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u.FLコネクタへのマイクロストリップラインの実装について少し混乱しています。50オームのラインを維持するには、トレース幅を約0.1インチ幅にする必要があります。u.FLコネクタに合わせて実装された「念のため」のpiマッチングネットワークがあります。私が混乱するのは、0402パッケージ抵抗のようなものにマイクロストリップをどのように行うのですか？コプレーナウェーブガイドは、コンポーネントパッケージとよりよく一致するため、パフォーマンスが向上するのはこれですか？トレース幅よりもはるかに小さいコンポーネントに衝突すると、多くの反射が発生することをイメージする必要がありますか？ また、これは長い間疑問に思っていましたが、良い答えは見つかりませんでした。波長が1％のように非常に短い場合、トレースインピーダンス制御が必要ですか？これに対する私の証拠は次のとおりです： ZI N（ℓ ）= Z0ZL+ j Z0日焼け（βℓ ）Z0+ j ZL日焼け（βℓ ）Zin(ℓ)=Z0ZL+jZ0tan⁡(βℓ)Z0+jZLtan⁡(βℓ) Z_\mathrm{in} (\ell)=Z_0 \frac{Z_L + jZ_0\tan(\beta \ell)}{Z_0 + jZ_L\tan(\beta \ell)} 1/100という短い波長の場合、方程式は次のようになります Z I N（ℓ ）= Z 0 Z Lλλ\lambdaZI N（ℓ ）= Z0ZLZ0Zin(ℓ)=Z0ZLZ0 Z_\mathrm{in} (\ell)=Z_0 \frac{Z_L}{Z_0} コネクタに接続するアンテナは50オームなので、それが負荷になると思いますか？または、実際にはトレースインピーダンスですか？ZlZlZ_l 私が尋ねる理由は、私が基本的にGSMモデムからu.FLコネクタまで実行していることであり、巨大な広い0.1マイクロストリップのトレース。 更新： 尋ねられたので、私の関心のある周波数はL1 GPS（1.575GHz）とGSMスペクトル（800-2100MHz）です。

10 rf  microstrip 

Renesas RZ-A1マイクロコントローラーを搭載したPCBを設計していて、USB D +およびD-トレースが正しく行われていることを確認したい。 Googleの上位の結果の1つであるFairchildのこのアプリケーションノートでは、D +およびD-トレースのシングルエンドインピーダンスは45オームである必要があると述べています。 EEWeb Microscrip Impedance Calculatorを使用して、1oz / ft ^ 2の銅と基板の高さが0.08mmの場合、この45オームを実現するには、トレース幅を0.17mmにする必要があります。 フェアチャイルドのアプリケーションノートでは、D +およびD-ラインの差動特性インピーダンスは90オームでなければならないことも述べています。 EEWebエッジカップルドマイクロストリップインピーダンスカリキュレーターを使用すると、これを達成するには、トレース間の間隔が0.098 mmであることがわかります。 それは正しく見えますか？ 質問の次の部分-直列終端抵抗がD +およびD-に必要であることを理解しています。ルネサスRZ-A1は22オームのものをお勧めします。これらの抵抗の存在は、上記の計算に関して何かを変えますか？たとえば、抵抗はすでに22オームを提供しているので、実際には45ではなく23オームのシングルエンドインピーダンスを目指しているのでしょうか、それとも同じようなことですか？

8 usb  impedance  termination  microstrip