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いくつかの1300mAhセル用にシンプルなNi-Cd充電器（基本的には0.1C電流源）を構築しました。これは、セルで特定の電圧に達したときに停止する必要があります。オペアンプを使用してスイッチを設計しようとしましたが、電流源がセルに印加している電圧を、カットオフをトリガーするはずだった電圧に制限するだけです。オペアンプによって駆動されるリレーを使用できることはわかっていますが、実際には使用しません。 それでは、特定の電圧に達したときにどのように電源を遮断できますか？ ここに私があなたにアイデアを与えるためにしたことの概略図があります。

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私は24VACソレノイドをオン/オフするためのシステムを設計しました（そして現在ほとんど実装しています）。これを達成するために、トライアック出力のオプトカプラー（Sharp PR26MF1xNSZシリーズ）を使用しました。このデバイスのデータシートには、「ソリッドステートリレー」、「赤外線発光ダイオード（IRED）、フォトトライアック検出器、およびメイン出力トライアックの統合」と記載されています。 私はそのようなことに興味があり、この部分の他のオプションを探し回るようになりました。私はVishay Semiconductorが提供する同様の部品の製品に出くわし、Vishayはこのタイプのコンポーネントを2つの異なるカテゴリに分類しています。それは、ソリッドステートリレーとトライアック出力付きのフォトカプラです。 Vishayの2つの代表的なデバイスのデータシートを調べたところ、フォトカプラはSharpの部品と非常によく似ているように見えますが、ソリッドステートリレーの部品はTRIACを出力に使用していません。代わりに、MOSFETのペアを出力ステージとして使用しているようです。 これら2つの異なるタイプのパーツの長所と短所は何ですか？トライアックの代わりにMOSFETを出力段として使用する利点は何ですか？「ソリッドステートリレー」と「トライアック出力を備えたフォトカプラ」には実際の違いがありますか、それとも「ソリッドステートリレー」はACまたはDCの切り替えに使用できるデバイスに使用される用語ですか？

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現在、DDSベースの関数発生器に取り組んでいます。アイデアは、三角形/正弦波または方形波を生成するAD9834チップを使用することです。いくつかの増幅エレクトロニクスでは、設定可能な周波数、オフセット、振幅が必要です。達成したい設定周波数はありませんが、10MHzを超える値を取得するのはよいでしょう。私は最善の結果を得るために物事をうまく動かそうとしている。 振幅分解能のいくつかの範囲を切り替える方法を検討してきました。たとえば、最大で10Vの振幅を取得したいのですが、低い振幅（<2V）で1mVのステップサイズを使用します。16ビットDACの使用を避けるために、リレーを使用して2つのフィードバック抵抗または2つの増幅回路（閉接点と開接点の2つの異なる範囲）を切り替えることを考えていました。リレーは、希望する波形に対してすべてのDACとリレーをどの設定にするかを決定する、ある種のマイクロコントローラーによって切り替えられます。 私の主な懸念は、リレーが追加のノイズを追加する可能性があることです。メカニカルリレーは大丈夫だと思います（これは本当ですか？）。ソリッドステートリレーもサイズの関係で見ていました。 しかし、Wikipediaで読んだところ、ソリッドステートリレーは閉じていると抵抗が高くなり、「電気ノイズが増加」します。低振幅（たとえば、100mVpp）または高周波信号（> 5MHz）のソリッドステートリレーの問題はどれほど大きいか。SSRを使用する価値がありますか、それとも代わりに複数のMOSFETを使用しますか？ ソリッドステートリレーを回避し、代わりに機械的スイッチングに焦点を合わせる必要があります（信号がよりきれいに通過すると予想されるため）？

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私は加熱用途にニクロム線を使用しており、スロークッカーの清掃済み部品を使用しています。ニクロムをオン/オフにする最も簡単な方法は何ですか？私は、ニクロム線に直接給電するソリッドステートリレー（SSR）を介して120VACのマイクロコントローラースイッチを使用することを考えています。 気にする必要のあるインダクタンスの問題はありますか？ニクロムは1本の長いストリップであり、コイル状に巻かれていません。

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