オープンドレインとオープンコレクター

Open DrainとOpen Collectorの出力に実際的な違いはありますか、それとも用語は互換的に使用されていますか？それらが実際に異なる場合、それぞれが有利なコンテキストは何ですか？私の勘では、彼らは機能的に同等であるということですが、オープンコレクタがBJT技術で実装されている間、オープンドレインは、FET技術で実装されています。

そうです、オープンコレクターはBJT、オープンドレイン（C）MOSです。電流が低い論理回路では、BJTの飽和電圧はFETのによる電圧降下よりもわずかに高くなる場合がありますが、それでも論理低の最大電圧よりもはるかに低くなります。 。$R_{DS(ON)}$

例外：TTLオープンコレクター出力をレベルシフターとして使用して、超低電圧CMOSとインターフェースすることはできません。このインバータは0.8 Vの低Vccで動作でき、データシートには0.25 Vccの最大低レベル、つまり0.2 Vがあります。オープンコレクタはそれより高い電圧降下を持ちます。（このデバイスは、0 Vの最大低レベル入力電圧も指定していますが、これは単に不可能です。）

note
ワイヤードOR（I2Cを考えてください）とは別に、オープンドレイン/コレクターは、ロジックとは異なる電圧、多くの場合より高い電圧で動作するものを制御するためによく使用されます。いくつかの低電圧ロジック・ファミリではもはや不可能これ、FETは、高電圧に耐えられないないので、その理由のために、いくつかの家族はクランプダイオードが内蔵された出力FETを保護する必要があります。