ベースエミッタ抵抗器の目的はどれですか？

誰かが抵抗R2の目的を説明できますか？R2を削除すると、回路は同じ結果を実行します。

^{この回路のシミュレーション – CircuitLabを使用して作成された回路図}

R2は、浮動ベースを防止するために使用されます。ラベルの付いたノード2.8Vが接続されていない場合に、定義された状態を与えます。それは弱いプルダウン抵抗です。既知の状態にプルされていないフローティングピンは、ミニアンテナのように動作し、何度もハイまたはローにフローティングし、トランジスタをランダムにオンまたはオフにします。

そのノードが常に高または低のいずれかで駆動される場合、R2は不要であり、削除できます。ノードがたとえば高インピーダンス/入力になる可能性のあるマイクロコントローラgpioに接続されている場合（起動時など）、マイクロコントローラが出力モードになるまでR2はトランジスタをオフのままにします。

トランジスタが実際にMOSFETである場合、R2は小さなドレイン抵抗です。Mosfetには静電容量があり、ドレインされない場合はオンになります。

多くのトランジスタは、コレクタからベースへの少量の漏れ電流を許容します。トランジスタのベースに何も接続されていない場合、その電流はベース-エミッタ接合部を0.7ボルトにバイアスし、トランジスタによって増幅されるため、グランドにシンクされるリーク電流の総量はエミッタ-ベースリーク電流になりますトランジスタの電流ゲインを掛けます。

R2を追加すると、コレクターベースのリークの代替パスが提供されます。R2が十分に小さく、両端の電圧が0.7ボルトを下回っている場合、R2を流れる電流は依然としてコレクタからグランドへのリークを表しますが、増幅されません。

一部のアプリケーションでは、漏れ電流の量は、増幅されていても、好ましくないほど十分に小さい場合があります。ただし、R2を追加すると、多くの場合、漏れ電流が1桁以上削減されます。

それらのノードがそれらの電圧にある場合、あなたは正しいです、R2はQ1がオンになっている強さにほとんど違いがありません。

R1ドライブを2.8vではなく3uA（たとえば）に置き換えると、パフォーマンスは大きく異なります。

演習として、R1に必要な電流を計算して

a）トランジスタの導通を開始します
b）コレクタ電圧（Vo）を1ボルトに下げます（電流ゲインが100の場合）

R2が存在し、R2が省略されています。

Neil UKが述べているように、100KのR2は回路に重要な影響を与えません。R2はプルダウンの有用な機能を提供するので、回路に残しておく必要があります。高ゲイントランジスタやリークの多いPCB、あるいは一般的に静電気であるためにインピーダンスの高いメインピックアップを検討してください。