ダイオードに電圧降下があるのはなぜですか？

抵抗はダイオードに電圧降下を生じさせるものですか？

またはそれはインピーダンスですか？

電気エネルギーが光に変換される場合は、この効果の名前を教えてください。

順方向にバイアスされた半導体接合は、PNゾーンに電荷をプッシュできる電圧レベルを取ります。それは、床からテーブルトップまで各大理石を「持ち上げる」方法に似ていると考えてください。接合部を横切って電荷を輸送するために必要なエネルギーレベルの差に加えて、ダイオードの抵抗部分もあり、同様に電圧をいくらか低下させます。ダイオードの抵抗降下は、接合部を流れる電流の量に依存します。

これは、PNジャンクションに固有の空乏領域によるものです。 http://en.wikipedia.org/wiki/Depletion_region

少し混乱しますが、本質的にはキャリア（電子と正孔）の損失によるものです。ホールは単に電子が「存在する可能性のある」場所ですが、電荷キャリアがない小さなゾーン、または絶縁体の小さなストリップのようなものだと考えてください。

この領域に電子を押し込むには電圧（力）が必要です。

ダイオードに逆バイアスをかけると、この空乏領域はさらに大きくなります。

すべての半導体接合（PN）には、このような電圧降下があります（シリコンの場合、約0.7 V）。ダイオードだけでなく、BJTトランジスタ、JFETなどにも使用できます。