短い答え:
それはあなたが何をしているかに依存します。SSDからの排他的読み取りは、時間の経過とともにメモリセルの劣化を引き起こします。ドライブを読み取り専用でマウントすると、直接書き込むことができなくなりますが、ドライブのファームウェアは引き続きバックグラウンド書き込みを生成します。ただし、使用パターンに応じて、心配することはない場合もあります。
長い答え:
Flash Error Analysis and Managementで概説されているエラーには、いくつかのタイプがあります。
- 消去エラー:繰り返されるプログラム/消去サイクル(書き込み)が原因
- プログラム干渉エラー:1つのページのデータは、隣接するページがプログラムされている間に意図せずに変更されます
- 保持エラー:フローティングゲートにプログラムされた電荷は徐々に消散します
- 読み取りエラー:セルに保存されたデータは、隣接するセルが繰り返し読み取られると変化します
このホワイトペーパーは興味深い読み物ですが、NANDメモリからの読み取りだけではデータが永久に保存されるわけではないということを除けば、その深さのレベルに進むことはおそらくあなたの質問の範囲外です。
MicronのJim Cookeによるプレゼンテーションによると、セルはMLCで100,000読み取り、SLCで1,000,000読み取りごとに消去および再プログラムする必要があります。
スライド19:
Cells not being read receive elevated voltage stress
Stressed cells are
• Always in the block being read
• Always on pages not being read
Charge collects on the floating gate causing the cell to appear to be weakly programmed
Does not damage cells; ERASE returns cells to undisturbed levels
Disturbed bits are effectively managed with ECC
スライド20:
Rule of thumb for excessive reads per block between ERASE operations
• SLC – 1,000,000 READ cycles
• MLC – 100,000 READ cycles
If possible, read equally from pages within the block
If exceeding the rule-of-thumb cycle count, then move the
block to another location and erase the original block
Establish ECC threshold to move data
Erase resets the READ DISTURB cycle count
Use ECC to recover from read disturb errors
とはいえ、これらの論文は、NANDメモリの低レベルのユーザー(SSDファームウェア開発者など)を対象としているようであり、エンドユーザーが消費することを意図していません。そのため、ドライブのファームウェアはすでにバックグラウンドでこれを透過的に処理していると思われます。
しかし、元の質問に戻ると、もっぱら読書はまだドライブの摩耗を引き起こしますか?はい。いくら?それは複雑です。ファームウェアが100,000回の読み取りごとにページのセルを新しい場所に書き換えており、常に十分なブロックがある場合、100,000回の読み取りごとに1つの書き込みがあります。しかしその上、ファームウェアはウェアレベリングなどのタスクも実行し、1つの論理書き込みを複数の物理書き込みに増幅します。
実際的には、ドライブの容量がほぼいっぱいになり、ドライブ全体を常に読み取っている場合を除き、おそらく特に心配する必要はありません。ただし、ドライブからノンストップで読み取りを行っている場合は、読み取りパターンがバックグラウンド書き込みをどのくらいの速さで引き起こしているかを把握するために、SMARTテーブルを1か月間注視してください。そして、もちろん、常に複数のバックアップがあることを確認してください。