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光ファイバ通信で255 Tbit / sはどのように処理されますか?
電気信号と光信号の変換に関して、新しい記録破りのデータ転送速度がどのように達成されるかを理解したことはありません。 255 Tbitのデータがあり、1秒で転送したいとします。(これは現実世界の成果です。)255 Tbitを、たとえば255兆個のコンデンサー(RAM)に保存しました。これで、各ビットを連続して読み取り、1秒後に255兆個すべてを読み取ることができるようになります。これは明らかに3 GHzプロセッサによって調整されていません。 受信側はどうですか?パルスは255 THzで送信されますが、入力信号を読み取ろうとする電子機器のリフレッシュレートは255 THzではありません。私が想像できる唯一のものは、クロック信号が0.000000000001秒未満で時分割多重化(遅延)された数千のプロセッサです。そのような多重化をどのように実現するかは、この周波数の千倍の差があるという私の問題に戻ってきます。

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発電機としてのLED
おそらくご存じのように、通常の発光ダイオードは安価でユビキタスなインジケーターとしては非常に便利ですが、発電機としても機能します。メカニズムは、太陽電池パネル、別名ソーラーパネルで利用されているものと同じです。 LEDが光にさらされると、アノードからカソードに流れる電流が生成されます。この電流を使用して、デバイスに直接電力を供給したり、コンデンサを充電したりして、周期的な負荷が必要に応じて蓄積された電荷を一度に使用できるようにすることができます。 含まれる値をよりよく理解するために、短絡電流は数十ナノアンペアから数マイクロアンペアの範囲ですが、開回路電圧はLEDの標準の順方向電圧よりも若干低くなります。 私は現在、LEDをテストしてそれらが自分のアプリケーションに適しているかどうかを確認するためにさまざまなLEDを選択しているところですが、主に電源につながるものを使用するとお金の点で便利であるだけでなく、太陽電池または他の多くの側面では、フォトダイオードでも良い選択です。私が見たどのメーカーもデータシートに光生成電流をリストしておらず、これは私には十分に思えますが、何千ものLEDのテストを避けたいので、選択した範囲のLEDを購入したいので、よりよく理解する必要があります光生成につながる基本的なメカニズム。 ダイオード方程式を書き留めましょう: 私D=私s(eVDVt− 1)−私G私D=私s(eVDVt−1)−私G I_D = I_s(e^{\frac{V_D}{V_t} - 1})-I_G この回路のシミュレーション – CircuitLabを使用して作成された回路図 どこで技術に依存し、ダイ面積依存しています。I Gは生成電流であり、最大化に興味があるパラメーターです。私s= Js⋅ A私s=Js⋅あI_s=J_s\cdot A私G私GI_G これが私が考えたいくつかのことです: LEDが運ぶエネルギーがギャップより大きい場合にのみLEDが光線を吸収できるため、LEDの色は、スペクトルのより広い部分を吸収できるようにするために、低エネルギー(低周波数)ギャップのLEDを選択する必要があります。このため、赤色または赤外線のLEDを選択しました。 最大電流最大順電流は、ダイ面積と電力消費能力に比例します。光生成電流は面積に比例するため、高電流LEDを選択するのが賢明なようです。 順方向電圧これは開回路電圧にいくらか関連しており、現在私には問題ではなく、光生成電流とは関係がないと思います。 逆電流これが光生成電流とどのように関係しているのかはわかりませんが、逆電流が大きいほど、面積も大きくなるので、良いことです。 破壊電圧これは光生成と関係があるとは思いません。 私の質問は最後に: 私の分析に同意しますか、そして私は何かが足りないと思いますか? またはそれ以上 サプライヤーのLEDセクションで太陽光発電パネルを検索するときに確認するパラメーターは何ですか?
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