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キルヒホフとオームの法則の前に、科学者はエレクトロニクスの問題にどのように対処しましたか?
両方の物理学者は、今日でも回路の電子的挙動を支配する非常に強力な法律を開発しました。 これらは毎日問題を解決し、回路変数を計算するのに役立ちます...しかし、前述の法律が発見される前にエンジニアはどのようにそれをしましたか? この前に今日受け入れられない代替法が使用された場合、これは法の発見まで行われた研究が間違っていたことを意味しますか?キルヒホフとオーム自身は間違った理論に頼って「良いもの」を作りましたか?

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このキルヒホフの現行法の適用の何が問題になっていますか?
最近の試験で、キルヒホフの法則に関するこの非常に簡単な問題がありました。 問題cが心配です これについての私の理解は次のとおりです。 両方のノードを組み合わせることができ、ノード内のすべての電流をキャンセルする必要があるため、私c私ci_cは2Aである必要があります。今、私の教授はこの問題を間違っているとマークし、代わりに8Aにすべきだと言った。 ここで根本的に間違ったことをしていますか? 更新: 教授は、他のいくつかの回答が間違っていて、8Aについて再び言及しなかったため、解答用紙をレビューし、解決策を受け入れました🤷‍♂️

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トランジスタの基礎
しばらくの間、何かが私を悩ませてきました。RLCコンポーネント(およびおそらくオペアンプ)よりも複雑なものを含む回路を見ると、前に見た構成でない限り、それが何をしているのかを理解するのに苦労します。 対照的に、RLC回路がどんなに複雑であっても、最終的には理解できると確信しています。 今、RLC回路を分析するとき、私のツールは基本的に V= 私RV=私RV = IR 私= Cdvdt私=CdvdtI = C \frac{dv}{dt} V= L d私dtV=Ld私dtV = L\frac{di}{dt} これらのコンポーネントの並列および直列の組み合わせ(これはキルヒホッフの法則と実際には分離されていないと思うが...) キルホフの法則 だから私が尋ねているのは、より複雑な回路を分析するためにどのツールが不足しているのですか?主に、BJTとFETを含む回路の分析方法を知りたいです。トランジスタには非常に多くの動作モードがあり、それらをすべてまっすぐに保つのは難しいようです。誰もがすべてをレイアウトする良いウェブサイトを知っていますか? ありがとう 編集また、実際には、温度が変化するとようなものがあることに言及したいと思います。私は今のところ気にしません、私はシミュレーションが必要であるというスティーブンに同意しますが、シミュレーションなどで微調整できる回路を設計するのに十分なコンセプトを持つことができるようにしたいですV≠ IRV≠私RV \neq IR

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この実験は、回路に変化する磁場がある場合にキルヒホッフの法則が成り立つことを示していますか?
このビデオでは、電気技師でYouTubeのMehdi Sadaghdar(ElectroBOOM)がWalter Lewin教授の別のビデオに同意していません。 基本的に、Lewin教授は実験で2つの異なる抵抗が閉ループで接続されている場合、コイルを使用して変化する磁場を生成すると、期待に反して2つの抵抗の端点の電圧が異なることを示していますキルヒホフの電圧法則(KVL)から。 この回路のシミュレーション – CircuitLabを使用して作成された回路図 実験によれば、左側の電圧計VM1は2番目の電圧計VM2とは異なる電圧を示しています。その後、Lewin氏は、変化する磁場があるとKVLは成立しないと結論付けています。彼が与える数学的な理由は、磁場が非保守的であり、磁場が保守的である場合にのみ、KVLがマクスウェルの方程式から導出できることです。そして彼は、この実験は彼の主張の証拠であると言います。 一方、Mehdiは2つのことを指摘します。1つ目は、プローブの方法が正しくないことです。磁場の変化はプローブワイヤに影響を与えます。これが、電圧計が位置に応じて値を変更する理由の1つです。 次に、ループがあるため、ループはインダクターのように動作し、コイルと一緒に相互インダクターを形成していると彼は言います。 この回路をシミュレート LewinによるKVLの導出を理解しているので、非保存的な磁場に問題があることを理解していますが、同時にMehdiも正しいと思います。ループはインダクタであり、Lewinが回路をプローブする方法は、私。では、ここの間違いはどこにあるのでしょうか? KVLは上の回路で保持されますか? プローブは正しく行われていますか? 回路には無視してはならない相互インダクターがありますか?

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サーキットはKCL、KVLとファラデーの法則の間の独特の矛盾を生み出します
この特定の回路/ループが別の質問でカバーされているかどうかはわかりませんが、次の回路に特有の結果が発生するビデオを偶然見つけました。 ファラデーの誘導の法則による上記の回路ループの場合、次のように書くことができます。 EMF =-dΦ/ dt そして、現在の基本的な電気回路理論から、次のように書くこともできます: I = EMF /(R1 + R2) しかし、同じ電流が抵抗器(KCL)を通過するため、ここで奇妙なことが起こります。 磁束Φが一定の勾配で増加し始めると想像してください(EMF =-dΦ/ dtは定数です)。そしてこの間、A点とB点の間のスコープでR1の両端の電圧V1を観察すると、ロジックに従って、A点とB点の両端の電圧は電流×抵抗であるI×1kボルトになります。 一方、R2の両端の電圧V2をポイントAとBの間の別のスコープで観察すると、ロジックに従って、ポイントAとBの両端の電圧は、現在の抵抗にI×100kボルトであり、逆逆電流方向のため極性。 これにより、| V1 |が得られます。≠| V2 | 同じポイントAとBの間で同時に測定されます。 この矛盾をどのように説明できますか? 編集: MITの物理学の教授は、この状況ではファラデーの法則が成り立たないことを示しており、興味深いことに、同じノード間で測定された電圧が異なることをビデオの実験で示しています。このビデオ録画では、38:36から最後まで、これらすべてを体験しています。しかし、私は彼の実験が間違っている他の情報源にも遭遇しました。これを実験してみたら、何を観察するのでしょうか?これを集中回路としてモデル化するにはどうすればよいですか(おそらく電流源を使用しています)? 編集2: 以下の回路は教授が言っていることと同等であると思います(?): この回路のシミュレーション – CircuitLabを使用して作成された回路図 この場合にのみ、彼が意味を成します。オブザーバー1とオブザーバー2は、同じノードAとBの間で非常に異なる電圧を同時に観測します。これを彼の説明に合わせるための別のモデルが見つかりませんでした。コンポーネントとしても短い電流源のように(実際には電流源がないため、この場合、上の2つのノードAは物理的に同じ点です)。

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すべてのコンポーネントはキルヒホフの現行法に従いますか?
キルヒホッフの現在の法則は、ノードを通る正味電流は常に0であると述べています。これは、電荷の保存原理から導き出されたものです。私の質問は、KCLはどの電気コンポーネントにも適用できるのですか?たとえば、トランジスタ、集積回路などに適用できます。 それ以外の場合は、コンポーネントが時間の経過とともに電荷を蓄積することになるので、私はそれが適用できるはずだと私の考えは思います。別の可能性は、コンポーネントが「リーキングチャージ」になることです。たとえば、コンポーネントは「空気中に電荷を流す」などです。この場合、コンポーネントは電荷を蓄積していませんが、電荷が回路の外に移動しています。これも一般的には起こらないと思います。 だから私の質問は、キルヒホフの現行法はどの回路要素にも適用できるのですか?たとえば、電流の方向を考慮して、特定の時間に集積回路のピンを流れる電流を合計すると、0アンペアになりますか?他の回路要素についても同様です。正味電流が0アンペアでない場合はありますか?


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