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私はニキシー電源に取り組んでいますが、改善したいと思います。 4x9Vのバッテリーを直列に接続し、合計36Vを乗算器で切り替えます。 （TTL）555タイマーは約、（私は推測、あなたがしたいか、任意の周波数）8.5っぽいボルトの方形波、10kHzのを生成するだけで最初の9Vバッテリから非安定を実行しています。50％の義務。 555出力は、NチャネルBS170 MOSFETのゲートを駆動します。 MOSFETのドレインは約1.2kΩの抵抗を介して36Vまで接続されています。この抵抗は、以下に電流を流すために可能な限り低くする必要があります。 6段のCockcroft-Walton乗算器で、無負荷で〜220VDCの出力を生成します。残念ながら、チューブに直列に接続された47kΩの抵抗によって負荷がかかると、約155VDCに低下します。 私はこの回路について好きなもの： It Works™ 私が手に持っていると思われる非常に一般的な部品で構築することができます。例えば： インダクタは不要です。 ブーストコンバーターなどの特別なICは必要ありません。 各ステージを処理するのに必要なのは、フルシェバンではなく、電圧定格のコンデンサとダイオードのみです。 Multisimがクラッシュします。 私がこの回路について気に入らないこと： 出力電圧は、わずか約600μAの負荷で約155VDCに低下します。 私はあまりにも愚かなので、乗算器で36Vを切り替えるより良い方法を考えることはできません。 555タイマー出力が高い間、私は単に乗算器を駆動するためにドレイン抵抗で1W以上を浪費しています。 乗算器の入力電圧は、ドレイン抵抗によって妨げられます。 どうやって： 電源出力を40V未満に落とすことで最大10mAを供給できるように改善しますか？ 私が試してみました： MOSFETドライバーセクションを次のようなものに置き換えます。 この回路のシミュレーション – CircuitLabを使用して作成された回路図 このインバータを試してかなりの数のトランジスタを乾杯しました。示されているように、インバータのゲートは10kΩ抵抗によって36Vにプルアップされています。ゲートの充電時間がトランジスタを破壊した可能性はありますか？ 編集：両方のインバーターFETのゲート-ソース電圧の最大定格が±20Vであることに気付きました。それはなぜ彼らが揚げたのかを説明するでしょう。うーん、たぶん単一の10kΩの代わりに、各ゲートを個別に駆動する分圧器を作ることができますか？ 改善方法に関するウィキペディアの記事を読む： これらの理由から、多数の段を備えたCW乗算器は、比較的低い出力電流が必要な場合にのみ使用されます。これらの影響は、下段の静電容量を大きくする、入力電力の周波数を大きくする、正方形または三角波形のAC電源を使用することで部分的に補償できます。 他の人気のあるニキシー電源設計を研究し、 これらのようなています。 乗算器の36Vをより効率的に切り替えると、パフォーマンスの改善に大きく役立つと思います。 編集/要約：乗算器の36Vをより効率的に切り替えることは、パフォーマンスの改善に大いに役立ちました。何人かの人々が示唆したように、ここでは「プッシュプル」と呼ばれるものが簡単に修正されました。個別に駆動されるゲートを備えたCMOSインバーターにより、チャージポンプの効率が大幅に向上します。 2つのチューブを搭載した場合、電源は約216VDCになり、大幅に改善されました。

18 switching  charge-pump  multiplier  nixie 

ショートバージョン： 2つのアナログDC入力を受け取るアナログ乗算器を作成するにはどうすればよいですか？ ロングバージョン： 私がコメント作られた私は自分自身にいくつかに（再び）自分と考え方を見てしまったので、やっている間、別の質問のためのベン食いの動画を推薦する「うーん...私はいくつかの部分は純粋にアナログにするために容易になるだろうかしら」。 バスは、異なる電圧レベルが後でADCを使用してビットに変換される1本のワイヤーである場合もあります。 理論的にはフィボナッチ数を計算できる少しここまで来ました。 図1、最初のフィボナッチ数を計算するハイブリッドコンピューターの小さなデモ シミュレーターへのリンク。 上のgifでは、電圧範囲から外れているので、フィボナッチ数が簡単にわかります。実際には、250 mV =バイナリ1（「設定値」のLSB）を使用し、それを介して伝播させます。コンデンサあたり4ビットを保持するDRAM。 gifで確認する重要な部分は、「a + b」テキストの右側にあるオペアンプの出力です。フィボナッチ数を示しています。 すべての操作の合間に、ADCに続いてDACを使用して答えを定量化します。したがって、1.1Vを読み取ると、DACはそれを1.0 Vに変換し、その後、DRAMに保存します。そして、Xクロックごとに、DRAM全体が量子化器を通過して、コンデンサが浮かないようにする必要があります。 ALUは+、-、および平均のみを実行できます。掛け算を考えていて止まりました。以前にダイオードベースの乗算器を作成して見ましたが、ダイオードを一致させる必要があるため、使用しないでください。むしろ、ポテンショメーターでトリミングできる抵抗を使用します。Anywhoo、私はハイブリッド乗算器、半分アナログ、半分デジタルを思いついた。 だから私はどこでも同じ抵抗器で最初のものを作りました。 図2、デジタル数値とアナログ値の間の単純な乗数。デジタル値は1だけオフセットされます。 それから私はバイナリの重みでこれに変えました： 図3、バイナリで重み付けされたデジタル数値とアナログ値の間の単純な乗数。デジタル値は1だけオフセットされます。 これはR2 / Rラダーを思い出させましたが、オペアンプでそれらを動作させることができませんでした。 しかし、私はR2 / Rラダーがどのように機能するかを考え、出力が電圧源で乗算されることを思い出しました。だから私は最終的にこのデザインを思いつきました： 図4、バイナリ加重デジタル数値とアナログ値の間のR2 / Rベースの乗数 私はそれが好きですが、唯一の問題はバスがアナログであり、1本の線だけであることです。したがって、上の図4のソリューションを使用せざるを得ない場合は、ハイブリッドCPUの乗算領域で別のADCを使用せざるを得ません。量子化領域で再利用することはできません。 質問の時間： 2つのアナログ入力を受け取る乗算器をどのように作成すればよいですか？ 私はしていないに基づいて解決したいことと、4オペアンプ3個のダイオードあなたがトリムダイオードことができないために。私の信念は、それらが一致しない場合、250 mVを超えるオフの応答を与えると考えています。私はこれを現実の世界では試していません。 文字通りこの単語より1インチ上のリンクでMOSベースの乗数を試しましたが、私が馬鹿げているかどうかはわかりません。シミュレーターで動作させることができません。MOS実装の失敗については、下のgifを参照してください。または、シミュレーションのこのリンクをクリックします。 私は問題にマイクロコントローラを投げたくありません。 私はしていない回転とすると、いくつかのペテンを使用しているモーターを使用したいです。 ローパス構成でRCフィルターを使用してを取得することを考えていましたe− tR Ce−tRCe^{\frac{-t}{RC}} 424= 0.25424=0.25\frac{4}{2^4}=0.25 乗算が行われた後、量子化器に渡され、値がバイナリ値に可能な限り近いことを確認します。したがって、小さなエラーは問題ありません。 これは、MOSベースのものを作成しようとして失敗したことを示すgifです。 図5、上のwikiリンクから回路図をコピーしましたが、シミュレーターでは機能しません。 それがうまくいったなら、リファレンスの電圧を5 Vから-5 Vに変更したときに、どこかで1 Vの値が表示されたはずです。

10 analog  cpu  multiplier 

高電圧を得るために電圧マルチプライヤを作成したいのですが、それを機能させるにはACを入力する必要があり、DCを取り出す必要があることを理解しています。乗算器がコンデンサとダイオードで構成されていることも理解しています。 私が理解していないのは、使用するコンデンサのサイズの計算方法です。私はしばしば10nFの値を見たことがあります。しかし、それは何をしますか、そしてあなたは異なる価値を使用できますか、そしてそれはどんな効果をもたらしますか？合計出力電圧を計算する場合でも、電圧乗数の式はありますか？まず、電圧ダブラーを作成したいとします。10nFを使用しますか？

8 voltage  multiplier 

次の操作をサポートする2つの8ビット入力AおよびBと制御入力x、y、zを備えたALUを設計する必要があります。 x y z | operation 0 0 0 | S = A-B 0 0 1 | S = A+B 0 1 0 | S = A*8 0 1 1 | S = A/8 1 0 0 | S = A NAND B (bitwise) 1 0 1 | S = …

8 alu  adder  calculator  multiplier