジスタの私のメンタルモデルはダイオードのそれと同等のベースからエミッタへのパスを持ち、電位差は無関係です-それはゲートを制御する電流です。 私はこの用語を検索しましたが、結果の中には、トランジスタの別の特性について話しているように見えるこのようなものが得られました。 表記（「ベースエミッタ電圧」ではなく「エミッタベース電圧」）は、これが通常の動作での最大値ではなく、ベース-エミッタ間に配置できる最大の「負電圧」を参照しているのではないかと思います。これは正しいです？ そうでない場合、この数値は何ですか？また、このジャンクションがデバイスの他の部分と比べて非常に低い最大値を持っている原因は何ですか？

11 transistors  bjt 

私は次の回路を作りました： 電源が投入されると、C1が充電され、LEDが点灯します。電源が切断されると、LEDは徐々に暗くなります。C1が約1.5Vに達するとオフになります。 最初のLEDがオフになったときに別のLEDをオンにしようとしています。したがって、基本的に、コンデンサの電圧が1.5Vを下回ったときに回路をオンにしたいと思います。 私はSS9014トランジスタを使用しています（図では別のことを言っています）。私はトランジスタのデータシートを読むことにあまり慣れていないので、トランジスタがオフになる条件がわかりません。それは特定の電圧ですか、それをオンにする特定のアンペア数ですか？ それが特定のアンペア数である場合、C1が1.5V未満のときにR2を調整してLED2をオンにすることができますか？そのアンペア数は何ですか？ Q1をオンにするのがアンペア数でない場合は、電圧でなければなりません。1.5VでONできるので電圧は1.5V以下だと思います。この状況での私の選択肢は何ですか？1.5VをC1からベースがQ1をオンにする最小電圧に下げる方法（または4000シリーズICは可能ですか）はありますか？もしそうなら、その電圧は何ですか？ 私の質問が紛らわしい場合は申し訳ありません。コメントで気軽に質問してください。

11 transistors 

学校では、PMOSトランジスタとNMOSトランジスタ、およびエンハンスメントモードとデプレッションモードのトランジスタについて学びました。これが私が理解しているものの短いバージョンです： 拡張とは、チャネルが通常閉じていることを意味します。枯渇とは、チャネルが通常開いていることを意味します。 NMOSは、チャネルが自由電子でできていることを意味します。PMOSは、チャネルがフリーホールでできていることを意味します。 エンハンスメントNMOS：正のゲート電圧は電子を引き付け、チャネルを開きます。 エンハンスメントPMOS：負のゲート電圧はホールを引き付け、チャネルを開きます。 空乏型NMOS：負のゲート電圧が電子を反発し、チャネルを閉じます。 空乏型PMOS：正のゲート電圧がホールを反発し、チャネルを閉じます。 私が生活のための設計作業を始めてから6年が経過し、少なくとも1つの機会に空乏型PMOSトランジスタが欲しかった（または少なくとも欲しかったと思った）。たとえば、電源のブートストラップ回路には良い考えのように思えました。しかし、そのようなデバイスは存在しないようです。 空乏型PMOSトランジスタがないのはなぜですか？それらについての私の理解は欠陥がありますか？彼らは役に立たないのですか？構築できませんか？構築するのに非常に高価なので、他のトランジスタのより安い組み合わせが好まれますか？それとも彼らはそこにいて、私はどこを見ればいいのか分かりませんか？

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