この記号（3つの接続された三角形）はどういう意味ですか？

記号とどういう意味ですか？コンポーネントの目的は何ですか？2番目の図は、その回路図を示しています。 $GD_{SN}$ $GD_{SI}$

schematics symbol

— XM551
ソース

コンテキスト、コンテキスト、コンテキスト。どこで見つけたの？記事へのリンクを投稿してください。（コメントではなく質問に記入してください。）

— トランジスタ

それは改善しています。なぜ部品番号を開示せず、データシートへのリンクを提供しないのですか？

— トランジスタ

IEEEの紙からそれを見たのでデータシートはありません

— XM551

たぶん、IEEEの論文には、投稿できるタイトルまたはURLが含まれています。これは歯を引っ張るようなものです。

— トランジスタ

タイトル：2m BiCMOS整流器

— 不要の

回答:

記号GDSNおよびGDSIはどういう意味ですか？

あなた自身の質問に答えたようです。2番目の画像は、3つの三角形が何であるかを示しています。

これは、有効化された3つのカスケード接続された論理インバータです。

右に行くほど各論理インバータの駆動力が強くなります。つまり、入力は非常に弱く、出力は非常に強くなります。

これは反転バッファリングです。

そしてその目的は何ですか？

トリプルインバーターは、高容量性負荷、つまり2つのMOSFETのゲートを駆動しています。トリプルインバータがなければ、MOSFETのゲートの充電と放電には時間がかかりすぎます。したがって、これは明らかに、MOSFETが開閉している間の高速、または単に低電力を意図した設計です。

トリプルインバーターへの入力のゲート容量は、MOSFETペアのゲート容量よりもかなり小さくなります。

— ハリー・スベンソン
ソース

速度については確かではありません...ステージを直列に追加すると速度が低下する傾向があります（電流ゲインを増やすことは確かに可能ですが、これはエナジーハーベスティングのための極端な低電流設計のように見えます）。最終段階のVpzt接続は、レベル変換がその一部である可能性があることを示唆しています。

— ブライアンドラモンド2018

（+1）GDの添え字は強力なヒントです。おそらく、ゲートドライバーを意味します。

— Lorenzo Donati-Codidact.org

@BrianDrummondうーん、コメントに合わせて質問を編集する方法を考えています。あなたのコメントで十分です。

— Harry Svensson

@HarrySvenssonそのままにしておけば、大容量のゲートを駆動していることは間違いありません。制御されたデッドタイムは懸念事項の1つだと思いますが、その論文で説明されていると思います。

— ブライアンドラモンド2018

遅延信号Vdlyのスルーレートも低いため、インバータごとに3ステージのx10アナログゲインで高速化しないと問題が発生する可能性があります。

— Tony Stewart Sunnyskyguy EE75

私には、3段の反転バッファーのように見えます。
しかし、私が知る限り、それはIEC 60617標準シンボルではありません

— valerio_new
ソース

少なくともこの記号は、それがバッファインバータであることを賢明な読者に伝えます。これは、標準よりも特定のアナログ動作を意味します。論理記号+1

— Tony Stewart Sunnyskyguy EE75 2018

そのシンボルはインバータチェーンと呼ばれます

— XM551
ソース

あらゆる種類のソースへのリンク？

— Lorenzo Donati-Codidact.org