これは非常に良い質問です。
スイッチが回路を閉じた状態から開いた状態に変更すると、非常に迅速に電流が変化します。
ではない正確に。スイッチが開くと、スイッチの両端の電圧が増加します。この電圧により、di / dt = V / Lに従ってインダクタ電流が減少します。
スイッチ、およびスイッチの両端の電圧の増加に対する反応に応じて、ある程度、インダクタに蓄積されたエネルギーがスイッチの開き方を決定します。
実際のスイッチには、接点間の浮遊容量があります。一部のスイッチ（自動車の点火ブレーカーポイント）では、接点間に配置された物理的なコンデンサによって静電容量が増加します。FETとトランジスタは、デバイスのサイズに応じて、10〜1000のpFの電極間容量を持ちます。
流れ続けるインダクタ電流がこの容量を充電します。したがって、開閉スイッチには、瞬時ではありませんが急速に上昇する電圧がかかります。
元々インダクタにあったエネルギーを、スイッチがブレークオーバーしないほど低い電圧でスイッチ容量に保存できる場合、スイッチはブレークオーバーしません。これは、自動車の点火ブレーカーシステムで大きなコンデンサが行うことです。接点間のギャップが十分に速く開き、電圧が十分にゆっくりと上昇するため、接点は上昇する電圧に「先行」し続けます。
スイッチ電圧が何らかのブレークダウン電圧を超えて上昇すると、ブレークダウンします。物理スイッチの場合、これにより、端子間にアークが発生します。このアークは溶けて金属を動かすことができるため、多くの場合、機械的な接触をかなり破壊します。高融点材料、非常に重い接点を使用するか、（高電圧開閉装置のように）エアブラストを使用して冷却して延長し、アークを消すことで軽減できます。スイッチがアークしている間、スイッチを「閉じた」、または少なくとも「開いていない」と見なすことができます。そのため、インダクタのエネルギーがアークを維持する時間の長さが、スイッチが開く速度を効果的に制御します。
MOSFETには、制御された非破壊なだれ挙動がよくあります。これは、一定量のエネルギーを繰り返し吸収できるように指定されています。回路インダクタンスに蓄積されたエネルギーがスイッチングFETで消費されるようにスイッチング回路を設計することは非常に正常です。
半導体スイッチが蓄積された誘導エネルギーを処理できない場合、抵抗とコンデンサを直列に接続した「スナバ」回路を使用するのが一般的です。これにより、システム内のスイッチの効率が低下するため、スイッチを保護するのに十分な大きさで、大きくはなりません。
インダクタ両端の電圧の式は、v = L di / dtです。スイッチが回路を閉じた状態から開いた状態に変更すると、非常に急速に電流が変更されます。私の質問は、誘導される電圧を計算するために正確な答えが必要なため、これにかかる時間を正確に知る方法です。