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バラン/マッチングネットワークの質問
バラン値を計算するためにアプリノート(AN068)が説明する内容を確認するのに問題があります。誰かが私に何をどこで間​​違っているのか教えてもらえたら幸いです。 RFパーツの概要: 青色の部分はDCブロッキングキャップ、C10-L1およびL3-C11はバラン、灰色の部分はPIネットワークです。IC(CC2500)データシートは、RF_PおよびRF_Nでの最適負荷を80 + j74オームとして定義しています。 7ページの図6から、差動回路を示し、下の図(図7)は、インピーダンスを2で除算した単一部分を示しています。 「値が大きいため、DCブロッキングキャップは無視されます」。トレースをマークして、トレースのインピーダンスを計算で取得します。20 + j0はテブナン等価インピーダンス(Zout)です。 デザインのガーバービューを次に示します。 アプリノートでは、バラン部品のトレースのインピーダンスを計算することを推奨しています(パッドからパッドへ)。両方のパスの長さは同じです。左のパス:C9からL3:0.192mm; L3からC11:0.177 mm; C11からC12 = 0.185 mm; 全長は0.554 mmです。トレースの幅は0.254 mmで、ガーバーの文書にはFR4の厚さは1.6 mmであると書かれています。アプリノートには、2.45Gzの誘電率を4.1、タン損失0.0155として入力するように記載されています。 ガーバーファイルとアプリノートから測定した値をNIのライン計算機に入力します。 135.674オームのインピーダンスと2.67941度の電気長を示しています。 その後、アプリノートが示唆するように、スミスチャートでソースインピーダンスを40 + j37オーム(青い円)として定義し、負荷インピーダンスを20 + j0オーム(赤い円)として定義します(左下側に小さな回路表現があります) 。その後、伝送ラインを追加し、ライン計算機からパラメーターを定義します(135.674オーム、2.67941度)(プログラムでは正確な数値を入力できないため、可能な限り最も近い値を選択します)。最後に、最終設計でこれらの値を使用するため、1pFと1.2nHの直列インダクタを備えたシャントコンデンサを追加しました。 ただし、アプリノートに示されているように、インピーダンスが一致しない別のスミスチャートが表示されます。 TLのインピーダンスに335オームを入力し、他の値を同じに保つと、一致します。ライン電卓で335のインピーダンスを取得するには、奇妙な値を入力する必要があります。 どこで間違っていますか? 編集1:私はアプリノートが無線ピンから長さを測定するように言っていると思います、そしてMCUからC9までは0.506mmです。全長は1.06 mmです。電気長を5.12667度に変更するだけです。これは、上記のスミスチャートで4度(使用するプログラムで可能な限り小さい)を使用したときとほぼ同じスミスチャートです。

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スミスチャートの説明
うまくいけばシンプルなRF(912 MHz)減衰器の設計に取り組んでいます。いくつかの異なるレベルの減衰が必要ですが、それぞれの減衰器を修正できます。 ネットワークアナライザーを使用してS21測定を実行すると、まともな減衰レベル(かなりフラットな19dB)が得られるTパッド構成の市販の抵抗器を使用して試作しました。 しかし、S11を測定すると、スミスチャートはいたるところにあります。 今、私は私のプロトタイプが非常に貧弱であることを述べる必要があります。基本的に、私は同軸ケーブルを分解し、2つのSMAコネクタの端の間にある、計算に近いカーボン5%抵抗を手ではんだ付けしました。 私の質問は次のとおりです。スミスチャートとは何ですか。また、それを使用して減衰器とケーブルの設計を改善するにはどうすればよいですか。超高精度である必要はなく、特定の周波数範囲(905〜920 MHz)でのみ機能する必要がある場合、これは基本的な固定RF減衰器を作成するための実行可能な方法ですか? いつものように、あなたの助けに感謝します。 編集: これは、アッテネータなしの分解した同軸ケーブルのSCです。 これは、ケーブルの真ん中にアッテネーターが付いたケーブルのSCです。 これが、私が関心を持っている周波数範囲にわたる減衰のログプロットです。最初に減衰器を使用しません。 減衰器を使用した2番目: また、別の質問が私を襲った。出力の信号電力を低減しようとしているだけの場合、どこで/どのように損失が発生するかは重要ですか?したがって、グラフで示されているようにインピーダンス整合が悪いと、VSWRが高くなることを知っています... 再度、感謝します。
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