負荷をトランジスタのコレクタまたはエミッタに接続します

トランジスタをスイッチとして設定する場合、コレクターまたはエミッターに負荷をかけるのに違いはありますか？

私が見ることができる限り、唯一の違いは、Vbeの計算、つまり負荷での電圧降下のためにトランジスタを飽和させるのに必要な電圧を計算することです

最も重要な違いは、共通コレクター（エミッター側に負荷があるコレクター）には、より高い駆動電圧が必要になることです。共通エミッタの場合はすでに0.7 Vで十分ですが、共通コレクタの場合、電圧は0.7 V +負荷両端の電圧でなければなりません。

負荷が12 Vリレーであり、コレクターにも12 Vを供給するとします。5 Vマイクロコントローラーで制御したい場合、その5 Vがベースに供給できる最大値です。エミッターは0.7 V低くなります。これは4.3 Vで、リレーをアクティブにするには低すぎます。ベース電流がなくなるため、電圧を上げることはできません。したがって、負荷電圧が制御電圧よりも高い場合、共通コレクタを使用できません。

また、ベース電流の計算方法も異なります。ベースに5 Vを印加し、エミッタ側の負荷が100Ωで、トランジスタのが150であると仮定します。電流は4.3 V / 100Ω= 43 mAと予想されるでしょう。そうではありません。ベース電流I Bは 150原因になります× I Bを 100Ωの抵抗ではなくてI B。したがって、作成される電圧V E = 150 × I B × 100Ω。したがって、ベース電流から見た抵抗はR $h_{FE}$$I_B$$\times$ $I_B$$I_B$$V_E$$\times$ $I_B$ $\times$${R_E}^{'} = \frac{V_E}{I_B} = \frac{150 \times I_B \times 100 \Omega}{I_B} = 150 \times 100 \Omega = 15 k\Omega$
$\frac{5V -0.7V}{15 k\Omega}$

そのため、一般的なコレクタ構成ではベース抵抗が必要ないことがよくあります。あなたはなり負荷は、例えばLEDで構成されている場合抵抗に反して、これらは、多かれ少なかれ一定の電圧降下が発生しますので、ものの1が必要です。

あなたは基本的に正しいです。主な違いは、ベースからエミッタへの電圧/電流の計算方法または生成方法です。

通常、エミッターは物事を簡単にするために電源または接地レール、安定した電圧に接続されますが、他の場所に接続できなかった理由はありません。

同様のことがMOSFETにも当てはまります。