MOSFETはどうなっていますか？

長い間、私はFETやMOSFETに近づきませんでした（回路でディスクリートトランジスタを使用する場合）。私は現在の趣味のプロジェクトを口実として、最終的にそれらを使いこなすようにしています。しかし、私はこれらの獣から頭や尾を作ることができないようです。

実際の回路を試す前に、基本的な（ほぼ「健全性チェック」）LTspiceシミュレーションを実行しています。非常にシンプルな回路で、まだ機能していないようです。たとえば、以下のLTspice画面キャプチャを参照してください—電圧プローブは電源の出力にあります。電流は、ドレインピンに接続された抵抗を介して測定されます。MOSFETが導通しているとき（V2は12Volts）は1mAであると想定されており、入力電圧が0Vのときは1μsの間0mAに戻ると予想します。

ちなみに、V1をDCソースにすると、動作します。0Vに設定し、R1を流れる電流は0mA（pAのオーダー）です。5Vに設定すると、電流は1mAになります。

何が欠けていますか？また、V1からゲートまでの100Ω抵抗を試してみました。スイッチング時に電流に少し丸みを帯びたバンプを作成しますが、それでも0mAに戻りません。また、ゲートからGNDに10kの抵抗を追加しました。シミュレーションの出力を示す下の画像を参照してください（ここでも、何が欠けていますか？）：

私はこのトピックについてより具体的な質問がありますが、「ホビープロジェクトのコンテキストでも」「実際の」アプリケーションを実行する前に、最も単純な「おもちゃ」の回路に慣れるほうがよいと思います。

1000倍遅いなど、さまざまな時間スケールで同じシミュレーションを実行します。したがって、us（マイクロ秒）をms（ミリ秒）に変更して、シミュレーションを再度実行します。

最初のプロットで赤いトレースが下がっていますが、ゼロに達する前に、NMOSを再びオンにしてください。ゼロに達する時間はありません！

ゲートとドレインの間に大きなコンデンサーがあり、時定数が大きい12 kのドレイン抵抗と組み合わされています。許可している1usよりも大きい。だから物事を遅くし、何が起こるか見てください。

期待どおりのカーブが得られたら、ドレイン抵抗の値を下げて、速度が再び増加することに注意してください。1 usでは、おそらく12 kオームではなく120オーム程度が必要です。