ダイオードは電流を遮断しますが、電圧は遮断しませんか?


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CircuitLabでこのテスト回路を実行すると、予想される結果はM1のみが開くことでしたが、それと3Vの間にダイオードがあるにもかかわらず、M4 mosfetも開いていることに気付きました。両方のゲートしきい値が1.5vに設定されています。

また、電流に奇妙なスパイクが現れることに気づきました

それはダイオードが電流ではなく電圧をブロックするということですか?

概略図

この回路のシミュレーションCircuitLabを使用して作成された回路


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非理想的なダイオードには漏れ電流があります。ランダムノイズと一緒に、M4ゲート容量を充電します。
ロングファム

それが実際の答えです。
ヤンカ

D3リーク電流のためにM4をオンにしたくない場合は、M4のゲートにプルダウン抵抗を追加します。抵抗とリーク電流の積がM4しきい値電圧よりはるかに低い場合、M4はオンになりません。また、M4のゲートの充電によるランダムノイズを防ぎます。100kのようなものでも大丈夫です。
Lorenzo Donati-Codidact.org '10 / 10/18

ところで、この回路は何のためのものですか?M4は目的がないようです。単にシミュレータで遊んだり、特定の機能を念頭に置いていましたか?
ロレンツォドナティ-Codidact.org 2018年

@LorenzoDonatiはい、100kのプルダウン抵抗を追加することは、まさに私がやったことです。ここに表示されている回路は、元の回路の問題をテストするためのものです。これは、2つのオン/オフスイッチがあり、1つのスイッチがM1を開き、2番目のスイッチがM1とM4の両方を開き、M2ではなくM4のラベルが付いている回路でした。単にmosfetを削除して追加した結果です。
soundlikelikefiziks

回答:


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ここに画像の説明を入力してください

1N4148データシートの図3 。

  • ダイオードのリーク電流は非常に小さいです。3 Vでは、これは3.5〜10 nAになります。
  • 2N7000は -10 nAの最大のゲート-ボディのリーク電流、フォワードを持っています。
  • ダイオードの容量も約4 pFです。電源投入時に電源電圧がゼロから+3 Vに急上昇すると、ダイオード容量によりM4のゲートも急上昇します。

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ほとんどの電子機器で気になる電圧の影響は電流です。デバイスが電流を遮断すると、電圧は重要ではなくなり、静電効果を節約できます。

示されている回路の問題は、シールドされていないMOSFETゲートが本質的にフローティング状態になることです(そこへの、またはそこからの電流パスはありません)。ほとんどの場合、フローティングMOSFETゲートは設計エラーであり、未定義の動作を引き起こします。


M1とM4、またはM4だけの話ですか?そして、解決策は何でしょうか?プルダウン抵抗を追加しますか?
エラン2018年

M4、「+ 3v」ポイントがフローティング状態のままになることはないと仮定した場合。
rackandboneman 2018年

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電圧を阻止するという考えはナンセンスです。「抵抗」と分圧器の観点から問題を考える必要があります(「抵抗」は引用符で囲んでいます。これは反応しないが、非常に非線形であるためです)。トランジスタはMOSFETであるため、そのゲートの抵抗は、逆方向ダイオードによって提供される抵抗よりもはるかに高く(リーク電流のため)、ダイオードD3とM4のゲートで構成される分割器は、ほぼすべての電圧をゲートに送信します。

したがって、解決策は簡単です。M4のゲートとシャーシアースの間に大きな値の抵抗を置くだけです。


それで、グラウンドへの抵抗は基本的にゲート抵抗と並列になりますか?これはアイデアですか?
エラン2018年

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はい、分圧器の低い(つまり、シャーシアースまでの)抵抗を減らすために、そうでなければ10⁶オームを超える(これらのコンポーネントが静電放電に敏感である理由です)。
カミオン

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「電圧がある」が実際に何を意味するか見てみましょう:

回路の2点間に電圧が存在するということは、電位の差をその値で測定することを意味します U。したがって、これらのポイント間に導電パスがあった場合R< 電流が流れます U=RI。電位差の存在(U)は、電子がAからBに到達できることを意味しませんが、その1つのスポットが他からの「余剰」を受け入れることになります。

ダイオードは理論的には R= ある方法で R=0他の。ただし、これらの近似は実際には当てはまりません。これにより、ダイオードを通して「逆方向」に小さな電流が流れる可能性があります。

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