電圧制御抵抗器としてのMOSFET

この質問はあまりにもローカライズされているかもしれませんが、私は試してみます。

次の回路図に示す条件の下で、可変抵抗器をMOSFETに置き換えることは可能ですか？

はいの場合、誰かがMOSFETタイプまたは必要なMOSFETパラメータを提案できます。

^{この回路のシミュレーション – CircuitLabを使用して作成された回路図}

更新

私が実際に達成しようとしているのは、R2aを、マイクロコントローラー（DAC）で制御できるシンプルなものに置き換えることです。

既存のデバイスをハッキングしていますが、抵抗R1を交換できません。

技術的には、MOSFETは可変抵抗として動作できますが、主に2つの問題があります。

1. オーム領域（出力電圧の点で非常に狭い）では、線形性が悪く、入力電圧にも依存します。適切な抵抗器のように動作するように調整することは、それほど簡単ではありません。

2. 通常、MOSFETの出力抵抗は正確な値ではなく、データシートから正確な値を取得するのは困難です。できることは、さまざまな入力電圧と出力電圧についてそれを測定し、値を含む表を作成することです。ただし、正確である必要がない場合は、データシートのグラフを使用できます。

別の選択肢は、統合VCRを使用することです。

はい、セルゲイ。あなたは100％正しいです！

MOSFETは可変抵抗として簡単に使用できます。可変抵抗器として使用する前に、いくつかの重要なパラメーターを考慮する必要があります。主なものは

1. $R_{DS(on)}$

2. 線形領域でのMOSFETの動作は、ほとんどすべてのMOSFETで類似しています。

ここで、MOSFETの次の特性曲線を利用して、可変抵抗器として使用する方法を確認します。

1. $V_{GS}$$V_{th}$

2. $V_{DS}$

3. $R_{DS(on)}$