FETの両端のコンデンサがリンギング/歪みを最小限に抑えるのはなぜですか？

Hブリッジをベースにした24Vから350VのDC-DCコンバーターを設計しています。電力要件は500Wで、回路は20KHzで動作します。デザインはかなりうまくいき、200Wの負荷で約90％の効率を達成しました。回路の主な問題はリンギングです。トランスがH-Bridgeに接続されている場合、波形が歪む/リンギングします。変圧器がなければ、負荷がかかっていても波形は非常にきれいです。下の図は、トランスが接続されているが負荷がない場合の波形を示しています。

すべてのFETにコンデンサを追加すると、歪みを大幅に最小化できることがわかりました。これは、これを示す私のoスコープの写真です（左は負荷なし、右は抵抗負荷200Wです）。トランスからの出力はフルブリッジ整流器で整流され、コンデンサーで平滑化されることに注意してください。

だから私の質問は：FET全体のコンデンサが歪みを最小限に抑えるのはなぜですか？サーキットでは何が起こっていますか？私は最初にFET全体にRCスナバを追加しましたが、回路は抵抗とコンデンサだけなしではるかにうまく機能します！

これが回路図とレイアウトの写真です：

どの構成がどの構成のものかは完全にはわかりませんが、コンデンサを追加することは、スイッチング回路の効率を低下させるため、良い考えではありません。トランスは誘導性であり、自己容量を持っているため、リンギングが発生します。FETが切り替わると、共振調整回路が得られ、リンギングが発生します。

私はあなたの変圧器を改善しようとする以外に何もしません。多分あなたはこれの詳細を与えるべきです。リンギングを引き起こすように見える他の影響もあります。つまり、o-scopeの接地点が測定点の近くになく、スイッチング電流からそのループに誘導電圧が発生します。これは一般的に起こります。測定手法が適切であることを確認してください。