ブレークダウン電圧が低い場合、効率が高く、転流速度が速く、価格が低いという観点から、パワーMOSFETが明らかに最適なデバイスです。
どこで線を引く必要がありますか、どのIGBTが好ましいソリューションとして引き継ぎますか？関連する決定基準は何ですか？
スイッチングアプリケーション向けのIGBTとパワーMOSFET。どこに線を引きますか？
回答:
IGBTまたはMOSFETを選択する主な基準は、電圧定格、電力損失（システム全体の効率）、そしてもちろんシステム全体のコストです。どちらかを選択すると、トランジスタの損失だけでなく、冷却の重量とコスト、製品全体のサイズ、および信頼性にも影響を与える可能性があります。
このグラフを見ると、通常、各タイプのスイッチが使用されるさまざまな領域が表示されます。
特定のデバイスタイプの選択は、特定のアプリケーションとその要件によって異なります。
MOSFETは非常に高速にスイッチングでき、オンのとき抵抗として機能するため、高周波および低電流アプリケーションで支配的です。
高速スイッチングとは、デバイスを小さくする必要がある場合に使用されることを意味します。スイッチング周波数を上げると、パッシブフィルターのサイズを小さくできるためです。
伝導損失はドレイン電流の2乗に比例するため、構造に大きな電流を流すことはできません。
また、ブレークダウン電圧も制限されており、通常は最大600Vまで使用されます。
IGBTのブレークダウン電圧は高く、伝導損失はVf * Icにほぼ等しいため、高電流アプリケーションで使用できます。スイッチング速度が制限されているため、通常、低スイッチング周波数が問題にならない産業用アプリケーションで使用されます（音響ノイズ）。
これは、パワースイッチングパーツの選択に関するすばらしいガイドです！ありがとう、そしてその姿はどこで手に入れましたか？
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ボブ
Google画像、ソースを追加するのを忘れた：（
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SzymonBęczkowski13年
おもしろいです。MCTのことは聞いたことがありませんし、単一のソースを見つけることもできませんでしたが、そこには次のようなものがあります。彼らに何が起こったのだろうか？
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ボブ
おそらく、高出力（1400A 1700Vなど）のIGBTモジュールが利用可能になったために、それらは死亡しました。
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シモンブジェツコフスキ
この質問にしっかりと答えることは本当に難しいです。FETが単にできないジョブもあれば、IGBTができないジョブもあります。両方が可能なソリューションであるドメインにいる場合、フットプリントと熱管理を含むコストを検討し、安価なものを選択します。多くの場合（すべてではありませんが）、これはFETです。しかし、多くの場合、アプリケーションによって決定が行われます。