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電子が離れると、穴だけが作成され、別の電子が穴を埋めると、穴だけが移動するので、そのようにして、両方が同じ速度で電流を伝導する必要があります。しかし、正孔は電子よりも移動度が高いと言われています。それがどういうことか説明してください、私は混乱しています。

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私は、祖父の影響の中に、RF GaAs FETと思われる写真を見つけました。この写真の日付（1975年）に彼はGaAs FET研究所で働いていました。裏面には「メサのゲート幅300μm」と表示されていました。 1977年に申請された米国特許US4160984Aに関連していたと思います。彼は発明者の一人としてリストされています。 構造は私には異質です。ゲート、ソース、ドレインはどこですか？構造に関する追加情報をいただければ幸いです。

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ですから、シリコンが最も一般的な半導体であることは知っています。しかし、他にも数えきれないほどの選択肢があることも知っています。炭化ケイ素、ゲルマニウム、SiGe合金、ヒ化ガリウム、リン化アルミニウムガリウム、恐ろしいサウンドの水銀テルル化カドミウム... それでは、デバイスの設計者が他のプロパティから1つを選択するようにするには、どのようなプロパティがありますか？バンドギャップを一致させて適切な光子エネルギーを与えるLEDとレーザーダイオードが1つの理由であると理解していますが、他にもありますか？ ゲルマニウムは以前は最適な半導体でしたが、かなり早い段階でシリコンによって起動され、現在ではゲルマニウムコンポーネントを見つけることはほとんど不可能です。何故ですか？同様に、誰もセレン整流器を使用しなくなっています（ただし、途方もなく低い逆ブレークダウン電圧とその物理的なサイズなど、より明白な欠点があります）。 この質問にはたくさんの疑問符があります。それが多すぎないことを願っています。自分自身も気になるところですが、他の人も使えるリソースにしたいので、話題から離れすぎないように、なるべく地面をカバーするようにしました。

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一般的に、真空管を使用する機器は、ソリッドステートデバイスを使用する機器よりも電磁パルスの影響を受けにくいと聞きました。 このトピックに関する詳細な調査が見つからなかったため、それが本当かどうかはわかりません。 それが本当なら、これはこれらのデバイス間の物理的なサイズの違いが原因ですか、それとも別の理由がありますか？ このテーマについて検索したところ、サイエンスマガジンの記事を見つけました。 私は関連する部分を検索しました、そしてそれは言う： 最も重要なのは、1940年代と1950年代のEMPに曝されたフィールド機器と船のほとんどが真空管に依存している電子システムであるため、米軍自体に問題は発生していません。 1970年代に、真空管は統合されたソリッドステート回路よりもEMPに対して約1000万倍高い硬度を持っていることが発見されました（2）。 最後に見ることができるように、それは別の記事を参照しています： MA King ら、「通信能力に対する核兵器の影響の概要」、Signal（1980年1月）。 この記事を2時間探したところ、80年代にリリースされたシグナル誌などの痕跡は見つかりませんでした。 私は同じ記事の他の引用を見つけました、そしてそれは科学の記事の引用部分に存在しない追加の著者、PB Flemingを持っています、しかし、それでも、同じ名前で完全に異なる職業と他の無関係の人々を除いてこれらの人に関する情報はありません研究論文。 私は真空管がEMPに対して1000万倍耐性があるという主張の背後にある科学についていくつか疑問があります。 ソース： ブロード、ウィリアムJ.-核パルス（I）：カオスファクター サイエンスへの目覚め1981年5月29日：巻。212、第4498号、1009〜1012ページ、 DOI：10.1126 / science.212.4498.1009

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