コレクターフィードバックバイアスがエレクトレットマイクプリアンプ回路で人気があるのはなぜですか？

簡単なエレクトレットマイクモジュールをいくつか入手し、オーディオアンプの実験を行っています。いくつかの回路例を探してみましたが、それらのほとんどは上記の回路に似ています。私はこれを作りました、そしてそれはうまく働きます。私が間違っていなければ、この回路はコレクタフィードバックバイアスを使用してバイアスされています。

回路を探していると、ほとんどのエレクトレットマイクアンプ回路がコレクタフィードバック構成を使用していることに気付きました。分圧器バイアスのような他の通常より一般的な構成よりも、なぜそれがそれほど人気が​​あるのでしょうか？この構成でフィードバックを使用すると、アンプがより安定することを理解していますが、分圧器バイアスには同じ利点がないのですか？

グーグルで見つけたほとんどの趣味の回路は、疑わしいいじくり回しに由来するがらくたであり、相互にコピーされます。この回路のバイアスレベルは、BJTからBJTへの予測が非常に難しく（カプセルの感度と実際の音圧レベルに応じて、いずれかの方法で高レベルでクリップする可能性があります）、歪みが比較的悪い（欠落しているため）負のフィードバックまたはエミッターの変性）。

JFET（カプセルの内部）は、信号レベルがドレインのmVにあり、信号電流がバイアスの非常に小さいパーセンテージであるため、はるかに問題が少ないです。

市販のプリアンプ回路、またはチップを販売しようとする企業からの（一般的にははるかに高価ですが、優れたパフォーマンスも）アプリケーションノートを探してみてください。たとえば、マキシムのこの回路。TIにもいくつかのデザインがあります。

この回路は、VceがVbeよりも大きくなることを保証します。

3vから9vのVDD範囲。

トランジスタベータに関係なく。

温度がいくつあっても。

壊れたトランジスタ、または非常に漏れやすいトランジスタだけが、この負のフィードバックDC動作をフルモックスできます。

Rfbがセンタータップされており、センタータップをAC_bypassするために大きなコンデンサが使用されていない限り、ゲインは実質的にRfb / Rsourceであることに注意してください。

エレクトレットは、一般的なソースアンプと、ここで使用する10kのようなゲイン設定ドレインRをV +に統合します。これにより、公称使用時に1mV〜10mVが得られます。

共通エミッターのcctは小さなsig入力を使用して、ほぼ20dBのゲインを得ます。

開ループゲインAolは、ベース電流のRf（= R2）に依存するRc / Rbeです。**

閉ループゲインは、ほぼ= -Rf（100k）/ Rin（10k）=-10です。

負のフィードバックでは、R比のゲイン誤差推定を減らすために、多くのAolが必要です。オペアンプには10e6があり、これは10e2に似ています。したがって、私はほぼ10の利益を上げることができます。または政府の仕事に十分近いです。

ここでReを追加してもメリットはありません。

VccにプルアップRb **を追加すると、Ibが改善されるため、適切なインピーダンス比を備えた設計により、Aolが30から50、さらには100の Aclになり、金をドープした古い2N5088のようなスーパーベータトランジスタが可能になります。電極、しかし多分必要ではない。

負のフィードバック構成では、「Hバイアス」と比較して<0.1〜1％のTHDが得られます。これは約10％のTHDであり、！AC結合のピーク電圧出力の非対称性によって簡単に観察できます。