RAMの周波数と遅延はどのように異なりますか？パフォーマンスにどのように影響しますか？

RAMメモリの2つの仕様、Mhzの量とレイテンシのタイミング（例：9-9-9-24）について質問があります。

2つのうちどちらがシステムパフォーマンスにとって最も重要で、なぜですか。また、2つの違いは何ですか？

Toms Hardwareの記事は、RAMタイミングの説明に非常に優れています。

• CASは通常、列アドレスストローブ（または、列アドレス選択として展開される）として拡張されます。これは、ダイナミックランダムアクセスメモリ（DRAM）モジュールで使用されるコンデンサの列と行で構成されるアレイの物理メモリ位置の列を指しますこのガイドの3種類のRAMはすべてサブタイプです）。CASレイテンシは通常、RAMのタイミングシーケンスの最初に表示され、メモリコントローラーがメモリモジュールに現在の行の特定の列にアクセスするように指示してから、そのようなアクセスによってそこにあるデータが生成されるまでに経過するクロックサイクル数を示します。
• TrcdまたはtRCD。通常、RASからCASへの遅延として展開されます。RASは行アドレスストローブとして展開されます。Rは、DRAMモジュールに使用されるコンデンサの列と行で構成されるアレイの物理メモリ位置の行を指します。この値は、行アドレスストローブ（RAS）とCASの間のクロックサイクル数を指定し、メモリモジュールの行アドレスから列アドレスへの遅延を表します。
• TRPまたはtRP。通常はRASプリチャージとして拡張されます。これは、現在のメモリ行へのアクセスを終了し、次のメモリ行へのアクセスを開始するために必要なクロックサイクル数を表すため、tRP =行プリチャージの時間です。
• tRASまたはTras。通常、最初のデータ要求と次のメモリアクセスを開始するために必要なプリチャージコマンドの間に、DRAM内の特定のデータ行にアクセスするために必要なクロックサイクル数で測定されるRASアクセス時間として拡張されます。定義により、tRASはCASにtRCDを加えた値にさらに2サイクルを加えた値以上である必要があります。これにより、DDR（2ビット）、DDR2（ 4ビット）、およびDDR3（8ビット）はすべて、小さい数または大きい数で動作します。

RAMメモリのタイミングは通常、5-5-5-15のように、ダッシュで区切られた4つの数値のシーケンスとして表示されます。これは、CAS、tRCD、およびtRPの値がすべて5クロックサイクルに等しく、tRAS値が15クロックサイクルに等しいことを示しています。これらのシーケンスに表示される数値が小さいほど、メモリのタイミングが厳しくなります。同様に、数値が大きいほど、タイミングが緩いことを示しています。簡単に言えば、レイテンシが低いほどコストが高くなり、タイミングが厳しくなるほどコストが高くなり、2つを組み合わせるとメモリに関連するコストが最も高くなります。

ソース

私はよりタイトなタイミングで行く傾向があり、それらは速くなる傾向があり、166MHzの違いは目立たないでしょう。実際、どちらも非常に接近しているため、速度の違いに気付くことはありません。最新のIntelおよびすべてのAMDチップにはメモリコントローラーが組み込まれているため、FSBを上げるとRAMのオーバークロックにもなるため、Mhz定格が高い方がオーバークロックに最適です。しかし、これもまた、システムで何をするかに応じて、すべて個人的な好みです。オーバークロックを予定していないストックシステムを構築しているだけならどちらでもかまいません。