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UL 508aパネルのワイヤーのサイズを調整しようとしています。ULのワイヤーゲージ要件がありますが、これらの要件は継続使用のためのものです。私が設計しているデバイスは2秒間しか実行されず、実行の間隔は数分または数時間です。対象となる電流は25、50、100、200アンペアであるため、連続使用に適した定格のワイヤーを使用しないことで節約できることがたくさんあります。 このようなパルス用途のワイヤのサイズを決める適切な方法はありますか？（たとえば）75C銅より線4 AWGの連続電流容量が85アンペアの場合、2秒間どれだけ実行できますか？経験則はありますか？いくつかの方程式？テーブル？微積分学の適切な適用？

8 current  wire  gauge 

マルチフィードバックバンドパスフィルターを設計しました input voltage = 100kHz sine wave, 80mV amplitude gain = 2 AV, center frequency = 100kHz pass-band = 10kHz output voltage => centered around +2.5V supply voltage => +5V 設計上の制約として、単電源オペアンプを使用する必要があります。 オペアンプFor Everyoneから計算が行われ、OP27とOP355NAの 2つのオペアンプで望ましい結果が得られました 注意点： 以下に示すように、複数のJFETオペアンプを試しました 理想的なオペアンプを使用して、計算が正しいことを確認しました 以下の回路は、ProteusとLTSpiceソフトウェアの両方で構築およびテストされています。どちらも期待どおりの結果が得られました。 回路設計： アナログ分析（2.5Vを中心とした2のゲイン） 周波数応答（100kHzでの中心周波数） 問題は、これらの部品が表面実装（OP355NA）または非常に高価（OP27）であることです。私は余裕がないオペアンプのために20以上のドルを支払うことに。 これらは私が自由に利用できるシングルレールオペアンプであり、どれも期待どおりに動作しません！ Tl 081 Tl 082 Tl 071 Tl …

8 voltage  operational-amplifier  transistors  current  circuit-analysis 

次のように、抵抗R1に接続された電圧源V1を持つ単純な回路があるとします。 この回路のシミュレーション – CircuitLabを使用して作成された回路図 電流計を直列に接続すると、電流計の内部抵抗が実際の電流読み取り値に影響し、エラーが発生します。しかし、電圧計（内部抵抗が高い）をR1に並列に接続し、測定された電圧をR1で割って電流を計算することもできます。電圧計の内部抵抗による誤差はまだありますが、どちらがより正確でしょうか？より具体的には、どのような条件（つまり、大電流/小電流、R1、V1など）で、電流計の代わりに電圧計を使用して2番目のアプローチを使用する方が正確ですか？

8 current  resistors  current-measurement  voltmeter  internal-resistance 

12V DCモーターを12Vのバッテリーのみに接続しました。モーターは完璧に回転しました。 しかし、私の質問は、理論に基づいて回路に抵抗器が接続されていない場合、電流は無限であり、これによりモーターが燃焼するはずですが、実際にはそうはなりません。誰かが理由と方法を説明できますか？

8 batteries  current  dc-motor  ohms-law 

私はYoutubeでこれらの「DIYスポット溶接機」のビデオをいくつか見てきました。 https://www.youtube.com/watch?v=hTaGa93lOGU。 一次側の回転数は二次側の回転数よりはるかに多くなっています。次に、1次をAC電圧、たとえば240Vに接続し、2次側に小さな抵抗負荷を接続します（または短絡します）。 私は何が起こるかについていくつかの説明を見つけました、そして、彼ら全員は、電圧が二次でステップダウンされると、電流はそれに応じてステップアップされると言います。二次側の電圧は数ボルトになりましたが、電流は最大キロアンペアになることがあります。この高電流により、金属（2次負荷）を溶かす高熱が発生します。 しかし、力は同じであるべきではありませんか？電力は電流と電圧の積です。エネルギーが節約されるため、電流が増加すると、製品が同じままである間、電圧が減少します。 電圧をステップアップする反対のケースでは、変圧器モデルを見ることで何が起こっているのかを理解できます。 二次コイル数が増えると、R_sブランチへの電流が高くなります。したがって、電流が減少しても、電源からより多くの電流を「プル」しているため、使用される電力は高くなります。 しかし、電流が増加するとどうなりますか？プライマリのターン数が多い場合、N_p / N_sの比率が高くなり、R_sブランチへの電流が低くなるように見えます。 誰かが私が誤解していることを私に説明できますか？入力AC電圧を使用するだけでなく、電流の代わりに電圧をステップアップするよりも、アンペア数をステップアップする方が良いのはなぜですか？ 編集：多くの答えは、電流、抵抗、電力の関係を述べています： P=i2RP=i2RP = i^2R しかし、オームの法則により、負荷の両端の電圧も電流の関数であることもわかっています。 V=iRV=iRV = iR したがって、大電流がある場合は、高電圧も必要です。さて、オームの法則と変圧器は一致していないようです！

8 current  transformer  model 

定電圧モードの最新のラボPSUのほとんどが最大許容電流を明示的に表示しない理由がわかりません。 出力オンで電流を0 Aから設定し、エネルギーが不足しているためにデバイスの状態が点滅/不安定である数mAを通過させて、最大駆動電流まで設定し、操作が必要な場合は盲目的に少し高くする必要があります。ある時点でわずかに多くの電流-出力をオフにして電圧と電流を設定してから、回路に電力を供給したい。 ほとんどのラボのPSUに、設定した最大電流が表示されないのはなぜですか。設定電圧のように、私には最低限に見えます。私は数十のモデルを扱ってきましたが、電圧と最大電流を知らせる「レビュー」ボタンが付いたモデルは1つだけでした。 ラボのPSUを誤用していますか？または、なぜすべてのラボPSUに最大電流インジケータがないのですか？

8 power-supply  current 

次のN-MOSおよびP-MOSプッシュプルデュアルMOSFET回路を作成しました。その目的は、3.3Vマイクロプロセッサからいくつかの外部LEDを制御することです。 ただし、以下の回路図に示すように12Vが接続されている場合、デュアルMOSFETチップ「SI4554DY-T1-GE3デュアルN / Pチャネル」がひどい煙のような死をもたらすという問題があるようです。 負荷が接続されておらず、MOSFETが切り替えられていない（アイドル）場合でも、煙が発生します。 データシートで確認できる限り、どの制限（V [GS] <20V、V [DS] <40V）も超えていません。 問題を特定するのに役立ちますか？ありがとうございました！ この回路のシミュレーション – CircuitLabを使用して作成された回路図

8 voltage  transistors  current  mosfet  circuit-design 

電流は自由電子の流れです。これらの自由電子は金属原子の軌道から完全に自由ですか、または原子の1つの軌道から別の軌道にジャンプして移動しますか？ 彼らが完全に自由である場合、何が彼らを金属に留まらせる（またはその表面に）させ続けるのですか？ ありがとう

8 current  electron  metal 

これはおかしな悪い質問のように聞こえるかもしれません。しかし、電流と電圧の不可避性が共存しているのに、なぜこの概念を1つの概念（電流または電圧）に使用するのでしょうか。どこかに信号がある場合、それは同時に電流と電圧の両方です。ただし、そのプロパティの1つだけを挙げます。 それはそれらのうちの1つをよく知ることについてですか？つまり、アンプがあるとします。「既知の電圧ゲイン」のみでアンプを設定する場合は電圧アンプと呼び、「既知の電流ゲイン」で設定する場合は電流アンプと呼びますか。それとも、入力信号の性質によるものですか？ 入力信号の例を挙げて、それが電圧または電流信号と呼ばれる理由を説明できますか？ 編集：私の混乱は解決しませんでした。単段増幅器があるとしましょう。そして、それは入力と出力を持っています。そのような回路とその入力と出力を見ると、電流入力信号または電圧入力信号を増幅していると結論付けるのはなぜですか？入力信号のタイプに名前を付ける方法は何ですか？両方が増加していると想像してください。私はまだ区別する方法を理解していません。 EDIT2：典型的な共通エミッタ安定バイアスシングルnpn bjtトランジスタアンプを想像してください。例：http : //www.electronics-tutorials.ws/amplifier/amplifier9.gif?81223b。この場合のベース電圧は、「バイアス電圧+小信号電圧-エミッタ電圧」です。入力電流は非常に低いです。次に出力を確認します。出力電圧が増加しました。はい。でも待って..出力電流も増えて「beta * Ibase」になりました。これで、入力電流が増加し、入力電圧も増加しました。これは電流アンプですか、それとも電圧アンプですか？Xアンプの場合は、入力信号がX信号であることを意味します。（Xは電流または電圧です）

8 voltage  current  signal 

キルヒホッフの現在の法則は、ノードを通る正味電流は常に0であると述べています。これは、電荷の保存原理から導き出されたものです。私の質問は、KCLはどの電気コンポーネントにも適用できるのですか？たとえば、トランジスタ、集積回路などに適用できます。 それ以外の場合は、コンポーネントが時間の経過とともに電荷を蓄積することになるので、私はそれが適用できるはずだと私の考えは思います。別の可能性は、コンポーネントが「リーキングチャージ」になることです。たとえば、コンポーネントは「空気中に電荷を流す」などです。この場合、コンポーネントは電荷を蓄積していませんが、電荷が回路の外に移動しています。これも一般的には起こらないと思います。 だから私の質問は、キルヒホフの現行法はどの回路要素にも適用できるのですか？たとえば、電流の方向を考慮して、特定の時間に集積回路のピンを流れる電流を合計すると、0アンペアになりますか？他の回路要素についても同様です。正味電流が0アンペアでない場合はありますか？

8 current  charge  kirchhoffs-laws 

NPNダーリントントランジスタが電流のシンクに一般的に使用されていることに気づきました。その目的でPNPを使用するほうが理にかなっているのではないでしょうか。これにより、両方の接合部を介して一度に負荷電流が分流するのを回避できます。確かに、2つのトランジスタ間で電流を共有したい場合があります。ただしその場合、2番目のトランジスタがまだ全負荷を担っていることに注意してください（半分はCEパスを経由し、残りの半分はBEパスを経由します）。 とにかく、なぜトランジスタが電流をシンクするために最も一般的に使用されているのですか。それを運転するのではなく？私はそれを理解したことがありません。 上記の例では、（1）負荷をトランジスタの下に置く方が賢明です。（2）PNPダーリントンを使用する。またはさらに良い（3）ここに示すように、相補的なPNPペアを使用します。 編集： 明確にするために、私が尋ねている質問の1つは次のとおりです。なぜ、このNPNトランジスタをそのまま負荷の上に配置できないのでしょうか。または、そのことについては、PNPダーリントンを負荷の下に配置しますか？また、補完ペアがよりクリーンなソリューションであるように見えるときに、なぜダーリントンが存在するのですか？

8 transistors  current  darlington 

MOSFETのパルスドレイン電流が連続ドレイン電流よりも高いのはなぜですか？MOSFETのデータシートでは、パルスドレイン電流は連続ドレイン電流よりも（少なくとも2倍）はるかに大きくなっています。この背後にある理由は何ですか？

8 current  mosfet  pulse 

私はiCircuit for Androidと呼ばれるこのアプリを使用しています（iCurcuitフォーラムが見捨てられたため、ここで質問しています）。3VバッテリーとLEDを備えた回路がある場合、電流は2.15GAと表示されます。私は電子機器を初めて使用するので、以前に3VバッテリーにLEDを接続したことがあり、問題がなかったので、なぜこれが私にそれをもたらすのか疑問に思っています。

8 current 

スーパーウィルソンカレントカレントミラーを構築しました。Iinは24Vdcで4-20mAです。IinからIoutの精度は5％と非常に悪かった。100オームの抵抗をソースからグランドに接続しましたが、少しは役に立ちました。入力と出力の間の精度を向上させるにはどうすればよいですか？以下は私の回路です ここに回路のシミュレーションリンクがあります：sim link 編集：500オームは、ミラーを使用する回路の負荷抵抗です。470オームは、Iin電流を読み取るPLCの最大可能抵抗です。 スクリーンショット：

8 current  mosfet  analog 

モバイルバッテリーを充電する回路を設計しています。私のソースは15V、100mAのDC出力を提供していますが、充電にはDC 6V、450mAが必要です。DC電流を増やす方法はありますか？

8 power  current