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最近MSP430 Launchpadを入手してから、さまざまなマイクロコントローラープロジェクトで遊んでいます。残念ながら、MSP430G2553のRAMは512バイトしかないため、複雑なことを行うには外部ストレージが必要です。 SPIとI2C SRAMおよびEEPROMチップを見て、FRAMを発見しました。 それは完璧に見えます。大きいサイズ（上記にリンクされているものは2Mbパーツ）、低電力、バイトアドレス指定およびプログラム可能、不揮発性、摩耗の問題なし、明示的に何も消去する必要がなく、実際にシリアルSRAMよりも安価です（マイクロチップのパーツと比較して）。 実際、それは完璧すぎるように見え、それが私を疑わしくさせます。このようなものがシリアルSRAMやフラッシュEEPROMよりもはるかに優れている場合、なぜそれはどこにもないのですか？SRAMを使い続けるべきですか、それともFRAMは実験に適した選択肢ですか？

31 microcontroller  spi  msp430  sram  non-volatile-memory 

SRAMベースのFPGAは、電源オフ後にビットストリームを再度ロードする必要があります。一方、不揮発性ベースのものはそれを必要としません。 SRAM FPGAでNVMベースのものよりも多くの実験やセキュリティ研究が行われているのはなぜかと思いますが、揮発性テクノロジーはセキュリティ制限（セキュアブートの確保に関して）に関係なく使用されているようです。 （PS：私は統計がありません、それは個人的な観察です）

20 fpga  embedded  sram  non-volatile-memory  security 

私が使用している不揮発性メモリを組み込みアプリケーションでは、EEPROMやフラッシュメモリのように、と私はいつも未使用のメモリ（EEPROM / FLASH）ビット位置は常にに設定されていることを発見した1、デフォルトで。なぜこれが代わりに使用されるの0ですか？ たとえば、0番目のアドレス（メモリの最初のバイト）などのアドレスは、ユーザーによって書き込まれない場合、常に保存され、保存さ0xffれません0x00。なぜメモリチップを作った人がそれをそのように保持したのですか？0xff製造業者にとって何らかの利点または重要な何かを提供するように、デフォルトのメモリ位置を確実に維持します。 メモリチップのこの構造の背後にある理由は何ですか？

14 flash  eeprom  non-volatile-memory 

これが広すぎるとフラグが立てられるのではないかと心配していますが、ここではそれを説明します。 最近、周辺機器にデータをロードする可能性について考えてきました。最も使用されている周辺機器の1つはマウスです。マウスを作成する方法は101あることに気付きました。私の質問をいくつかに絞り込むために、次の質問をします。 メモリなしでマウスを構築することは可能ですか？もしそうなら、それは通常マウスにメモリがないと見られますか？ マウスにメモリがあると仮定して（これが現実的な仮定でない場合は、それを指摘してください）、ROMタイプのメモリのみを表示するのが一般的ですか？メモリをCMOSメモリのようにフラッシュできますか？ マウスのメモリからコンピュータ攻撃/マルウェア攻撃を見た人はいますか？ 私が最近考えていたのは、さまざまな高度な持続的脅威によって実行される攻撃の一般化だからです。

13 memory  non-volatile-memory  mouse 

マイクロコントローラーベースのプロジェクトの累積カウントを追跡するために使用されるメモリソリューションが必要です。 累積カウントとは、マイクロコントローラーがこのメモリー位置を使用してイベントの発生カウントを保持することを意味します。停電中はカウントを保持する必要があるため、不揮発性メモリが必要です。 また、カウントインクリメントイベントが頻繁に発生するため、メモリへの書き込みが多くなるため、EEPROMを使用することをためらいます。 推奨される通信インターフェースはI2Cですが、他の代替手段も歓迎します。 私は頭を下げて、パワーダウン時のコインセルのようなバックアップバッテリーから電力を供給するオプションを備えたSRAM低電力揮発性メモリICを想定しています。

12 microcontroller  memory  non-volatile-memory 

I2Cを使用して、リモート接続されたFRAM（RamtronのFM24C04）と通信しようとしています。このメモリはボードに組み込まれており、システムにいつでもシステムから着脱できます（メモリを取り外す前に通信は適切に終了します）。 問題は次のとおりです。ちょうどFRAMが含まれているカードを挿入した後、時々、それはアドレスを認識しません。 信号測定 信号を測定して何が起こっているのかを確認しましたが、タイミングはどちらの場合も（正常に機能していても機能していなくても）良いようです。 正しいI2C通信（3バイトの読み取り）： I2C FRAMアドレスが確認されていません（スレーブアドレスは正しく送信されています）： この問題を解決するために既に行われたアクション（成功なし） 電源シーケンスを確実に順守するために、FRAMが埋め込まれたカードが挿入された後に追加される遅延。 I2Cは、確認応答しないスレーブアドレスの検出後に生成を停止します I2Cバス構成 1つのマスター（STのSTM32F205マイクロコントローラー） 3つのスレーブ（MicrochipのEEPROM 24AA1025、Maxim ICのRTC DS1339C、およびRamtronのリモートFRAM FM24C04 1つのI2Cレベルシフター（マキシムICのMAX3373E）を使用して、マスターとFRAM間の通信が可能 バス周波数を100 kHzに設定 編集済み（2013-04-17） まず、コメントありがとうございます。 たくさんの提案があるので、これが私が行った調査の説明です。 回路図 次の図は、I2Cバスの簡略図を示しています。 I2C_SDAおよびI2C_SCL信号はマイクロコントローラーに直接接続され、FRAM_SDAおよびFRAM_SCL信号はFRAMに接続されます。FRAMに接続されたSDAおよびSCL信号は、MurataのBLM18フェライトを使用してフィルタリングされることに注意してください。 FRAMは次のように接続されます。 NC（ピン1）->未接続 A1（ピン2）-> GND A2（ピン3）-> GND VSS（ピン4）-> GND SDA（ピン5）-> FRAM_SDA SCL（ピン6）-> FRAM_SCL WP（ピン7）-> GND（書き込み保護なし） VDD（ピン8）-> + 5V FRAMカードの説明 このカードは、FRAMのみを組み込んだ「ISAのような」カードです。 調査 周波数を遅くする SCL周波数を50kHzと10kHzに設定してテストを実行しました。SCL信号をオシロスコープで測定して、期待した周波数であることを確認しました。 これらの変更は問題を解決しませんでした。タイミングを確認したところ、FRAMデータシートの仕様の範囲内でした。 電源シーケンスの確保 …

11 i2c  stm32  non-volatile-memory  slave 

タイトルはそれをすべて言います。 トランジスタレベルでフラッシュメモリ技術の働きを理解しようとしています。かなりの調査の結果、フローティングゲートトランジスタについて、そして電子を注入したり、セルから取り除く方法について、直感を得ました。私はCS出身ですので、トンネリングやホットエレクトロン注入などの物理現象についての私の理解はおそらくかなり不安定ですが、それでも私はそれに慣れています。また、NORまたはNANDのメモリレイアウトからデータを読み取る方法についても考えました。 でも、フラッシュメモリはブロック単位でしか消去できないし、ページ単位でしか書けない、とあちこちで読んだ。しかし、私はこの制限の正当化を見つけられず、なぜそうなのかについて直感を得ようとしています。

10 transistors  memory  flash  non-volatile-memory 

私は、温度が変化すると物理的な位置を自動的に調整するデバイスを設計しています。デバイスがシャットダウンするか、電源が切断された場合、デバイスは最後の温度と位置を記憶する必要があります。私はこれらの値をEEPROMに保存することができますが、問題は位置と温度が非常に急速に変化する可能性があることです。tempとposを変更するたびにEEPROMに書き込むと、（1）ファームウェアが少し遅くなり、（2）1〜2年後にEEPROMが終了する可能性があります。だから私が見るように私のオプションは次のとおりです... 1）コンデンサ/バッテリーを使用して、電力が失われた後、デバイスに電力を供給し続けるため、その時点でのみ値をEEPROMに書き込むことができます。ボードはちょっとパワーが空いていて、これには大きなキャップが必要になるので、私はこれが好きではありません。そして、私にはたくさんの空き容量がありません。そして、私はバッテリーとバッテリーホルダー/または大きなキャップの追加コストを望んでいません。 2）EEPROMの代わりにF-RAMを使用して、消耗することなく何兆回も書き込むことができるようにします。FRAMはEEPROMよりもかなり高価であり、これはプロダクション製品（1つだけではない）用であるため、このオプションは好きではありません。 3）位置と温度は5分程度ごとに記入してください。このようにして、常にかなり最近の位置/温度を記録していますが、毎秒書き込みを行っているわけではないので、プログラムの速度が低下せず、EEPROMの速度が低下しません。これは私の最良の選択肢のようです。 他の誰かが私が考えていない提案をしていますか？

10 microcontroller  eeprom  non-volatile-memory 

私が理解しているように、EEPROMはコンピューター（私の場合はAVRマイクロコントローラー）の一部であり、データを保存し、デバイスが完全にシャットダウンしても保持します。データの書き込みと読み取りが可能です。 私が見ている問題は、有限の寿命とかなり短い寿命があることです。言い換えれば、EEPROMを使い果たすまでに、有限回数の読み取り/書き込みしかできません。 私が探しているのは、EEPROMと同じ機能を小さなフォームファクターで実現する方法です。私はmicroSDカードのようなものを使用できると思いますが、ユーザーがメモリカードを購入する必要がないソリューションを好みます。また、必要なスペースはせいぜい数バイトです。1 kBが非常に保守的であるとしましょう。あらゆる種類のメモリカードを収容するために必要以上の費用を費やすことになります。 だから私のオプションは何ですか？短い寿命と高いコストなしに、この種のデータストレージ/検索を実現できる一般的なICソリューションはありますか？

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私が理解していることがいくつかあります。 DRAMは、データの各ビットを、電位差のある小さなコンデンサに保存します。 コンデンサが低電圧側に接続されていない限り、電位差は変わらないはずです。 DRAMのコンデンサに保存されている電位差を更新する必要があるのはなぜですか？ または コンデンサがDRAMの電荷を失う理由とその理由は？（コンデンサは低電圧側に接続されていますか？） コンデンサは電位差に関係するのではなく、DRAMはこれにより不揮発性メモリのように機能する必要がありますか？ 更新： また、コメントでハリー・スベンソンが提起したポイントに答えることができる場合： DRAMのコンデンサを更新する必要があるのに、アナログFPGAのゲートのコンデンサはどういうわけか電荷を保持しているのですか？

9 voltage  capacitor  memory  non-volatile-memory  dram