タグ付けされた質問 「bootstrap」

NチャネルハイサイドMOSFETをスイッチングするためのMOSFETドライバーICのブートストラップドライバーの動作に非常に精通しています。基本的な操作は、このサイトおよびその他で網羅されています。 私が理解していないのは、ハイサイドドライバー回路自体です。優れたドライバは大量の電流をプッシュおよびプルするため、IC内にVHピンをハイまたはローに駆動する別のトランジスタペアが存在することは理にかなっています。私が調べたいくつかのデータシートは、Pチャネル/ Nチャネルペア（またはPNP / NPN）を使用していることを示しているようです。ICチップの構造を取り去ると、回路は次のようになります。 この回路のシミュレーション – CircuitLabを使用して作成された回路図 再帰の問題を導入したばかりのようです。「フローティング」としてマークされたノードが任意の高電圧になる可能性があると仮定すると、ドライバーを駆動するためにさらに別のドライバーを必要としないM3およびM4をどのように駆動しますか（など）。これは、ハイサイドドライバーが最終的に何らかのロジックレベルの信号によって制御されることを前提としています。 言い換えると、任意の高いフローティング電圧が与えられた場合、M3とM4のプッシュプル駆動は、チップ外から発生するロジックレベルの信号によってどのようにアクティブになりますか？ 明確化のポイント：私が尋ねている特定の質問は、ロジックレベルの信号でハイサイドプッシュプルブートストラップドライブをアクティブにすることだけに関係しています。ハイサイド電圧が比較的低い場合、これは些細なことであると認識しています。ただし、電圧がトランジスタの標準的なVdsおよびVgs定格を超えると、これが難しくなります。何らかの種類の絶縁回路が関与すると予想されます。まさにその回路がどのように見えるかは私の質問です。 M4がPチャネルFET（またはPNP）である場合、別のブートストラップ回路は必要ないことを認識しています。しかし、外部トランジスタが前後に切り替わるときに、M4とM3の両方に対して適切なVgsを生成する回路を考えるのに問題があります。 以下は、上で描いたものと同様の回路を示す2つの異なるデータシートからのスクリーンキャプチャです。どちらも、「ブラックボックス」ドライバー回路に関する詳細には触れません。 MIC4102YMから： そして、FAN7380：

14 gate-driving  mosfet-driver  bootstrap 

この「ブートストラップバイアス」アンプ回路を理解しようとしています。下の写真は、GJリッチーの本「Transistor Techniques」からの抜粋です。 この回路は、「分圧器バイアス」のバリエーションであり、「ブートストラップ部品」R3R3R_3およびが追加されていCCCます。著者は、より高い入力抵抗を達成するためにR3R3R_3とCCCが使用されることを説明しています。著者はこれを次のように説明しています。 ブートストラップコンポーネント（およびC）を追加し、信号周波数でCのリアクタンスが無視できると仮定すると、エミッタ抵抗のAC値は次のようになります。R3R3R_3CCCCCC R′E=RE||R1||R2RE′=RE||R1||R2R_E' = R_E || R_1 || R_2 実際には、これは小さな減少を表します。RERER_E 今、エミッタ抵抗を有するエミッタフォロワの電圧利得 あるA = R ' ER′ERE′R_E'、これは非常に団結に近い。したがって、ベースに入力信号vinが適用されると、エミッタに現れる信号（Avin）がR3の下端に適用されます。したがって、両端に現れる信号電圧 R3は、である（1-A）VIN、非常に少ない全入力信号より、及びR3は、今や（AC信号用）有効な値を有するように見えるの：R'3=A=R′Ere+R′EA=RE′re+RE′A=\dfrac{R_E'}{r_e+R_E'}vinvinv_{in}AvinAvinAv_{in}R3R3R_3R3R3R_3(1−A)vin(1−A)vin(1-A)v_{in}R3R3R_3。R′3=R31−A≫R3R3′=R31−A≫R3R_3'=\dfrac{R_3}{1-A}\gg R_3 これを理解するために、回路のACモデルを作成しました。ACモデルは次のとおりです。 ACモデルから、エミッター抵抗がという著者の主張を検証できます。| R 1 | | R 2およびVのラベルが付いたノードの電圧が入力電圧よりわずかに低いこと。また、R 3の電圧降下（V i n − Vで与えられる）が非常に小さくなることもわかります。つまり、R 3は入力からほとんど電流を引き出さないことを意味します。RE||R1||R2RE||R1||R2R_E || R_1 || R_2R3R3R_3Vin−VVin−VV_{in} - VR3R3R_3 ただし、その説明からはまだよくわからないことが2つあります。 1）エミッタフォロワーの電圧利得（）ここで、R3の影響を無視しますか？A=R′Ere+R′EA=RE′re+RE′A=\dfrac{R_E'}{r_e+R_E'}R3R3R_3 2）がAC信号に対して異なる「実効値」を持つように見えるとはどういう意味ですか？R 3が値を変える理由がわかりません。R3R3R_3R3R3R_3 前もって感謝します。 編集 この回路の動作をさらに理解しようとするために、2つの方法でAC入力抵抗を見つけて分析することを試みました。参考のために、この質問に対する回答として両方の試みを投稿しました。

13 transistors  amplifier  bjt  bootstrap  biasing 

でOPA454データシート、私は（それに共通の名前がある場合）、それは通常と呼ばれるものはよく分からないことは興味深い回路のアイデアを見つけました。 2つのオペアンプを使用して3番目のオペアンプのレールをシフトする必要があります。ブリッジされた[固定負荷]構成とは異なり、この回路では電圧供給レールを2倍にする必要があることに注意してください。一方、この回路では負荷がフロートしていないため、tsのアイデアとブリッジを組み合わせて、出力電圧振幅を4倍にすることができます（単一のオペアンプを使用する場合と比較して）。ここでは、6オペアンプのブリッジの画像をかなり自明として省略しています。前述のデータシートで見つけることができます。 私の質問は、この回路のアイデアの一般名（ある場合）です。「動的レール」、「動的動作点」などの名前を作成すると、私にはそれが妥当だと思われます。（しかし、これらの名前はグーグル検索を介して賢明な結果を返しません。） EDIT：2つのBJTの代わりと題した1999年EDNの記事で「レールシフター」（A1とA2）のためのオペアンプと似ているが、安価Iも鋸何か、 「あなたのオペアンプの収量をブートストラップ広い電圧スイング」 [そして] ADによって書かれました従業員のグレイソンキングとティムワトキンス。BJTを使用すると、非線形性がさらに高まることは間違いありません。そのため、おそらく「bootsrappingは」...この技術の名前であるかもしれないが、ロッド・エリオットのページが、このアプローチは、との問題を議論しているを呼び出すことはありません、私は確信していないので、「ブートストラップ」はそれの名前...である、（EDIT3：まあ、これはその回路の目的の誤った読みでした;質問の下のコメントを参照してください。） EDIT2：別の記事とADアプリケーションノートAN-232（その記事で引用）では、「供給のブートストラップ」または「基板のブートストラップ」は同様のものを指します（「フィードバック」を介してレール電圧を変更します）が、これらの記事では別の目的で行われます：FET入力ステージを備えたオペアンプの入力容量の非線形性の低減...したがって、「ブートストラップ」は私が尋ねた考えを包含していると思いますが、一般的にこれを使用することを意味します他の目的のための供給電圧シフト技術。

9 operational-amplifier  bootstrap