NPNベースがオフになるのが遅いのはなぜですか？

以下の回路は、非常にシンプルですが、期待したように動作しません。V3はトランジスタのベースに入る3.3Vppの方形波なので、V3が低い場合はV_Outが高くなり、逆の場合も同じです。基本的には反転回路です。

さらに重要なことに、この回路は400 kHzの方形波に追いつくのに十分な速さであると期待しています。2222の入力には25 pfの静電容量があり、R2で25 nsの時定数が得られます。

^{この回路のシミュレーション – CircuitLabを使用して作成された回路図}

しかし、シミュレーションでは、V_BaseがV_Inの立ち下がりエッジに反応するまでに時間がかかることがわかります。

残念ながら、これはV_Outを私が望むよりずっと長く保つようです。V_outに対してグラフ化されたV_Inを参照してください（反転を覚えておいてください）。

R2またはR3を下げて回路を高速化することで「ストレッチング」を改善できますが、1次の観点からはなぜそうしなければならないのかわかりません。また、エッジが1つだけ遅い理由もわかりません。Q1のベースエミッタ容量はこれを説明できませんでしたか？私が見逃している二次効果はありますか？

PSベーストランジスタがエミッタトランジスタよりも小さいコモンエミッタ回路を使用するのは変だと思います。これを学術的な演習と呼びましょう。

3.3 Vのピーク入力電圧により、トランジスタが飽和状態になり、回復にかなりの時間がかかる場合があります。ベイカークランプなどの飽和防止回路を使用するか、入力電圧を下げてみてください。

バートが述べたように、トランジスタを飽和状態に駆動することによって引き起こされる同様の問題がありました。

私はすでにPCBを持っていたので、飽和防止回路を追加することは困難でした。代わりに、元々1 kohmのベース抵抗を、並列に1 nFコンデンサを備えた10 kohmの抵抗に置き換えました。コンデンサは電流スパイクを提供して、ベース電圧を急速に変化させます。