電気工学

定格が120Vのアプライアンスに240Vを流すと、ほぼ確実に損傷することを知っています。 しかし、240V定格のアプライアンスを120V ACソケットに接続するとどうなりますか？パフォーマンスの低下とは別に、アプライアンス自体に損傷はありますか？

10 power-supply  power  ac 

昨日、レギュレータの代わりに分圧器を使用して、より低い電源でセンサーを提供しようとする何人かの生徒に出会った後、私はこの質問について疑問に思い始めました。 レギュレーターを選ぶとき、必要な電圧降下と必要な電力損失をよく見ているようです。とりあえずの効率はさておき、リニアレギュレータがその電力を熱制限内で下げることができる場合、リニアレギュレータはオプションであり、それができない場合は、スイッチングレギュレータに移行します。 消費電流の範囲を把握し、リニアレギュレータへの入力をレギュレーションを維持するのに十分な高さに維持すると同時に、レギュレータが電流全体で過剰な電力を消費しないように十分に低く維持する分圧器を計算できる場合範囲を描く、これは実行可能なアプローチですか？ これが最善のアプローチではない理由はいくつか考えられます。電源の除去比がレギュレータで十分でない場合があります。独自の電力定格を超える可能性のある小さな抵抗器を使用しない限り、このアプローチを実現可能にする消費電流の範囲は非常に小さい可能性があります。スイッチングレギュレータを使用する方が効率的です。等 また、人々がいつもこれをしているのかもしれません。私はそれに気づかなかったのかもしれません。あるいは、分周器の代わりにツェナーが使用されているのかもしれません。電力降下が大きすぎると、人々は主にスイッチングレギュレータに走るようです。 不足しているものはありますか？

10 voltage-regulator  linear-regulator 

一部のボードでSCRが損傷しています。今日、私は一人で直接目撃した。SCRは、電源投入時に実際に爆発しました。梱包材の一部が爆発音とともに飛んだ。SCRの結果の死体を次に示します。 回路についていくつか質問があります。 Q1（S6020L）が問題のSCRです。定格600V、20Aです。AC入力は220Vです。私がしたことは： AC /電源を切ります。 放電C5 電源オン。それと同時に、Q1はバラバラに爆発しました。 整流されたAC信号がピークに近く、C5の電圧がゼロに近いときにSCRがオンになる場合、大きなコンデンサを充電するための巨大な突入電流があると想像します。 私が持っている質問は： この突入電流の大きさと持続時間を計算するにはどうすればよいですか。 この突入電流は、この特定のSCRの仕様を超えていますか？ この場合、整流ブリッジGBJ2006は損傷していません。 数百枚のボードを生産、販売しております。この問題がいくつか発生しています。どういうわけかデザインを変更する必要があるのか​​と思っています（私はハードウェアの人ではありません）。 問題のSCRは実際にはリテルヒューズのものではありませんが、ハードウェア設計者から聞いたように、仕様はS6020Lと一致しています。製造元がわからないので、設計上の問題なのか、部品の品質上の問題なのかを判断しようとしています。 MCU（接続された回路図にはない）はSYNC信号を確認し、適切なタイミングでSCRをトリガーしてC5の電圧を上昇させます。このようにして、突入電流が大幅に削減されます。問題は、私のソフトウェアが担当する前に、電源投入時にMOC3052Mをトリガーするグリッチが存在する可能性があることです。これは一度限りのことであり、その後はソフトウェアが完全に制御します。この突入電流は反復的ではないため、SCRパーツの品質に疑問があります。私がSCRの爆発を目撃した瞬間は、負荷がなく、電源スイッチのスイッチオン直後です。私は明白な解決策がグリッチを取り除くことであることを知っています。ただし、この部分に欠陥があるかどうかを知りたいだけです。 HV_Bus（C5）は1.25-HPモーターに接続され、モーターのもう一方の端子はMOSFETに接続されています。MCUはPWM信号でMOSFETをオン/オフし、C5はこの負荷で放電されます。PWM信号がアクティブな場合、MCUは2kHzの周波数でSCRをトリガーし、C5を充電し続けます。 AC電源の危険：

10 power  current  scr 

私は、ドライバーソフトウェアとFPGA開発の両方を行っているチームに取り組んでいます。FPGAシミュレーションはModelsimで行われ、ドライバーソフトウェアはCで記述されています。統合リスクを最小限に抑えるために、ハードウェアに配置する前に製品の2つの半分の間の相互作用をモデル化できるようにしたいと思います。 Modelsimが、時間と値を入力するテキストファイルの形式で刺激を提供できるテストベンチをサポートしていることを知っています。Modelsimに、パイプを外部アプリケーション（ドライバーなど）に接続し、ソフトウェアが値をテストベンチにプッシュして、後で結果を観察できるような分散シミュレーションを実行できるモードがあるかどうか疑問に思います。 私がテキストファイル入力で行うことができないトリックは、製品の2つの半分を相互作用させることです。ソフトウェアで値をFPGAシミュレータに「書き込み」、結果を読み取ってから、読み取った結果に応じて新しい値をFPGAに書き込む必要があります。テキストファイルでは、入力が出力から独立している必要があります。 StackExchangeとgoogleの両方で検索を実行しましたが、探している動作を特定したり、存在しないと判断したりするために検索を絞り込むためのキーワードセットを思い付くことができませんでした。

10 vhdl  simulation  modelsim 

好奇心からこの質問をします。この556 ICのダイで、四隅に波状の波線があり、上に2つあるのは何ですか。

10 integrated-circuit 

トレースとクリアランス計算の背後にある数学は何ですか？12Vと6Aを伝送するPCBを設計していますが、トレース幅とトレースクリアランスはどのようにする必要がありますか？ 同様に、12V 3Aおよび5V 3Aの場合はどうなりますか。トレースの幅とクリアランスを決定できる一般的な経験則はありますか？

10 pcb-design  trace 

すべてのデータ復旧会社は、スキルにかかわらず、満場一致でデバイスのメモリチップにヘアラインの亀裂しかない場合、データの復旧は不可能であると言っています。ありそうになく、高価ではありませんが、不可能です。ある企業は、FBIでさえデータを取得できないとさえ述べています。これは本当ですか？ どうしてこれなの？非常に一般的なチップのごく一部に小さな亀裂がある場合、すべてのデータが完全に消えてしまったとは信じがたいです。 どこかの才能のある人がチップの領域をパッチしてデータの一部を取り戻すことができるだろうと私は思ったでしょう... それは料金と関係がありますか？フラッシュメモリはトランジスタを使用して、1と0を電荷の形で格納することを知っています。チップにクラックが発生した場合、トランジスタは「ショートアウト」して、それらをすべてゼロに変えますか？データは回復不能ではなくなくなっていますか？ 入手したいのは、素晴らしいホリデービデオです。それらが永久になくなったと思って、それから私はデータ検索について学び、それらを取り戻す良いチャンスがあると思いました、そして私はメモリチップがクラックされるならば実際には全くチャンスがないことに気づきました。 回収はどのくらいですか？何百？それとも数千？100万、RedGrittyBrickが言うように？メモリーカードを手に入れたら、数年でそのような高度な検索の価格が下がる可能性があると思いますか？それともこれは非現実的ですか？ ここでは256mb sdカードについて話しています。 テクノロジーはSDカードなどから統合メモリに移行しており、良さは他に何を知っていると思います...アトミックメモリ、DNAメモリ。今日、カセットテープに関する新しい高度な手順で人々が出てくるのを見かけませんか。私は弾丸を噛んであきらめるだけですか？ また、私はこの分野の趣味家でさえありませんが、私は物事がどのように機能するかについて一般的に興味があります。

10 flash  sd 

BLEは100Kbpsのデータペイロードしか持っていないので、Bluetooth Low Energyを使用してライブビデオをストリーミングできるかどうか疑問に思っていましたか？ クラシックBluetooth 4.0には2Mbpsのデータペイロードがあり、ビデオの送信が容易になりますが、総電力に関心があるため、BLEを実装したいと考えています。BLEを使用してビデオをストリーミングしても同じ結果が得られますか？

10 bluetooth  bluetooth-low-energy 

私が使用しようとしています携帯ラムを上Nexys 4 FPGA開発ボード。ザイリンクスVivadoを使用していて、Microblazeソフトコアプロセッサで読み取りと書き込みを実行できるようにしたいと考えています。これまでのところ、ブロックデザインでプロセッサを作成しました。 インターネットを何度も探した結果、有望と思われる外部メモリコントローラーまたはEMCが見つかりました。Ramを接続するにはどうすればよいですか？HDLラッパーを作成し、EMCのポートをRAMのピンに接続してみましたが、必要以上のポートがあります。Nexys 4の例やVivado EMCの例は見つかりません。 また、Nexys 2にはオンボードメモリコントローラーの例があることがわかりました。RAMのパーツ番号が同じであることがわかります。これは使用できますか？また、Mircoblazeと組み合わせてどのように使用しますか？

10 fpga  memory  ram 

シンプルなAMラジオを構築したいと思います（とてもシンプルなので、AMチャネルは1つしか受信できません）。 8オームのスピーカーに出力するシングルチャネルAMラジオを作成する最も簡単な方法は何ですか？（例：1030 AM） 私の現在の考えは次のやや曖昧な線に沿っていますが、私はそれらをより具体的にしたいと思っています。 ワイヤーをアンテナとして使用する アンテナからの入力を目的の周波数に調整するLC回路を作成する 信号を増幅する 増幅された信号をスピーカーに接続する アンテナとは別に、ブレッドボードに差し込むことができる特定の値のコンデンサやインダクタなどの既成の「ディスクリート」コンポーネントを使用したいと思います。

10 audio  rf  am 

私はミツバチの巣箱でいくつかの重量測定を行うことを検討している4Hプロジェクトに関与しており、それを行うためにいくつかの3線式荷重センサーを理解しようとしています。 私は1つのバスルームスケールから4つの3線式センサー（負荷センサー/ひずみゲージ）を持っています（各センサーは隅にありました）。各センサーには、赤、黒、白のワイヤーがあります。赤いワイヤーと黒いワイヤーまたは白いワイヤーの間の抵抗は1kオームです。白と黒のワイヤー間の抵抗は2kオームです（私のロードセルのリード間の抵抗はそれぞれR-> B = 1K、R-> W = 1K、B-> W = 2kでなくなりました）。 このため、各3線式負荷センサーはホイートストンブリッジの2分の1を表すと言われました（各センサーには2つの1k抵抗レッグが含まれています）。 単一のウィートストーンアプリケーションに頭を悩ませることはできますが、2つのウィートストーンブリッジから作成したスケールがどのように機能するのか混乱しています。私の質問は、もしそうなら、なぜスケールに2つのホイートストンブリッジが必要なのですか（4つの3線式センサーすべてが1つのバスルームスケールから来たことを思い出してください）？

10 load-cell  wheatstone-bridge 

時々あなたは何かを試す必要があり、どんな質問をするかを知る前にうまくいかない場合があります。これはその時代の1つです。 最近、ヘッダーピンを2x16 LCDディスプレイにはんだ付けしました。これがはんだ付けの私の最初の試みでした。それは「うまくいった」が、それが必要以上に難しいように見えたし、接続が不思議なことに断続的にならないという確信はあまりない。問題の一部は私のテクニックだと確信していますが、別の材料が必要かどうかも疑問に思っています。 Weller WES51はんだ付けステーション（PES51ポイントチップアイアンに付属）があり、新品なので問題ないはずです。 ここで何かを読んで、私はKesterはんだを購入すると思いました。はんだの種類がいくつあるのかまったくわからなかったと言っても過言ではありません。Kesterには、6ファミリのはんだワイヤと10ファミリのフラックスがあります。（誰かわかったね？） そこで、「245フラックス入りワイヤ」 SN63PB37 0.025インチをいくつか購入しました。これは「フラックス入り」なので、フラックスを購入する必要がないと思いました（これが正しいかどうかはわかりません）。 長い説明で申し訳ありませんが、ここに私の質問があります： おそらくYouTubeにはんだ付けのビデオがあることは知っていますが、誰かがよくできていると感じているビデオを誰かに推薦できますか？はんだ付け情報の品質を判断する方法がわかりません。 適切な製品を購入しましたか？正直なところ、私はすべての異なるタイプを本当に理解しているわけではありません。私はリードしたいことを知っています、ここの人々が60/40または63/37を推奨するのを見ました。私はこれがそうであると私が思う「クリーンでない」はんだのアイデアが好きです。そして0.025サイズは大丈夫だと思われます。私の質問は、主にさまざまな種類のコアに関するものだと思います。 フラックスは必要ですか？私の問題の1つは、ホットピンをヘッダーピンの周囲に配置したかったことです。私ができる最善のことは、接触領域からピンまでの丘を一種構築することでした。ピンの周りにいくつかのフラックスを置くことは役に立ちますか？また、フラックスが必要な場合、10種類のうちどれが必要ですか。

10 soldering 

タイトルはそれをすべて言います。 トランジスタレベルでフラッシュメモリ技術の働きを理解しようとしています。かなりの調査の結果、フローティングゲートトランジスタについて、そして電子を注入したり、セルから取り除く方法について、直感を得ました。私はCS出身ですので、トンネリングやホットエレクトロン注入などの物理現象についての私の理解はおそらくかなり不安定ですが、それでも私はそれに慣れています。また、NORまたはNANDのメモリレイアウトからデータを読み取る方法についても考えました。 でも、フラッシュメモリはブロック単位でしか消去できないし、ページ単位でしか書けない、とあちこちで読んだ。しかし、私はこの制限の正当化を見つけられず、なぜそうなのかについて直感を得ようとしています。

10 transistors  memory  flash  non-volatile-memory 

Hブリッジをベースにした24Vから350VのDC-DCコンバーターを設計しています。電力要件は500Wで、回路は20KHzで動作します。デザインはかなりうまくいき、200Wの負荷で約90％の効率を達成しました。回路の主な問題はリンギングです。トランスがH-Bridgeに接続されている場合、波形が歪む/リンギングします。変圧器がなければ、負荷がかかっていても波形は非常にきれいです。下の図は、トランスが接続されているが負荷がない場合の波形を示しています。 すべてのFETにコンデンサを追加すると、歪みを大幅に最小化できることがわかりました。これは、これを示す私のoスコープの写真です（左は負荷なし、右は抵抗負荷200Wです）。トランスからの出力はフルブリッジ整流器で整流され、コンデンサーで平滑化されることに注意してください。 だから私の質問は：FET全体のコンデンサが歪みを最小限に抑えるのはなぜですか？サーキットでは何が起こっていますか？私は最初にFET全体にRCスナバを追加しましたが、回路は抵抗とコンデンサだけなしではるかにうまく機能します！ これが回路図とレイアウトの写真です：

10 switch-mode-power-supply  h-bridge  capacitance 

-40dBm〜-90dBmの範囲で1つの500 MHzの正弦波に対して機能する正弦波レベル検出器を構築したいと考えています。これは趣味のプロジェクトなので、コストは大きな障害にはなりません:-)が、私は2W未満でおおよそのマッチボックスサイズにしたいと考えています。 私の最初の試みは-75dBmまでしかうまくいかないので、-90dBmに到達するためのより良い回路を設計するための助けが必要です。これを行う回路を設計する最良の方法は何ですか？ バックグラウンド 設計の最初の試みはここにあります： 私のシグナルチェーンは次のとおりです： SMA> ADG918（スイッチ）-> MAX2611（LNA）-> MAX2611（LNA）-> AD8363（レベル検出器）-> A / Dコンバータ 最初のスイッチは、既知の振幅の基準信号を選択して校正できます。2つのLNAはそれぞれ約20dBのゲインを持っています。絶対精度は重要ではありません-回路が比較的安定している限り、すべてを校正できます。 最初の設計の結果： 1 / fノイズおよび熱ノイズと戦っていますが、-90dBmまでの測定を実現できる優れた設計とは何ですか？ 更新 熱雑音が500 MHzの広帯域の目標より上のノイズフロアをもたらすため、別の回路が必要です（Andy akaが彼の回答で説明しているように）。 システムは測定する周波数を「認識」しており、-10dBmのシステムにはその正確な周波数のかなり純粋なトーンがあります。 完璧な答えは、主要な部品の例を示し、大まかなブロック図をスケッチすることです。

10 rf  high-frequency  detector  noisefloor